俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机

俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机 俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。 该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。 Tom's Hardware-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付，和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁，以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过，这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件，美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车” 真正的SSMB-EUV光源方案 加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW 美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。 中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案” 目前中国有三条光刻机研发路线。 1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。 3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。 第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！

国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清：这是北京高能同步辐射光源

国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清：这是北京高能同步辐射光源 近期，一则消息在各大视频平台广为传播，称清华大学EUV项目把ASML的光刻机巨大化，实现了光刻机国产化，并表示这个项目已经在雄安新区落地。对此，中国电子工程设计院有限公司发声，称该项目并非网传的国产 #光刻机 工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）

目前最先进的光刻机EUV光刻机可制造3纳米芯片，其核心技术是美国能源部国家实验室研发的，需要美国政府授权才能使用。上世纪末尼康和

目前最先进的光刻机EUV光刻机可制造3纳米芯片，其核心技术是美国能源部国家实验室研发的，需要美国政府授权才能使用。上世纪末尼康和佳能申请授权被拒绝，因为当时日本被视为美国竞争对手。荷兰阿斯麦收购硅谷集团后，成为唯一获得授权的公司，从此发大财。现在一台EUV光刻机要卖2亿美元，中国想买还不行。