水晶光电在业绩说明会表示，去年开始微棱镜产品开始量产，但是量产节奏较晚，今年供应链已经成熟，量产提前，因此微棱镜业务在二季度的销

水晶光电在业绩说明会表示，去年开始微棱镜产品开始量产，但是量产节奏较晚，今年供应链已经成熟，量产提前，因此微棱镜业务在二季度的销售中就有体现。在份额上公司一直是微棱镜的第一大供应商，今年份额也会有所提升。另外，大客户对微棱镜规划非常充分，现在量产的产品也是在几年前就已经在配合客户开发，后续的技术路径也已经在规划。

郭明𫓹：未来数年 iPhone 将持续采用玻璃棱镜 水晶光电有望受益

郭明𫓹：未来数年 iPhone 将持续采用玻璃棱镜 水晶光电有望受益 知名分析师郭明𫓹今日指出，苹果自 iPhone 15 Pro Max 开始采用四重反射棱镜（潜望镜）相机，并规划了未来数年规格升级路线，棱镜第一供应商水晶光电在相关供应链中为领先受益者之一。此外，其最新供应链调查显示，未来数年 iPhone 将持续采用玻璃棱镜。2024 年下半年的 iPhone 16 系列中，Pro 与 Pro Max 机型均将采用四重反射棱镜相机（规格与 iPhone 15 Pro Max 的相同）；四重反射棱镜相机的渗透率自 iPhone 15 系列的 35–40% 提升至 iPhone 16 系列的 60–65%，故 2024 年四重反射棱镜相机出货量同比增长约 160%。

宸展光电：预计上半年净利同比增长 56%-85%

宸展光电：预计上半年净利同比增长 56%-85% 宸展光电公告，预计上半年净利 1.17 亿元–1.39 亿元，同比增长 56%–85%。报告期内，受惠于客户库存调整周期结束，及在公司业务团队积极争取订单的努力下，公司 ODM 及 OBM MicroTouch™品牌业务较去年同期增长。同时，控股子公司鸿通科技新一代产品于 2024 年开始进入量产阶段，营业收入同比亦大幅增长。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

微博将在二季度测试 AIGC 创作助手，辅助大 V 进行内容创作

微博将在二季度测试 AIGC 创作助手，辅助大 V 进行内容创作 在昨日的微博超级红人节上，微博运营高级副总裁曹增辉表示，微博将推出 AIGC（人工智能生成内容）创作助手。 该助手旨在为创作者提效，通过学习大 V 的创作习惯，结合微博热点讨论内容，给创作者提供创作灵感，辅助大 V 进行内容创作。例如，在写文章时，助手可以给出标题、摘要、关键词等建议，在拍视频时，助手可以给出剪辑、配音、特效等建议，在做直播时，助手可以给出话题、互动、推荐等建议。 微博 AIGC 创作助手预计于二季度开放体验，计划针对历史累计原创博文大于 5000 条的创作者开放 100 个优先体验席位。 来自：雷锋 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat 投稿：@kejiqubot

AMD Zen 5 CPU将于第二季度采用台积电3nm工艺制造 并于第三季度量产

AMD Zen 5 CPU将于第二季度采用台积电3nm工艺制造 并于第三季度量产 另一方面，"Zen 5c"CCD，或高密度配置纯"Zen 5c"内核的芯片组，将在更先进的 3 纳米 EUV 代工节点上制造。这两种 CCD 都将在 2024 年第二季度投入量产，预计下半年推出产品。"Zen 5c"芯片组拥有庞大的 32 个内核，分布在两个各有 16 个内核的 CCX 中。每个 CCX 有 16 个内核，共享 32 MB 三级缓存。这 32 个内核每个都有 1 MB 的二级缓存，总共 64 MB 的三级缓存，这就是 AMD 转向 3 纳米代工节点的原因。另一个原因可能是电压，"Zen 5c"内核可以被看成"Zen 5"的高度紧凑型变体，它的工作电压带低于其较大的兄弟型号，但 IPC 或指令集没有任何变化。采用 3 纳米制程的决定可能是为了在较低的电压下提高时钟速度，以便在 IPC 和内核数量之外，利用时钟速度提高性能。采用"Zen 5c"芯片组的EPYC处理器将采用不超过 6 个这样的大型 CCD，最大核心数为 192 个。普通的"Zen 5"CCD 在单个 CCX 中仅有 8 个内核，内核之间共享 32 MB L3 高速缓存；TSV 提供 3D 垂直高速缓存，以便在特殊型号中增加 L3 高速缓存。在AMD Zen 5架构平台中，最关键的核心运算芯片是由台积电以3纳米制程制造。此外，HPC 平台 MI300 系列也已投入量产，采用台积电的 4 纳米和 5 纳米工艺。订单势头有增无减，台积电今年从 AMD获得的先进制程订单势头非常强劲。业内分析认为，3 纳米工艺的量产需要相对较长的时间。据估计，AMD 新的 3nm 工艺 Zen 5 架构平台将在第二季度左右进入晶圆量产阶段。届时，产能有望逐月提升。目前，关于 AMD Zen 5 内核架构的信息还不是很多，但从该公司的官方声明来看，它将提供更多的功能：提高性能和效率 前端重新管道化和宽幅问题 集成人工智能和机器学习优化... PC版： 手机版：