Silicon Motion SM2508将于第四季度上市 取代 Phison成为顶级SSD控制器

Silicon Motion SM2508将于第四季度上市 取代 Phison成为顶级SSD控制器 Silicon Motion 的参考硬盘在展会上运行了 CrystalDiskMark 8.0.4,如果我们与 Phison E26 Max14um 进行粗略比较,SM2508 在连续读取性能方面比 Phison 高出约 800 MB/s,在连续写入性能方面高出 500 MB/s。 这似乎并不算什么,但 SM2508 采用台积电的 N6 节点,峰值功耗为 3.5 瓦,整个固态硬盘的负载功耗为 7 瓦。而典型的基于 Phison E26 的固态硬盘在满载时功耗超过 11 瓦,这在移动设备中是一个很大的差别。这显然也会降低发热量,我们可能终于可以看到不需要大量散热片或主动冷却的 PCIe 5.0 硬盘了。事实上,7 瓦的功耗与 Phison 基于 PCIe 4.0 的 E18 固态硬盘非常相似。Silicon Motion 仍在对 SM2508 的固件进行微调,因此性能可能会有所提高,达到标称的 14 GB/s 写入速度。目前,随机性能与 Phison 相比也略显薄弱。根据Tom's Hardware的预测,我们将在今年第四季度的某个时候在市场上看到首批采用 Silicon Motion SM2508 的硬盘。 ... PC版: 手机版:

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Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508 作为 PCIe Gen5 x4 控制器,SMI 的 SM2508 拥有 3.5 瓦的超低功耗。该公司表示,将其安装在 M.2 固态硬盘中,可使硬盘制造商制造出 7 瓦(或更低)的固态硬盘。SM2508 采用台积电的 N6 工艺技术制造,这是一个 7 纳米级的光缩制造节点,出货后将成为市场上最先进的控制器之一。相对复杂的节点使 Silicon Motion 能够在控制功耗的同时,在控制器中集成更多的内核和功能,更不用说芯片尺寸了。SM2508 SSD 控制器的前端基于四个 Arm Cortex-R8 内核,这将使其成为一个功能强大的控制器(作为对比,Phison 的 E26 是两个 Arm Cortex R5 内核加一个加速器)。该控制器还将与 DRAM 配合使用,支持 DDR4 和 LPDDR4。芯片后端提供 8 个 NAND 通道和 32 个 CE 目标,支持 3600 MT/s 的接口速度。SMI 称,该控制器的连续读取速度最高可达 14.5GB/秒,写入速度最高可达 14GB/秒,4K 随机读写性能最高可达 250 万 IOPS。SMI 在 Computex 上演示的硬盘甚至比这还要好,在 CrystalDiskMark 下达到了 14.9GB/sec 的读取速度。目前,Silicon Motion 及其合作伙伴正在最后确定 SM2508 的固件,并对其与不同制造商的 TLC NAND 进行验证,该芯片还支持 QLC NAND。在 Computex 上,Silicon Motion 在其展位上展示了 SM2508 硬盘的实际运行情况。多家硬盘制造商也在现场展示了基于 SM2508 的硬盘,不过只是静态样品。 ... PC版: 手机版:

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基于SiliconMotion SM2508控制器的更实用PCIe 5.0 SSD今年起出货 现在,根据BenchLife 的报道,期待已久的 SiliconMotion SM2508 控制器正在向硬盘制造商发货,它可能是打开 PCIe 5.0 固态硬盘市场的关键。今年年底前,我们就能看到基于它的 Gen5 硬盘。这款控制器终于可以解决这些效率问题,同时还能带来 Gen5 所特有的超快传输速率。它采用台积电的 N6 工艺制造,峰值功耗仅为 3.5 瓦,而基于它的硬盘在最大负载下功耗仅为 7 瓦,与当前的 Phison 方案相比,简直是天壤之别。SiliconMotion 还声称,使用 SM2508 的固态硬盘将具有与当今 PCIe 4.0 型号类似的散热和功耗特性,但仍能达到 Gen5 14 GB/s 以上的连续速度。在某些情况下,它甚至比 Gen4 更高效。该芯片有 8 个 NAND 通道,每个通道有 32 个 CE 目标,支持 3600 MT/s 的接口速度。它的连续读写速度分别可达 14.5 GB/s 和 14 GB/s,随机读写性能达到 250 万 IOPS。 ... PC版: 手机版:

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