NVIDIA下下代GPU有名字了！证实暗物质的女天文学家

NVIDIA下下代GPU有名字了！证实暗物质的女天文学家 NVIDIA的下一代GPU架构代号Blackwell，来自美国统计学家布莱克威尔，预计2024年底或2025年开始登场。 根据最新靠谱曝料，NVIDIA下下代GPU架构的代号已经基本敲定，那就是“Vera Rubin”。

NVIDIA、SK hynix和台积电结成联盟 为下一代AI标准加速GPU和HBM4开发

NVIDIA、SK hynix和台积电结成联盟 为下一代AI标准加速GPU和HBM4开发 SEMICON 就像半导体行业的 CES，SK hynix 和台积电等大公司都会在这里宣布他们的未来计划。据报道，英伟达公司（NVIDIA）首席执行官黄仁勋、SK hynix 总裁金珠善以及多家顶级公司的高管都将出席此次盛会。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。HBM4 内存的推出将对人工智能领域产生巨大的影响，因为各家公司现在都在朝着转换战略的方向发展。SK hynix 是首批实现"多功能 HBM"的公司之一。在现代的实施过程中，先进的内存半导体被紧密地连接到不同的芯片上，如 GPU 芯片，以提高计算效率，而为了将一切连接起来，业界采用了著名的 CoWoS 等封装技术。由于这并不是一条最佳路线，SK hynix 此前透露，他们计划将内存和逻辑半导体整合到一个封装中，这意味着不需要封装技术，而且单个裸片将更接近这种实现方式，事实证明它的性能效率会更高。为了实现这一目标，SK hynix 计划建立一个战略性的"三角联盟"，由台积电（TSMC）负责半导体，英伟达（NVIDIA）负责产品设计，最终产品可能具有革命性意义。虽然我们现在还不确定 SK hynix 计划如何实现 HBM4 内存，但考虑到台积电和英伟达（NVIDIA）现在都与这家韩国巨头合作，反映出他们确实已经想好了办法。即将举行的 SEMICON 在这方面非常重要，因为它将为未来采用该内存标准的人工智能加速器定下基调。除此以外，这一联盟还表明，相关公司已准备好利用市场，不给竞争对手任何潜在增长或暴露的空间。在 HBM4 量产时间表方面，业界预计该联盟的解决方案将于 2026 年投入生产，这正好赶上 英伟达下一代 Rubin 架构的到来并在市场上大显身手。 ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单 三星晶圆代工厂意识到台积电的领先地位，并希望重新赢得NVIDIA这个大客户。为此，他们正竭尽全力确保其采用GAA（Gate-All-Around）架构的 3 纳米工艺节点能够胜任任务，满足NVIDIA的要求。为此，三星在内部实施了一项代号为"Nemo"的战略，意指NVIDIA，每个部门都在努力确保能从芯片制造商那里获得订单。NVIDIA上一次利用三星的代工厂（8 纳米）生产 GeForce RTX 30"Ampere"GPU是专为游戏（客户端）市场设计的，Ampere 的后续产品 Ada Lovelace"GeForce RTX 40"则转向台积电（5 纳米工艺）。到目前为止，三星代工厂预计在 2024 年上半年实现 3 纳米 GAA 工艺的量产。GAA 技术将消除旧式 FinFET 工艺的一些主要瓶颈，但该工艺是否足以赢得NVIDIA的青睐还有待观察。最近有报道称，该公司未能通过NVIDIA的 HBM3E 内存认证程序，这可能会导致业务出现重大挫折，但三星正在确保能够完善其 HBM 内存，并已计划开发下一代 HBM4 架构，预计将于 2025-2026 年间亮相。NVIDIA未来的芯片业务是否会重新选择三星，我们只需拭目以待。在全面转向三星代工之前，我们很可能会看到一些半定制产品。鉴于NVIDIA GPU 的需求量，这家芯片制造商很可能会从所有能拿到手的半导体工厂双源采购芯片，就像过去双源采购 HBM 和封装材料一样。 ... PC版： 手机版：

台积电与SK hynix 结成AI战略联盟 共同推进面向下一代GPU的HBM4存储

台积电与SK hynix 结成AI战略联盟 共同推进面向下一代GPU的HBM4存储 目前，人工智能产业正在蓬勃发展，就财务方面而言，丰厚的收入吸引了我们能想到的所有大型科技公司。台积电和 SK hynix 是提供行业所需的基本要素的两家主要企业，一家在半导体领域遥遥领先，另一家则在 HBM 供应方面独领风骚。据报道，这两家公司已结成"渐进式"联盟，旨在联合开发下一代产品，最终使它们成为市场的焦点。Pulse News的报道披露，名为"One Team"的新联盟已经生效，目的是通过抢先开发新产品来挫败行业竞争。这次的主要重点是开发下一代 HBM 内存，即最先进的 HBM4，它在革新人工智能领域的计算能力方面潜力巨大，有望为英伟达下一代人工智能 GPU 提供存储支持，台积电的加入可能会催化这家韩国巨头在市场上的影响力。还有人说，结盟是为了对抗三星电子对市场日益增长的影响力，因为三星同时拥有半导体和存储器设施，这也是参与人工智能竞赛的公司青睐三星的原因，因为这样可以减少供应链的复杂性。现在，台积电和 SK hynix 作为一个整体运作，竞争将变得更加激烈和有趣。HBM4 的开发将加速NVIDIA和AMD下一代 GPU 的发展。预计 NVIDIA 将在其即将推出的 H200 和 B100 GPU中使用 HBM3E，但我们可以看到未来的 Blackwell 变体和下一代 Vera Rubin 芯片将充分发挥新 HBM 标准的潜力。 ... PC版： 手机版：

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4 制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4 制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前还不具备经济地生产这种先进逻辑芯片的能力（如果它们能生产的话）。对于第一波 HBM4，台积电准备采用两种制造工艺：N12FFC+ 和 N5。虽然它们的目的相同将 HBM4E 内存与下一代 AI 和 HPC 处理器集成，但它们将以两种不同的方式连接用于 AI 和 HPC 应用的高性能处理器内存。台积电设计与技术平台高级总监表示："我们正与主要的 HBM 存储器合作伙伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先进节点上实现 HBM4 全堆栈集成。N12FFC+高性价比基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以更低的功耗提供更多的逻辑。"台积电采用 N12FFC+ 制造工艺（12 纳米 FinFet Compact Plus，正式属于 12 纳米级别的技术，但其根源来自台积电久经考验的 16 纳米 FinFET 生产节点）制造的基础芯片将用于在系统级芯片（SoC）旁边的硅中间件上安装 HBM4 存储器堆栈。台积电认为，他们的 12FFC+ 工艺非常适合实现 HBM4 性能，使内存供应商能够构建 12-Hi(48 GB) 和 16-Hi 堆栈（64 GB），每堆栈带宽超过 2 TB/秒。高级总监说："我们还在为 HBM4 优化 CoWoS-L 和 CoWoS-R。CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的2000多个互连的路由，并具有[适当的]信号完整性"。N12FFC+ 上的 HBM4 基础芯片将有助于使用台积电的 CoWoS-L 或 CoWoS-R 先进封装技术构建系统级封装 (SiP)，该技术可为内插件提供高达 8 倍网纹尺寸的空间，足以容纳多达 12 个 HBM4 存储器堆栈。根据台积电的数据，目前，HBM4 在电流为 14mA 时的数据传输速率可达 6 GT/s。台积电代表解释说："我们与 Cadence、Synopsys 和 Ansys 等 EDA 合作伙伴合作，对 HBM4 通道信号完整性、IR/EM 和热精度进行认证。"同时，作为更先进的替代方案，内存制造商还可以选择台积电的 N5 工艺来生产 HBM4 基础芯片。采用 N5 工艺的基础芯片将包含更多的逻辑，功耗更低，性能更高。但可以说最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，大约为 6 至 9 微米。这将使 N5 基本芯片与直接键合技术结合使用，从而使 HBM4 可以直接在逻辑芯片上进行三维堆叠。直接键合技术可实现更高的内存性能，这对于一直在渴求更多内存带宽的人工智能和高性能计算芯片来说将是一个巨大的推动。我们已经知道台积电和 SK Hynix 正合作开发 HBM4 基础芯片。台积电很可能也会为美光生产 HBM4 基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为这家企业集团已经通过其三星代工部门拥有了自己的先进逻辑晶圆厂。 ... PC版： 手机版：

AMD新一代GPU MIX350年底推出 升级4nm、HBM3E

AMD新一代GPU MIX350年底推出 升级4nm、HBM3E 接下来的Instinct MI350，应该会继续基于CDNA3架构，或者略有改进，工艺进步为台积电4nm，内存升级为新一代HBM3E，容量更大、速度更快。NVIDIA即将出货的H200已经用上了141GB HBM3E，刚宣布的新一代B200进一步扩容到192GB HBM3E，从而抵消了AMD在容量上的优势。AMD MI350的具体内存容量不详，但肯定不会少于192GB，否则就不够竞争力了。AMD CTO Mark Papermaster之前就说过，正在准备新版MI300系列，重点升级HBM内存，但没有给出详情。值得一提的是，美国针对中国的半导体禁令不仅包括现有产品，比如AMD MI250/MI300系列、NVIDIA A100、H100/H200、B100/B200/GB200、A800/H800、4090系列，Intel Gaudi2，还直接纳入了下一代产品，这自然就包括AMD MI350系列，以及Intel刚刚宣布的Gaudi3。 ... PC版： 手机版：