ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑

ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑 ASML 大型新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻系统已完成“初次曝光”，这是一个里程碑，意味着该工具正在运行，尽管尚未发挥全部性能。ASML 和英特尔本周三表示，英特尔在其工厂内，通过激活光源并使光透过透镜系统到达晶圆上的光刻胶，利用 ASML 的 High NA EUV 系统实现了一个重要的里程碑。 这表明光源和镜子已正确对齐，这是调试过程中的关键步骤。 “初次曝光”里程碑表明当前世界上最先进的芯片制造工具 ASML Twinscan EXE:5000 系统的一个主要组件已开始运行，但尚未达到峰值性能。

相关推荐

封面图片

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。
封面图片

【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】

【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】 据媒体报道，ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）称，将于第二、三季度开始获得台积电“大量”（significant）2纳米相关订单。此外，达森最近还在电话会议中表示，台积电和英特尔年内将获得ASML的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。（界面）
封面图片

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点 台积电高管周二表示，不一定需要使用 ASML 下一代 High NA EUV 机器，用于即将推出的芯片制造技术 A16，该技术正在开发中，预计于 2027 年推出。High NA 光刻工具有望帮助将芯片设计缩小三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及 ASML 的旧技术是否可能更可靠、更好。每台 High NA EUV 工具的成本预计超过 3.5 亿欧元，而 ASML 常规 EUV 机器的成本则为 2 亿欧元。台积电是全球最大的合同芯片制造商，也是 ASML 常规 EUV 机器的最大用户。而另一方面，英特尔则已经打包预定了 ASML 今年所有的 High NA 设备出货量。
封面图片

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：
封面图片

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装 4 月 18 日，美国芯片公司英特尔宣布，已接收并完成组装业界首台商用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机。据介绍，这套重达 165 吨的设备是阿斯麦（ASML）与英特尔合作数十年后开发的新一代光刻设备，现位于俄勒冈州的 D1X 制造工厂，正在进行最后的校准。 来源：财经慢报频道
封面图片

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人