这款造型复古的ITX电脑机箱可以被3D打印出来随时使用

这款造型复古的ITX电脑机箱可以被3D打印出来随时使用 Modder WhoIsLudwig 最近发布了一份独特的 3D 打印 ITX PC 机箱的蓝图和指南。该机箱可容纳相当可观的游戏 PC 组件，并具有良好的冷却效果。这款名为 Kubic 的电脑外壳结合了 2000 年代早期某些复古设备的特点，外观独特而怀旧。改装者声称其灵感来自 NeXT 在 80 年代末和 90 年代初发布的独特工作站。顶部的手柄让人想起 00 年代两种独特的立方体设备苹果的 Power Mac G4 Cube 和任天堂的 GameCube。该机箱专为 ITX 型材设计，便于小型 3D 打印机用户使用。他在 Bambu A1 Mini 上对其进行了测试，它可以在任何至少有 180 x 180 毫米床身间隙的模型上打印。在 ITX 主板顶部，机箱可安装高度最大 100 毫米的 CPU 散热器和风扇。它支持任何长度达 220 毫米的双插槽显卡，主要包括 GeForce RTX 4060、Radeon RX 7600 或其直接前代产品等主流型号。制造商最多可添加四个 2.5 英寸硬盘。Kubic仅限于使用 SFX 电源，为 ATX PSU 修改设计并非不可能，但可能会影响散热。机箱风扇最大支持 140 毫米，最厚支持 30 毫米，对于依赖集成显卡而非独立 GPU 的制造商来说，这可能是可选项。不过，改装者声称，在最糟糕的情况下，单个风扇可将 CPU 的温度稳定在 94 摄氏度，将 GPU 的温度稳定在 75 摄氏度。使用 AMD Wraith Spire 冷却器和 Arctic P14 PWM PST 风扇后，改装者的 AMD Ryzen 5 3600 和 RX 6600 从未超过 75 度。进气口在底部，排气口在顶部。WhoIsLudwig 在 Autodesk Instructables 上发布了详细的组装说明，并在 Printables 上发布了必要的 3D 打印文件。 ... PC版： 手机版：

压力测试显示苹果M3 MacBook Air在合盖模式下使用时性能下降近50%

压力测试显示苹果M3 MacBook Air在合盖模式下使用时性能下降近50% 在长达 20 分钟的 3DMark Wild Life Extreme Stress Test 测试中，YouTube 频道Max Tech 发现，M3 MacBook Air 在盖上盖子后性能损失惨重。在第一次运行中，最新款机器一开始表现强劲，获得了 8083 分，但由于无风扇解决方案无法跟上散热速度，性能逐渐开始下降，得分降至 5916 分。也就是说，合上盖子后，M3 MacBook Air 的性能损耗约为 30%。YouTube 频道之前发布了 M3 SoC 在运行相同测试时的温度，最高温度达到了令人担忧的114摄氏度，GPU 的温度达到了 102.9 摄氏度。Apple Silicon发布第三代以来，苹果一直采用薄型散热片来帮助传热，但正如你所看到的，它只能勉强完成任务。在合盖模式下，M3 MacBook Air 的情况更糟，性能下降了近一半，得分为 4,198 分。可能在打开盖子的情况下，M3 MacBook Air 可以在键盘部位获得一些冷空气，这有助于热传导，但在合盖模式下，空气路径被完全阻断，导致额外的性能损失。如果普通用户能确定这就是 M3 MacBook Air 运行速度变慢的原因，他们要么需要将自己的电脑更换为 M3 MacBook Pro（M3 MacBook Pro 实际上配备了主动散热风扇），要么不再考虑多接显示器。苹果在 M3 MacBook Air 上做对的两件事是：在256GB 机型上使用了两个 NAND 闪存芯片，使固态硬盘的速度比 M2 版本更快；不使用粘合剂来固定多个电池单元，使电池更容易拆卸。除此之外，这些压力测试表明还有很大的改进空间，衷心希望苹果能在 M4 版本的散热解决方案中增加一个风扇。 ... PC版： 手机版：

实验室中的内存解决方案可在高达600°C的温度下运行 有望在服务器中广泛应用

实验室中的内存解决方案可在高达600°C的温度下运行 有望在服务器中广泛应用 根据《自然电子学》（Nature Electronics）上发表的研究，基于铁电氮化铝钪（AlScN）的闪存盘可能会成为市场的下一代标准，这不仅是因为它的名字听起来很特别，还因为这种材料在温度下的可持续性。宾夕法尼亚大学的研究人员 Deep Jariwala 和 Roy Olsson 展示了一种存储器原型，即使在 600 摄氏度的高温下仍能正常工作，据说是目前市场上替代品的两倍。现在，更大的问题是，为什么首先需要这种内存解决方案。答案很简单。巨型计算系统集成了大量组件，会产生巨大的热能，这些热能会通过板载冷却解决方案、液体或空气散失。然而，由于内存设备的不稳定性，超出范围的温度会导致数据丢失和性能下降，这对于大型系统来说是难以承受的。因此，即使在高温条件下，板载内存也必须持续运行。Jariwala 说，他们的解决方案针对的是大规模人工智能系统，因为这些系统甚至可以在更恶劣的条件下运行。据报道，除了温度优势外，基于 AlScN 的内存设备在弥补中央处理器和内存之间数据传输效率低下的问题上也比传统产品更具优势。虽然碳化硅技术很有希望，但它的处理能力远不及硅处理器，因此无法在高温或任何恶劣的环境中进行高级处理和重数据计算，如人工智能。我们内存设备的稳定性可以让内存和处理更紧密地结合在一起，从而提高计算的速度、复杂性和效率。我们称之为"内存增强计算"，并正与其他团队合作，为新环境下的人工智能奠定基础。- 宾夕法尼亚大学 Deep Jariwala这项研究确实表明，未来的内存标准可能会迅速发展，所使用的核心材料层也会发生根本性的变化，在这种情况下，AlScN 似乎是个不二之选，但现在下结论还为时尚早。 ... PC版： 手机版：

新型自适应屋面瓦无需电子设备 还可降低供暖和制冷成本

新型自适应屋面瓦无需电子设备 还可降低供暖和制冷成本 他们在《设备》（Device）杂志上发表的一篇论文中介绍了一种自适应瓦片，这种瓦片以阵列的形式安装在屋顶上时，可以降低冬季的取暖费和夏季的制冷费，而且不需要电子设备。该研究的第一作者肖说："它可以根据瓷砖的温度在加热状态和冷却状态之间切换。目标温度约为华氏 65 度约为摄氏 18 度。"这个约四英寸见方的被动式体温调节装置融合了廖昌永在热科学方面的专长和霍克斯在机械设计方面的工作一个可移动的表面，可以根据不同的温度改变其热特性。几年前，他们在往返于圣巴巴拉和加利福尼亚北部的长途旅行中萌生了这个项目的想法。瓦片的开发和功能"当时我们的配偶都在斯坦福大学，所以我们一起去旅行，想知道我们有可能一起做些什么，"廖说，他和霍克斯一样，都是加州大学伯克利分校机械工程系的教授。他们随后获得了加州纳米系统研究所（California NanoSystems Institute）的种子基金，用于设计机械可调热设备。直到肖想到使用蜡马达，自适应瓦片的想法才最终成型。根据蜡在温度作用下体积的变化，蜡马达产生压力，从而移动机械零件，将热能转化为机械能。蜡电机常见于洗碗机和洗衣机等各种电器以及航空航天业等更专业的应用中。就瓷砖而言，蜡马达根据其状态可以推动或缩回活塞，从而关闭或打开瓷砖表面的百叶窗。因此，在气温较低时，当蜡是固体时，百叶窗会关闭并平铺，露出能吸收阳光的表面，最大限度地减少通过辐射散热。优势和测试结果但是，一旦温度达到 18 摄氏度左右，蜡就会开始融化和膨胀，推动百叶窗打开，露出一个反射阳光和散发热量的表面。此外，在熔化或冷冻过程中，蜡还会吸收或释放大量热量，进一步稳定瓷砖和建筑物的温度。肖解释说："因此，我们有一种可预测的开关行为，可在一个非常小的范围内工作。"根据研究人员的论文，测试表明，与覆盖传统反射或吸收涂层的非开关器件相比，冷却能耗降低了 3.1 倍，加热能耗降低了 2.6 倍。由于采用了蜡质电机，该装置的运行不需要电子设备、电池或外部电源，而且与其他类似技术不同的是，它的响应速度在目标范围的几度之内。此外，该装置设计简单，便于定制可使用不同的热涂层和各种类型的蜡，使装置在所需的温度范围内运行，同时也便于大规模制造。霍克斯说："该装置仍是一个概念验证，但我们希望它能带来新技术，有朝一日能对建筑物的能源消耗产生积极影响。"编译来源：ScitechDaily ... PC版： 手机版：

金刚石芯片商用在即 性能优秀成本却高出上万倍

金刚石芯片商用在即 性能优秀成本却高出上万倍 而在氮化镓和碳化硅之后，金刚石也就是钻石，作为一种新半导体材料闯入了大家的视线当中，并引发了研究人员和行业专家的关注。金刚石以其无与伦比的硬度和亮度而闻名，半个多世纪以来，珠宝首饰是它最广泛也是最有价值的用途，如今它又因自己的特性，在半导体材料中开辟了一番广阔的前景。金刚石芯片，有何优势与现有的半导体材料相比，金刚石主要具有三大优势：热管理、成本/效率优化和二氧化碳减排。在所有传统的功率转换器中，冷却系统都是一个必要的累赘。与大多数半导体材料不同，金刚石的电阻率随温度升高而降低。因此，用这种材料制成的设备在 150 摄氏度（功率设备的典型工作温度）下比在室温下性能更好。虽然必须花费大量精力来冷却暴露在高温下的硅或碳化硅器件，但只需让金刚石在运行过程中找到一个稳定的状态即可。金刚石还是一种良好的散热器。由于散热损耗少、散热能力强且能在高温下工作，用金刚石有源器件制成的转换器可以比基于硅的解决方案轻 5 倍、小 5 倍，比基于碳化硅的解决方案轻 3 倍、小 3 倍。在设计设备和转换器时，必须在系统的能效与成本、尺寸和重量之间做出权衡。金刚石也不例外，但金刚石能在关键参数上为更节能的电动汽车带来价值。如果重点是降低设备成本，那么可以设计出比碳化硅芯片成本低 30% 的金刚石芯片，因为在电气性能和效率相同的情况下，金刚石芯片比同等的碳化硅芯片少消耗 50 倍的金刚石面积，而且热管理更好。如果注重效率，金刚石与碳化硅相比，可将能量损耗降低三倍，芯片体积最多可缩小 4 倍，从而直接节省能耗。如果侧重于系统体积和重量，通过提高开关频率，金刚石器件可将无源元件的体积比基于碳化硅的转换器减少四倍。除了体积上的减少之外，还可以通过缩小散热器来实现。值得一提的是，金刚石还具备极高的绝缘性。衡量不同材料绝缘性好坏的一大重要指标是击穿电场强度，表示材料能承受的最大电压不造成电击穿。作为对比，硅材料的击穿电场强度为0.3 MV/cm左右，SiC为3 MV/cm，GaN为5 MV/cm，而钻石则为10 MV/cm，而且即使是非常薄的钻石切片也具有非常高的电绝缘性，能够抵抗非常高的电压。从具体用途来看，金刚石基板具有优异的导热性，可为高功率 5G 元件（基站、放大器）实现高效散热，确保运行稳定性并防止过热。5G 基础设施的不断推出和对更快数据速度的无限需求，推动了各种 5G 相关设备对金刚石基板的采用。5G 数据流量的指数级增长意味着需要设备能够管理在极高频率下产生的大功率密度。金刚石衬底为这些问题提供了答案。此外，与传统的硅基解决方案相比，金刚石衬底与氮化镓或碳化硅配对，可制造出工作电压更高、频率更高、能效更高的功率器件，电动汽车、用于可再生能源的电源逆变器、工业电机驱动器、大功率激光器和先进电源都是金刚石衬底应用日益广泛的领域。金刚石衬底作为出色的散热器，可以延长这些设备的使用寿命和可靠性。而随着向更清洁能源的过渡和汽车电气化进程的加快，金刚石衬底也将发挥至关重要的作用。尽量减少功率转换过程中的能量损耗可以提高整体效率，这是电动汽车和可持续电网的一个重要方面。金刚石基底能够设计出更紧凑、重量更轻的电力电子器件，这对电动汽车等空间受限的应用至关重要。国外的Virtuemarket的数据指出，2023年全球金刚石半导体基材市场价值为1.51亿美元，预计到2030年底市场规模将达到3.42亿美元。在2024-2030年的预测期内，该市场预计将以复合年增长率增长12.3%。其认为，在中国、日本和韩国等国家电子和半导体行业不断增长的需求的推动下，亚太地区预计将主导金刚石半导体衬底市场，到 2023 年将占全球收入份额的 40% 以上。金刚石芯片，面临挑战当然，性能如此优秀的半导体材料，在其他方面不免受到一些限制。首先就是成本。与硅相比，碳化硅的成本是其 30 到 40 倍，而氮化镓的成本是其 650 到 1300 倍。用于半导体研究的合成金刚石材料的价格约为硅的 10000 倍。另一个问题是金刚石晶片尺寸太小，市场上最大的金刚石晶片尺寸还不到 10 平方毫米。使用离子注入法掺杂这种材料很困难，而且这种材料的电荷载流子活化效率在室温下会降低。为了解决生产应用方面的问题，不少公司都在努力攻关金刚石量产的相关技术。2023年初，日本佐贺大学与日本Orbray共同合作开发了金刚石制成的功率半导体，他们在蓝宝石衬底上制成2英寸的单晶圆，2023年10月，美国的Diamond Foundry于成功制造出了世界上第一块单晶钻石晶圆，直径约4英寸。除了上述两家公司外，位于法国格勒诺布尔的半导体金刚石初创公司Diamfab也在为了金刚石芯片的技术而不断努力。今年3月，该公司宣布获得870万欧元的首轮融资。这笔资金来自Asterion Ventures、法国政府代表法国政府管理的法国科技种子基金（法国2030的一部分）、Kreaxi与Avenir Industrie Auvergne-Rhône-Alpes地区基金、Better Angle、Hello Tomorrow和格勒诺布尔阿尔卑斯大区。Diamfab 是法国国家科学研究中心（CNRS）实验室奈尔研究所（Institut Néel）的衍生产品，也是 30 年来合成金刚石生长研发的成果。Diamfab 项目最初在格勒诺布尔阿尔卑斯 SATT Linksium 进行孵化，该公司于 2019 年 3 月成立，由两位纳米电子学博士和半导体金刚石领域公认的研究人员 Gauthier Chicot 和 Khaled Driche 创办。Diamfab表示，为了满足汽车、可再生能源和量子产业的半导体和功率元件市场需求，公司在合成金刚石的外延和掺杂领域开发出了突破性技术。其在合成金刚石的外延和掺杂领域开发出了突破性技术，并拥有四项专利，其专长在于薄金刚石层的生长和掺杂，以及金刚石电子元件的设计。第一轮融资将使 Diamfab 能够建立一条试验生产线，对其技术进行工业化前处理，加速其发展，从而满足对金刚石半导体日益增长的需求。Diamfab此前已经申请了全金刚石电容器的专利，并正在与该领域的领先企业合作， Diamfab 首席执行官 Gauthier Chicot 说道：“在其他参数中，我们已经实现了我们的目标：超过 1000A/cm2 的高电流密度和大于 7.7MV/cm 的击穿电场。这些是未来设备性能的关键参数，并且已经优于 SiC 等现有材料为电力电子设备提供的参数。此外，我们有一个明确的路线图，到 2025 年实现 4 英寸晶圆，作为大规模生产的关键推动因素。”“在过去的两年中，我们在与研发团队合作加工高附加值金刚石晶片方面取得了重大进展。现在，我们基于双重业务模式的应用导向方法将使我们能够与更广泛的工业合作伙伴合作，开发和销售高附加值金刚石晶片和我们的专利金刚石设备制造工艺，同时还能以轻型工厂模式直接向最终用户销售产品，”Chicot 说。“在像我们这样的尖端产业的发展过程中，每个阶段都至关重要。试点项目将促进我们与合作伙伴的许多讨论，并加强我们之间的关系。与致力于该行业和气候的投资者合作，最重要的是他们了解该行业的制约因素和联系，这一点至关重要，” Chicot表示。“我们开发的技术可以大大减少半导体的历史碳足迹，并通过转移欧洲的关键产业来实现这一目标，这也是我们与 Asterion 合作的投资重点之一，”负责此次交易的 Asterion Ventures 合伙人 Charles-Henry Choel 解释说，“工业深度技术公司需要冷静、长期的支持，而这正是我们所能提供的。”无独有偶，美国的Advent Diamond也是这样一家致力于将金刚... PC版： 手机版：