中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展

中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展 据消息人士和文件显示，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组的高带宽存储器 (HBM) 半导体的早期阶段。据三位知情人士透露，中国最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储已与芯片封装和测试公司通富微电子合作开发了 HBM 芯片样品。其中两位知情人士表示，这些芯片正在向客户展示。企查查文件显示，武汉新芯正在建设一座每月可生产3,000片12英寸 HBM 晶圆的工厂，并计划于今年二月开始建设。两位知情人士表示，长鑫存储和其他中国芯片公司还与韩国和日本半导体设备公司定期举行会议，购买开发 HBM 的工具。知情人士透露，华为计划在2026年前与其他国内公司合作生产 HBM2 芯片。

华为引领中国与英伟达 AI 芯片竞争

华为引领中国与英伟达 AI 芯片竞争 华为技术有限公司正在领导一批中国半导体公司寻求存储芯片方面的突破，这可能有助于中国开发出替代英伟达尖端人工智能芯片的国产芯片，因为英伟达的芯片无法在中国销售。据两位接近华为的人士透露，由华为牵头的联盟在中国政府的资助下，计划到2026年生产高带宽内存 (HBM)，这是先进图形处理单元的关键组件。该项目于去年开始，其中包括与华为一起受到美国制裁的内存芯片制造商福建晋华集成电路。该联盟还依赖其他中国芯片生产商和封装技术开发商，并将努力根据华为设计的人工智能处理器芯片和支持主板组件定制其内存芯片。 、

中国芯片制造设备进口量创历史新高

中国芯片制造设备进口量创历史新高 在美国盟友实施出口限制之前，中国的半导体设备进口已飙升至历史新高。 中国海关数据显示，6月和7月中国芯片生产工具进口总额接近50亿美元，比去年同期的29亿美元增长70%。 大部分进口产品来自荷兰和日本，这两个国家对芯片制造设备实施了出口限制，因为它们与美国合作以减缓中国的技术进步。 这些限制意味着某些工具的买家必须向荷兰和日本政府申请许可证，这引起了中国芯片制造商的担忧。日本于 7 月 23 日开始实施限制，而荷兰的限制将于 9 月 1 日生效。 虽然尚不清楚进口增长有多少与将受到限制的工具有关，但这些购买表明中国希望避免其扩大芯片生产的计划受到任何干扰。 中国企业正试图利用进口设备来增加不受西方限制的不太尖端芯片的产量。

美国施压荷兰、日本限制中国AI芯片 这次瞄准了HBM

美国施压荷兰、日本限制中国AI芯片 这次瞄准了HBM 据知情人士透露，美国商务部负责工业和安全的副部长阿兰·埃斯特维兹(Alan Estevez)将向日本和荷兰的对等官员施压，要求对荷兰供应商阿斯麦、日本东京电子在中国的活动施加更多限制。知情人士称，作为正在与盟友进行对话的一部分，埃斯特维兹将在要求中强调开发所谓高带宽内存芯片(HBM)的中国芯片工厂。阿斯麦和东京电子的机器被用于生产DRAM内存颗粒，这些颗粒被堆叠在一起制造HBM芯片。爱企查的数据显示，从事HBM芯片研发的中国公司包括武汉新芯集成电路股份有限公司，该公司是中国领先存储芯片制造商长江存储科技有限公司的子公司。据科技网站The Information报道，华为和长鑫存储公司也在开发HBM芯片。HBM芯片是AI硬件生态系统中不可或缺的一部分，因为它能加快内存访问速度，有助于AI的开发。英伟达、AMD制造的AI加速器(GPU)需要与HBM芯片集成在一起才能工作。据彭博社报道，美国官员正在就限制HBM芯片出口与相关行业厂商进行早期对话。知情人士称，埃斯特维兹预计将在访问日本和荷兰时重申美国的一贯要求，即要求两国加强对阿斯麦和东京电子在中国维护和维修其他先进设备的限制。美国已经对这两家公司的美国对手应用材料公司、泛林集团(Lam Research)等实施了此类限制。不过，日本和荷兰政府一直在抵制美国的压力。两国希望有更多时间来评估当前高端芯片制造设备出口禁令的影响，并观察今年11月美国总统大选的结果。目前尚不确定荷兰新政府将如何回应美国提出的额外限制要求。截至发稿，美国商务部工业安全局的一名代表拒绝置评。荷兰外贸部发言人拒绝置评。日本经济产业省没有回应置评请求。 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：

由于美国制裁，中国芯片进口创下历史最大跌幅

由于美国制裁，中国芯片进口创下历史最大跌幅 由于长期的经济不确定性和美国的出口管制，中国的芯片进口去年遭遇了有记录以来的最大降幅。这个全球最大的半导体市场集成电路进口额下降了15.4%，至3494亿美元，这是自 2004 年中国海关数据公布以来的最大降幅，并且是连续第二年下降。出货量也下降了10.8%。 急剧下滑凸显了全球芯片行业的持续疲软，该行业一直在努力摆脱低谷。中国的需求尤其受到严格的新冠疫情限制措施和大流行后复苏乏力的影响。全球最大的代工芯片制造商台积电 2023 年销售额下降4.5%，尽管管理层表示今年仍有望实现健康增长。