三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版： 手机版：

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入量产。在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET专业工艺技术，该工艺比28nm工艺性能提升了39%，功率效率提高了49%。 #抽屉IT

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 （英文） 虽然台积电方面并未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数，但外媒在报道中提到，考虑到2nm制程工艺在2025年量产，N2P制程工艺在2026年年底量产，1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 在 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 期间台积电透露，该公司 1.4 nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同，台积电的 1.4nm 制程工艺被命名为 A14。 台积电尚未透露 1.4nm 制程工艺的量产时间和具体参数，但考虑到 2nm 制程工艺在 2025 年量产，而 N2P 则定于 2026 年底量产，因此 1.4nm 制程工艺预计会在 2027 年到 2028 年量产。

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升 据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。 ... PC版： 手机版：

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,