中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备 且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10 nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机 此前，三星电子宣布计划到 2025 年拥有 100 台 EUV 光刻机。市场估计三星目前的 EUV 机群约为 40 台。如果这 50 台设备的能够顺利交付，那么三星到 2028 年将能够拥有约 100 台设备。

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功 "芯片制造商需要速度！第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片制造厂。 凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"Twinscan NXE:3800E 是 ASML 0.33 数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布 3800E 产品页面。而前一个型号Twinscan NXE:3600D 支持3纳米和5纳米的 EUV 量产。ASML 的路线图表明，Twinscan NXE:3800E 是为生产 2 纳米和 3 纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（High NA Twinscan EXE）预计成本约为 3.8 亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为 1.83 亿美元。另一台低噪点EUV设备将于2026年发布ASML的下一代Twinscan NXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。 ... PC版： 手机版：

复旦团队成功研发功能型光刻胶

复旦团队成功研发功能型光刻胶 日前，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种功能型光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了 2700 万个有机晶体管并实现了互连，集成度达到特大规模集成度水平。该成果日前以《基于光伏纳米单元的高性能大规模集成有机光电晶体管》为题发表于《自然・纳米技术》。（光明日报）