据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos 据报道,苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯(Jeff Williams)最近访问了台湾,希望从台积电(TSMC)获得首批 2 纳米晶圆,Naver 也传出这家韩国公司将开始开发自己的 2 纳米工艺,代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神,也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字,可能是因为 Thetis 一词的词源来自于"世世代代"。此前有报道称,三星将于 2025 年开始量产2 纳米 GAA 晶圆,预计其 3 纳米 GAA 技术将有三次迭代。第二代 3 纳米 GAA 节点据说将用于即将推出的 Exynos 2500,三星的目标是减少电流泄漏,提高这款芯片组的能效。据报道,随着"Gate All Around"技术被应用于 2 纳米光刻技术,三星可能会超越台积电的 2 纳米工艺。不幸的是,这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了 3 纳米 GAA 技术,三星的良品率也只有可怜的 20%,尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍,但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐,因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的 Exynos 芯片组采用率。这将有助于减少三星对高通公司的依赖,降低其芯片组支出,由于三星推出的 Galaxy S23 系列完全采用骁龙 8 Gen 2,导致其 2023 年的芯片支出高达70 亿美元。在 2024 年第一季度的财务报告中,三星的营业利润比 2023 年第一季度猛增了933%,这表明该公司正在优化其各个业务部门,而这种做法对于提高其 2nm GAA 工艺的良品率大有裨益。 ... PC版: 手机版:

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三星将于2024年下半年开始量产3纳米Exynos芯片

三星将于2024年下半年开始量产3纳米Exynos芯片 访问:NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 DigiTimes 上的一份付费报告提到了三星将于"2024 年下半年"开始量产其 3nm Exynos SoC。不过,除了提供"Exynos"这个名称外,没有提到其他有价值的信息。三星打算在其即将推出的 Galaxy S25 系列中使用 Exynos 2500 和 Snapdragon 8 Gen 4早已被多次报道,该系列可能将于 2025 年初亮相。据说这家韩国巨头将再次采用双芯片组的发布方式,就像 Galaxy S24 系列那样,因为这将有助于减少明年高通公司的芯片组开支。至于 Exynos 2500,此前有报道称三星将为即将推出的 SoC 采用第二代 3nm GAA 工艺,从而降低能量泄漏并提高能效。虽然目前还没有任何数字或数据可以说明 Exynos 2500 的性能,但有传言称它比 Snapdragon 8 Gen 4 更节能。三星通常会在每年的第四季度发布其旗舰智能手机芯片。Exynos 2400 于 2023 年 10 月首次预览,随后在 2024 年 2 月的 Galaxy S24 发布会上公布了更多细节。假定该公司对 Exynos 2500 采用相同的时间表,我们将提供所有必要的细节,敬请期待。 ... PC版: 手机版:

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Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试

Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试 根据之前的估计,3 纳米 GAA 工艺的良品率尚未超过 60%,要想真正让客户感兴趣,三星至少需要将这一数字提高到 70%。现在,据 Sedaily 报道,三星正在向 2 纳米工艺大步迈进,讨论的主题是为高通公司和三星的 LSI 部门生产原型产品。这是该公司首次被提及正在为其芯片组开发 2 纳米原型,这表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。此前有消息称,三星正在开发配备 10 核 CPU 集群的Exynos 2500,该芯片组将直接接替 Exynos 2400,但不太可能使用 2nm 工艺进行量产,因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。此前也有报道称,高通公司已要求三星和台积电提供 2nm 样品,但这项技术可能会用于骁龙 8 Gen 5,而不是即将推出的骁龙 8 Gen 4。就进展而言,三星已经在 2nm 工艺竞赛中赢得了与台积电的竞争优势,据说它获得了第一个客户一家名为 Preferred Networks (PFN) 的日本初创公司。这家韩国代工厂是否能保持健康的收益率是另一个争论的焦点,但它有可能通过提供有吸引力的折扣来安抚其第一位客户,因为据说这是该公司之前为争取更多未来客户而探索的一种策略。据透露,一款未命名的 Exynos 芯片可能正处于测试阶段,这表明三星并不打算在未来的旗舰智能手机中完全采用骁龙芯片组,这是经过深思熟虑的,因为高通公司对其高端 SoC 的定价已经到了难以承受的地步。凭借新一代 2nm 工艺,三星可能最终会扭转颓势,让我们拭目以待它如何保持这些良品率。 ... PC版: 手机版:

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消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在,一份新的报告指出,Exynos 2500 将提高工艺标准,预计将使用第二代 3nm GAA(Gate-All-Around)工艺,以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道,为了跟上台积电的步伐,三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前,这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂,这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到,Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性,但应该指出的是,这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称,其第二代技术将把功耗降低 50%,性能提高 30%,面积缩小 35%。据悉,第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进,功耗降低了 45%,性能提高了 23%,面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称,后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3,因此假设这一消息属实,那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过,我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论,因此,尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞,但毕竟它已经让我们失望了很多次,而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版: 手机版:

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分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4

分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 三星在 Galaxy S22 系列中使用了自主研发的 Exynos 2200 处理器。然而,过热和性能迟缓等问题导致评价不高,这让三星的产品策略发生了明显转变,随后几年所有Galaxy S系列都将采用高通骁龙SoC。但回到今年,韩国、印度和中东等地区的 Galaxy S24 和 Galaxy S24+ 机型也采用了 Exynos 2400 处理器。不过,高端 Galaxy S24 Ultra 采用的是高通骁龙 8 Gen 3 处理器。不过,整个 Galaxy S24 系列都配备了 Galaxy AI 功能,不仅高通处理器,Exynos 处理器也能很好地处理这些功能。这让人们对 Exynos 处理器的品质充满信心。值得注意的是,骁龙 8 Gen 3 处理器在性能上依然领先,但高性价比的 Exynos 也有接近的竞争力。三星是全球首家量产3nm Gate All Around(GAA)工艺的公司,也是首家在半导体芯片中采用该技术的公司。本月早些时候,有报道称三星正与全球电子设计自动化(EDA)公司 Synopsys 联手大规模生产 3 纳米芯片。现在,根据BusinessKorea 的最新报道,三星计划量产采用 3nm GAA 技术的 Exynos 2500用于明年的 Galaxy S25 系列。业内分析人士认为,采用 3nm 工艺生产的 Exynos 2500 采用了 GAA 技术,有助于限制能量泄漏和增加驱动电流,帮助其超越高通骁龙 8 Gen 4 处理器,尤其是在能效方面。由于三星拥有GAA 技术并将生产 Exynos 处理器,而骁龙芯片组则由台湾台积电生产,因此 Exynos 工艺将凭借有利的 GAA 技术比竞争对手更具优势。有报道称,台积电将采用第二代 3 纳米工艺和 FinFET 晶体管生产高通骁龙 8 Gen 4 处理器。不过,我们现在还不能下结论,因为实际结果将取决于 Exynos 和骁龙处理器在 Galaxy 设备上的优化使用情况。 ... PC版: 手机版:

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据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4

据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4 该传言来自 X 上的 PandaFlash,他之前曾发帖称,Exynos 2500在 CPU 和 GPU 方面的性能都超过了骁龙 8 Gen 3。这种性能可能是由于三星在其第二代 3nm 工艺上对芯片进行了测试,这使得新的 SoC 可以在相同功耗水平下以更高的时钟速度运行。如果我们听说 Exynos 2500 采用了三星先进的"扇出晶圆级封装"(FOWLP)技术就不会感到惊讶,因为 Exynos 2400 也采用了同样的技术。FOWLP 增加了芯片组的耐热性并减小了芯片组的封装尺寸,使其能够在更长的时间内以最大能力运行,最终有助于获得更高的多核分数。如果传言属实,那么击败骁龙 8 Gen 4 就开始变得轻松,我们曾报道过,高通的旗舰 SoC 正受到功耗问题的困扰,迫使手机制造商使用5500mAh 的大容量电池来弥补这一问题。在这方面,三星可能已经找到了通过 Exynos 品牌提升声誉的机会,但前提是它必须解决第二代 3nm 工艺的良率问题。此前,这家韩国巨头的代工部门在3nm 节点上的良品率只有20%,但现在已大幅提高到之前的三倍,开始追上台积电,但仍有很大差距。良品率的降低意味着三星将不得不花费更多的成本来生产每个 3 纳米晶圆,从而提高了 Exynos 2500 的成本。该公司还有几个月的时间转入量产阶段,到那时,如果能把良品率提高到 65%,就可以在可接受的范围内了。 ... PC版: 手机版:

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三星电子发布业界首款 3 纳米可穿戴设备芯片 “Exynos W1000”,预计将用于三星智能手表新产品 Galaxy Watc

三星电子发布业界首款 3 纳米可穿戴设备芯片 “Exynos W1000”,预计将用于三星智能手表新产品 Galaxy Watch 7。三星电子定于 10 日晚 10 时(当地时间 10 日下午 3 时)在巴黎举行今年第二场 Galaxy 新品发布会(Galaxy Unpacked),届时将发布折叠屏手机和智能穿戴设备等新品。(韩联社)

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