Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508

Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508 作为 PCIe Gen5 x4 控制器，SMI 的 SM2508 拥有 3.5 瓦的超低功耗。该公司表示，将其安装在 M.2 固态硬盘中，可使硬盘制造商制造出 7 瓦（或更低）的固态硬盘。SM2508 采用台积电的 N6 工艺技术制造，这是一个 7 纳米级的光缩制造节点，出货后将成为市场上最先进的控制器之一。相对复杂的节点使 Silicon Motion 能够在控制功耗的同时，在控制器中集成更多的内核和功能，更不用说芯片尺寸了。SM2508 SSD 控制器的前端基于四个 Arm Cortex-R8 内核，这将使其成为一个功能强大的控制器（作为对比，Phison 的 E26 是两个 Arm Cortex R5 内核加一个加速器）。该控制器还将与 DRAM 配合使用，支持 DDR4 和 LPDDR4。芯片后端提供 8 个 NAND 通道和 32 个 CE 目标，支持 3600 MT/s 的接口速度。SMI 称，该控制器的连续读取速度最高可达 14.5GB/秒，写入速度最高可达 14GB/秒，4K 随机读写性能最高可达 250 万 IOPS。SMI 在 Computex 上演示的硬盘甚至比这还要好，在 CrystalDiskMark 下达到了 14.9GB/sec 的读取速度。目前，Silicon Motion 及其合作伙伴正在最后确定 SM2508 的固件，并对其与不同制造商的 TLC NAND 进行验证，该芯片还支持 QLC NAND。在 Computex 上，Silicon Motion 在其展位上展示了 SM2508 硬盘的实际运行情况。多家硬盘制造商也在现场展示了基于 SM2508 的硬盘，不过只是静态样品。 ... PC版： 手机版：

满速仅约 7W，基于慧荣旗舰 PCIe Gen5 主控 SM2508 的 SSD 有望兼容轻薄本

满速仅约 7W，基于慧荣旗舰 PCIe Gen5 主控 SM2508 的 SSD 有望兼容轻薄本 Tom's在报道中均提到，慧荣称搭载 SM2508 主控的旗舰级 PCIe Gen5 固态方案在功耗方面可控制在 7W 左右。 2023-08-09 2023-01-09 2022-01-17

Silicon Motion SM2508将于第四季度上市 取代 Phison成为顶级SSD控制器

Silicon Motion SM2508将于第四季度上市 取代 Phison成为顶级SSD控制器 Silicon Motion 的参考硬盘在展会上运行了 CrystalDiskMark 8.0.4，如果我们与 Phison E26 Max14um 进行粗略比较，SM2508 在连续读取性能方面比 Phison 高出约 800 MB/s，在连续写入性能方面高出 500 MB/s。 这似乎并不算什么，但 SM2508 采用台积电的 N6 节点，峰值功耗为 3.5 瓦，整个固态硬盘的负载功耗为 7 瓦。而典型的基于 Phison E26 的固态硬盘在满载时功耗超过 11 瓦，这在移动设备中是一个很大的差别。这显然也会降低发热量，我们可能终于可以看到不需要大量散热片或主动冷却的 PCIe 5.0 硬盘了。事实上，7 瓦的功耗与 Phison 基于 PCIe 4.0 的 E18 固态硬盘非常相似。Silicon Motion 仍在对 SM2508 的固件进行微调，因此性能可能会有所提高，达到标称的 14 GB/s 写入速度。目前，随机性能与 Phison 相比也略显薄弱。根据Tom's Hardware的预测，我们将在今年第四季度的某个时候在市场上看到首批采用 Silicon Motion SM2508 的硬盘。 ... PC版： 手机版：

慧荣展示PCIe 5.0 SSD主控SM2508：读写双双满血14GB/s

慧荣展示PCIe 5.0 SSD主控SM2508：读写双双满血14GB/s 慧荣SM2508采用了先进的台积电6nm工艺，对比12nm功耗降低45％，对比7nm面积缩小20％。集成四个Arm Cortex-R8 CPU核心，支持对称性多重处理(SMP)，比非对称多重处理性能高出50％。该主控支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0，可搭配3D TLC/QLC闪存，最大容量8TB，8个通道，接口速率3600MT/s。在这一系列技术的加持下，SM2508主控的理论顺序读写速度都可以达到14GB/s，随机速度也能跑到250万IOPS、240万IOPS，达到满血状态。PCIe 4.0主控方面，慧荣也有一款新的SM2268XT2。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 2.0，闪存支持3D TLC/QLC，4通道，最大容量4TB，最高速率也有3600MT/s。性能自然不弱，顺序读写可达7.4GB/s、6.5GB/s，随机读写也都有120万IOPS。针对企业级市场，慧荣准备了更高性能的SM8366，支持U.2、E1.S 15/25mm、E3.S等各种形态规格。它不但有PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0，更支持双接口、OCP数据中心NVMe SSD 2.0、可编程NVMe/FDP/ZNS固件、PerformaShape(动态调控特定性应用性能及应用间IO隔离)、NANDCommand(最大化闪存性能及可靠性)等企业级特性。通道数达到了16个，虽然存接口速率限制在2400MT/s，但性能更彪悍，顺序读写超过了14GB/s，随机读写分别大于350万IOPS、280万IOPS。 ... PC版： 手机版：

SK hynix悄然升级消费级Platinum P51 Gen5 SSD 速度达到惊人的14GB/s

SK hynix悄然升级消费级Platinum P51 Gen5 SSD 速度达到惊人的14GB/s 据SK hynix称，其Platinum P51 Gen5固态硬盘现在的读取和写入速度分别高达14,000 MB/s和12,000 MB/s，高于我们之前看到的13,500 MB/s读取速度和11,500 MB/s写入速度。该硬盘还配备了相同的 SK hynix 238 层 3D TLC NAND 闪存 IC 和 4 通道 PCIe Gen5 接口。它还具有 200 万（2000K）读写 IOPS。这款硬盘有 2 TB、1 TB 和 500 GB 三种容量，虽然它采用了无散热片设计，但可以期待 SK hynix 为这款产品提供 Haechi H01 或类似的散热解决方案。这款固态硬盘最重要的部分是控制器，为此，SK hynix 采用了自家的 Aries Gen5 固态硬盘控制器，该控制器专为满足人工智能工作负载的需求而设计，可立即运用在LLM上。外形尺寸：M.2 2280（PCie Gen5 x4）容量：2 TB、1 TB、500GBNAND 技术：SK hynix 238L 3D TLC NAND 闪存接口：PCIe Gen5 NVMe，多达 4 个通道顺序读取性能：高达 14,000 MB/s连续写入性能：高达 12,000 MB/s除了Platinum P51 Gen5固态硬盘外，SK hynix还展示了新的便携式固态硬盘Beetle X31，它的外壳小巧时尚，有金色和银色两种颜色可供选择。该解决方案提供高达 10 Gbps 的速度，有 1 TB 和 512 GB 两种规格，2 TB 版本计划于 24 年第三季度推出。SK hynix还没有公布Platinum P51 Gen5固态硬盘的价格和上市时间，但我们可以预计它将在2024年第三季度上市。 ... PC版： 手机版：

三星推出990 EVO版固态硬盘 终于提供PCIe 5.0协议 速度大幅度提升

三星推出990 EVO版固态硬盘 终于提供PCIe 5.0协议 速度大幅度提升 既然是 EVO 系列那参数自然只能和 EVO 系列相比，相较于 970 EVO PLUS，990 EVO 性能提升了 43%，读取速度 5000MB/S，写入速度 4200MB/S，这与基于 PCIe 4.0 的 990 PRO 系列还是有不少差距的，但毕竟 EVO 系列便宜。售价：1TB 版 125 美元、2TB 版 210 美元下面是主要参数：产品Samsung SSD 990 EVO接口：PCIe 4.0 x 4 / PCIe 5.0 x2尺寸：M.2 2280闪存芯片：Samsung V-NAND 3-TLC控制器：三星控制器容量：1TB 和 2TB顺序读写速度：5000MB/S 和 4200MB/SQD32 随机：680K/800K IOPS (1TB) 700K/800K IOPS加密：AES 256 全盘加密、TCP/Opal V2.0写入：600TB / 1200TB保修：5 年有限保修 ... PC版： 手机版：