三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版： 手机版：

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升 据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。 ... PC版： 手机版：

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：

三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术

三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术 三星晶圆代工厂业务部门主管崔时荣（Siyoung Choi）在主题演讲中强调，高性能和低功耗芯片是实现AI的最重要因素。该公司还推出了一项名为“三星人工智能解决方案”的交钥匙一站式服务，可以让客户利用三星的晶圆代工、存储芯片和高级封装服务。三星表示，这将简化客户的供应链，并使其产品发布速度提升20%。该公司透露，在过去一年时间内，其AI相关订单猛增80%。此次论坛期间，三星还分享了将在2027年推出硅光子技术的计划，这也是三星首次宣布采用硅光子技术。该技术在芯片上利用光纤传输数据，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。此外，三星也投资了硅光子技术公司Celestial AI。三星表示，采用BSPDN技术的2nm制程工艺也将于2027年推出。这一时间晚于其竞争对手英特尔将于2024年推出类似技术的计划。BSPDN技术将供电电路设计在晶圆背面，可以避开信号线，防止相互干扰。该技术可显著提升芯片功率、性能和面积效率。三星透露其2nm工艺路线图：用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出；面向人工智能和高性能计算（HPC）的2nm工艺将于2026年推出，早于BSPDN工艺。该公司还将在2027年推出用于汽车的2nm工艺。三星重申，计划于2027年推出1.4nm工艺，目前正在确保该技术的性能和良率。该公司计划于2025年采用ASML High NA EUV光刻机，用于1.4nm制程芯片制造。 ... PC版： 手机版：

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3n

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3nm 节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将 3nm 工艺技术转向量产，但尚未吸引主要芯片供应商的订单。 #抽屉IT