网传“国产光刻机工厂落地雄安” 中国电子院澄清

网传“国产光刻机工厂落地雄安” 中国电子院澄清 针对“清华大学EUV项目把阿斯麦（ASML）的光刻机巨大化，实现光刻机国产化”的传闻，中国电子院回应称，该项目并非网传的国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目。 据澎湃新闻早前报道，一则在各大社交平台上广为流传的视频称，北京清华大学科研团队弯道超车，突破美国技术封锁，实现光刻机的巨大化，国产EUV光刻机获得突破，并称该项目已在河北省保定市雄安新区落地。 中国电子工程设计院有限公司星期一（9月18日）通过官方微信公众号澄清，上述项目并非网传的中国国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）。 中国电子院介绍，HEPS坐落于北京怀柔雁栖湖畔，是国家“十三五”重大科技基础设施，是中国第一台高能量同步辐射光源，也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一。这个项目早在2019年就开始建设、将于2025年底投入使用。 中国电子院表示，HEPS可以被视为一个超精密、超高速、具有强大穿透力的巨型X光机，它产生的小光束可以穿透物质、深入内部进行立体扫描，从分子、原子的尺度多维度地观察微观世界。 中国电子院强调，HEPS是进行科学实验的大科学装置，并不是网传的光刻机工厂。

高能同步辐射光源储存环全环贯通

高能同步辐射光源储存环全环贯通 HEPS储存环束流轨道周长约1360.4米，用于储存高能高品质电子束，同时产生同步辐射光，是世界上第三大、国内第一大光源加速器，也是我国第一台高能量同步辐射光源、第一台第四代同步辐射装置。它采用48周期的七弯铁消色散磁聚焦结构方案，6GeV能量下的束流水平自然发射度优于60pm·rad。HEPS由国家发展改革委批复立项，中国科学院高能物理研究所承担建设，2019年6月开建，建设周期6.5年。建成后，它将成为世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，将面向航空航天、能源环境、生命医药等领域用户开放。2023年12月11日，HEPS主体设备安装闭环，储存环真空、注入引出、高频、低温、插入件、电源、束控、前端区等系统随即开启安装和调试。去年，HEPS直线加速器、增强器已满能量出束，通过工程指挥部验收。现在，储存环隧道完成了全环真空闭环，启动全环联调，将开启储存环束流调试新阶段。最后一个周期真空连接储存环隧道安装现场储存环隧道安装现场储存环全环贯通活动合影 ... PC版： 手机版：

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥C

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥Cymer公司（在4SRanch边上）是生产EUV光源的唯一厂家，于2013年被阿斯麦用37亿美元收购成为其子公司。为EUV光刻机供货的500个厂商分属24个国家，都被拜登拉进去共同打压中国芯片产业。中国官媒声称美国越制裁越促进中国发展，有当年慈禧太后向所有列强宣战的勇气，

中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车” 真正的SSMB-EUV光源方案 加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW 美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。 中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案” 目前中国有三条光刻机研发路线。 1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。 3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。 第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！

中国成功申请7nm光刻机专利，标志着在半导体制造领域的重大突破。这一技术的核心在于极紫外辐射光源技术，能够在极小的芯片上刻出精细

中国成功申请7nm光刻机专利，标志着在半导体制造领域的重大突破。这一技术的核心在于极紫外辐射光源技术，能够在极小的芯片上刻出精细的电路图案。 该专利由上海微电子装备股份有限公司申请，发明人为王伟伟等人。其技术创新包括解决了光刻机中的带电粒子污染和氢自由基反应等难题。 这一突破的重要性在于提升了中国在全球半导体产业链中的地位，减少了对国外技术的依赖。未来，这一技术有望推动中国芯片产业的自主发展，特别是在高性能计算和人工智能领域的应用。尽管如此，中国在光刻机技术上仍需面对稳定性和良品率的挑战，同时需要加强科研投入和人才培养，以持续推动技术创新。

俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机

俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机 俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。 该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。 Tom's Hardware-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews