三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行

三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行 业界传出，全球前二大 DRAM 供货商韩国三星和 SK海力士正全力冲刺高带宽内存 (HBM) 与主流 DDR5 规格内存，下半年起将停止供应 DDR3 利基型 DRAM，引起市场抢货潮，导致近期 DDR3 价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和 DDR5 的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产 DDR3；而 SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向 DDR4 制程，意味着不再供应 DDR3；同时，美光为扩大 DDR5 和高频宽内存产能，也大幅减少了 DDR3 的供应量。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管

SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 此举是因为三星在其核心业务内存芯片的一个关键增长领域已经落后。SK Hynix 在高带宽内存或 HBM 芯片领域处于领先地位，这种芯片因用于训练人工智能模型而实现了爆炸式增长。三星最近公布了至少自 2010 年以来最快的营收增长速度，投资者越来越关注三星对其较小竞争对手的回应。这推动 SK Hynix 股价自 2024 年年初以来上涨了 36%，远远超过了变化不大的三星股价。周二，股市最初反应平淡。公告发布后，三星股价保持跌势，跌幅不到 1%。SK Hynix 是全球用于开发类似 ChatGPT 服务的内存的最大供应商。到明年，其此类芯片的生产能力几乎已被预订一空。该公司计划斥资约 146 亿美元在韩国建造一座新的综合设施，以满足对 HBM 芯片的需求，HBM 芯片与NVIDIA 公司的加速器一起用于创建和托管人工智能平台。此外，该公司还将在印第安纳州建造一座价值 40 亿美元的封装厂，这也是该公司在美国的第一座封装厂。三星公司也生产逻辑芯片并经营代工业务，它还开始了全球扩张，包括在美国芯片制造领域投资 400 亿美元。该公司表示已开始量产其最新的 HBM 产品8 层 HBM3E，并计划在第二季度量产 12 层 HBM 芯片。该公司预计，与去年相比，2024 年的 HBM 供应量将增加至少三倍。 ... PC版： 手机版：