ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元 台积电可能会使用现有EUV设备实现1.6纳米技术 三星也在考虑High-NA设备的采用时机，可能会直接跳过High-NA EUV，转向Hyper-NA系统，尽管这存在一定的风险。

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机 通用 EUV 平台与 hyper-NA 工具的开发紧密相关，因为标准化以及将 hyper-NA 创新引入前几代 EUV 的能力有助于收回开发 hyper-NA 工具所需的投资。“我们提出了一个长期路线图，假设十年后，我们将拥有一个低数值孔径、高数值孔径和超数值孔径 EUV 系统的单一平台，”van den Brink 说道。这位最近辞去首席技术官一职但仍受聘于 ASML 担任顾问的行业传奇人物解释说，更高分辨率工具的出现将减少对双重图案化的需求，从而减少工艺步骤的数量和每片晶圆所需的能量。“超数值孔径让我们远离双重图案化危险的复杂性。”Van den Brink 的这句话触及了人们对 hyper-NA 的前身 high-NA 的紧迫性提出的问题。根据市场研究公司 Semianalysis 的说法，高 NA 无法在成本上与低 NA 双图案竞争。ASML 此前曾反驳这一分析，指出通过避免双重图案化可降低工艺复杂性的价值。此外，该行业对高数值孔径工具的需求是“健康的”，该公司表示。一旦hyper NA 获得批准，任何对高 NA 的疑虑可能很快就会消失。Hyper NA光刻机，ASML的下一个目标ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。”ASML目前的EUV工具包括low NA模型，其具有0.33 NA光学器件，可实现 13.5 nm的临界尺寸（CD）。这足以通过单次曝光图案产生26 nm的最小金属间距和25-30 nm尖端到尖端的近似互连空间间距。这些尺寸足以满足 4nm/5nm级生产节点的需要。尽管如此，业界仍然需要3nm的21-24nm间距，这就是为什么台积电的N3B工艺技术被设计为使用Low-NA EUV双图案打印来打印尽可能最小的间距。这种方法被认为非常昂贵。具有0.55 NA光学器件的下一代High NA EUV系统将实现8nm的CD，这足以打印约16nm的最小金属节距，这对于超过3nm的节点非常有用，并且预计即使对于1nm，至少根据Imec的设想是这样。但金属间距将变得更小，超过 1nm，因此该行业将需要比 ASML 的 High-NA 设备更复杂的工具。这使我们能够开发出具有更高数值孔径投影光学器件的 Hyper-NA 工具。ASML 首席技术官 Martin van den Brink 在接受采访时证实 ，正在研究 Hyper-NA 技术的可行性。不过，尚未做出最终决定。增加投影光学器件的数值孔径是一个成本高昂的过程，涉及对光刻工具的设计进行重大改变。特别是，这包括机器的物理尺寸、开发许多新组件的需要以及成本增加的影响。ASML 最近透露，根据配置，低数值孔径 EUV Twinscan NXE 机器的售价为 1.83 亿美元或更高，而高数值孔径 EUV Twinscan EXE 工具的售价将根据配置为 3.8 亿美元或更高 。Hyper-NA 的成本会更高，因此 ASML 必须回答两个问题：它是否可以在技术上实现以及对于领先的逻辑芯片制造商来说是否在经济上可行。只剩下三个领先的芯片制造商：英特尔、三星代工和台积电。日本的 Rapidus 尚未发展成为可行的竞争对手。因此，虽然需要 Hyper-NA EUV 光刻技术，但它必须价格合理。“Hyper-NA 的引入将取决于我们能够降低成本的程度，”Martin van den Brink。“我曾多次环游世界，并与客户讨论了 Hyper-NA 的必要性和可取性。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，因此可能“使用 Hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的技术已经存在。这将是下一个十年左右的变化。但这取决于成本。”ASML 发言人告诉 Bits&Chips，正在研究 hyper-NA 技术的技术和经济可行性，但尚未做出是否继续实施的决定。他拒绝评论何时做出该决定。考虑到 Van den Brink 提到的 2030 年时间框架以及开发新一代 EUV 扫描仪所需的多年准备工作，期望早日做出承诺并不是没有道理的。高数值孔径技术于 2015 年获得批准，远早于低数值孔径 EUV 被引入大批量生产。到 2030 年，芯片制造商可能需要高数值孔径的双图案化，至少对于选定数量的层而言。与此同时，根据Imec去年提出的路线图，尺寸缩放预计将持续到至少 2036 年。这凸显了只要能够满足成本目标，新一代 EUV 扫描仪的潜在机会。早在 2022 年，Van den Brink 就对超 NA 的经济可行性表示怀疑。他对 Bits&Chips表示：“如果超数值孔径的成本增长速度与高数值孔径的成本一样快，那么这在经济上几乎是不可行的。”他补充说，他的公司正在探索解决方案，以保持技术在成本方面的可控性。和可制造性。在 2022 年 ASML 投资者日上，Van den Brink 对他的工程师将取得成功表示乐观。“我始终相信技术，所以我相信我们会实现这一目标。”2023 年 4 月，Van den Brink 对Hyper NA 业务案例的信心更加增强。“我曾多次前往世界各地与客户讨论超 NA 的需求和愿望。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，以便使用 hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的机会已经存在。”取代应材，跃升全球最大芯片设备供应商近年来，对晶圆厂设备的需求一直在激增，这就是为什么晶圆厂设备制造商的收入也屡创新高的原因。事实证明，根据分析师 Dan Nystedt的观察，去年 ASML 成为全球最大的晶圆厂工具制造商，取代了几十年来一直处于领先地位的应用材料公司 (Applied Materials) 。虽然这算不上竞争，而且 ASML 取得第一的原因有很多，但这是一个了不起的转折。Nystedt 表示，2023 年 ASML 的收入为 298.3 亿美元，而应用材料公司的收入为 265.2 亿美元。这里有几件事需要记住。首先，ASML的财政年度遵循日历年，而应用材料公司的2023财政年度截至2023年10月29日。这就是分析师使用该公司2024财年第一季度业绩（截至2024年1月28日）进行计算的原因。虽然这并不完全是同类比较，因为 ASML 赢得了数十亿美元，但这是一个反映趋势的合理比较。ASML 成功从应用材料公司手中夺走晶圆厂工具制造桂冠的原因有多种。首先，该公司确认了 53 个低数值孔径 EUV Twinscan NXE 工具的收入（2022 年为 40 个），每个工具的成本约为 1.83 亿美元。此外，该公司还确认了 125 台深紫外光刻工具的收入（高于一年前的 81 台）。其次，ASML 可以在 2023 年的大部分时间里向中国客户销售先进的工具，因为对中国半导体行业的制裁仅在 9 月份开始生效，而且仅针对一种工具。相比之下，应用材料公司向中国客户销售的工具在一定程度上受到了美国 2023 年 10 月推出的出口规则的影响。虽然形势的逆转非常出色，但这实际上并不是一场竞争，因为应用材料公司并不生产光刻设备。相比之下，ASML 不制造用于外延、离子注入、沉积和选择性材料去除的工具。与此同时，如今几乎没有一家晶圆厂可以在没有应用材料公司、ASML、KLA 和东京电子公司的设备的情况下运行，因此这些公司宁愿相互补充。此外，销售的 ASML 工具越多，需要的应用材料公司的设备就越多，因此两家公司都将在未来几年蓬勃发展。 ... PC版： 手机版：

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台

单价4亿美元的光刻机 ASML又卖了一台 ASML 首席商务官 Christophe Fouquet 在该公司与分析师和投资者举行的财报电话会议上表示：“关于 High-NA（即 0.55 NA EUV），我们向客户交付了第一个系统，该系统目前正在安装中。” “我们本月开始发货第二个系统，安装也即将开始。”ASML 于 2023 年底开始向英特尔交付其首款高数值孔径 EUV 光刻工具 Twinscan EXE:5000。英特尔将使用该系统来学习如何使用此类机器，并将将该系统与英特尔一起投入14A 制造工艺的大规模生产。这还需要几年时间。通过尽早开始研究基于高数值孔径 EUV 的工艺技术，英特尔将能够制定下一代光刻的行业标准，这有望在未来几年成为竞争优势。ASML方面表示：“在 2 月份的 SPIE 行业会议上，我们首次宣布了位于 Veldhoven 的 ASML-Imec High-NA 联合实验室中的 High-NA 系统的亮相。” “此后，我们获得了第一张图像，分辨率低于 10 纳米，创下了新纪录，并预计在未来几周内开始曝光晶圆。所有高数值孔径客户都将使用该系统来尽早进行工艺开发。”虽然台积电和Rapidus似乎并不急于采用高数值孔径EUV光刻系统进行量产，但他们仍然必须在未来的某个时候这样做，这就是为什么ASML对这项技术的未来持乐观态度。事实上，全球最大的晶圆厂工具制造商正在探索 Hyper-NA、EUV 光刻工具，其投影光学器件的数值孔径高于 0.7。“客户对我们的 [高数值孔径] 系统实验室的兴趣很高，因为该系统将帮助我们的逻辑和内存客户为将高 NA 插入他们的路线图做好准备，”Fouquet 说。“相对于 0.33 NA，0.55 NA 系统提供了更精细的分辨率，在相似的生产率下，晶体管密度几乎增加了 3 倍，支持低于 2 纳米的逻辑和低于 10 纳米的 DRAM 节点。”近日，ASML 宣布其首款具有 0.55 数值孔径 ( High-NA ) 投影光学器件的极紫外 (EUV) 光刻工具已打印出第一个图案。该公告对于 ASML 和高数值孔径 EUV 光刻技术来说都是一个重要的里程碑。ASML 在一份声明中写道：“我们位于 Veldhoven 的高数值孔径 EUV 系统打印了有史以来第一条 10 纳米密集线。” “成像是在光学器件、传感器和平台完成粗略校准后完成的。下一步：使系统充分发挥性能。并在现场取得相同的结果。”ASML 似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功图案化的公司，这对于整个半导体行业来说是一个重要的里程碑。ASML 将仅将其 Twinscan EXE:5000 用于自己的开发和完善自己的技术。相比之下，英特尔将使用其 Twinscan EXE:5000 来学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术来批量生产芯片。英特尔将通过其英特尔18A（1.8纳米级）工艺技术将该工具用于研发目的，并计划部署下一代Twinscan EXE：5200扫描仪在其14A（1.4纳米级）生产节点上制造芯片。ASML 的 Twinscan EXE:5200 配备 0.55 NA 镜头，设计用于打印 8 纳米分辨率的芯片，这比当前 EUV 工具的 13 纳米分辨率有了显着改进。与低数值孔径工具相比，该技术可通过单次曝光打印尺寸小 1.7 倍的晶体管，并实现高 2.9 倍的晶体管密度 。尽管低数值孔径系统可以匹配此分辨率，但它们必须使用昂贵的双图案技术。实现 8 纳米对于制造 3 纳米以下工艺芯片至关重要，这些芯片预计将于 2025 年至 2026 年问世。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双图案化的需求，从而简化生产流程，潜在地提高产量并降低成本。然而，每个高数值孔径工具的成本高达 4 亿美元，并带来了众多挑战，这使得向领先工艺技术的过渡变得复杂（将在本世纪下半叶发生）。 ... PC版： 手机版：

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺 该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发就是14A 1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。ASML预计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但是上边提到的这些工艺节点，并不是真实的晶体管物理尺寸，只是一种等效说法，基于性能、能效一定比例的提升。比如说0.2nm工艺，实际的晶体管金属间距大约为16-12nm，之后将继续缩减到14-10nm。另外，Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量的模块都会彼此通用，从而大大降低研发、制造、部署成本。High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价，而且越发逼近物理极限，所以无论技术还是成本角度，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。” ... PC版： 手机版：