韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险 三位知情人士表示，SK 海力士 的生产计划要求公司以荷兰艾司摩尔(ASML)的最新极紫外光(EUV)微影技术的芯片制造机为无锡厂的一个量产设施进行升级。 无锡这家工厂对全球电子行业至关重要，因其生产SK海力士约半数的动态随机存取记忆体芯片，占全球总量的15%。 一位了解SK海力士在中国运营情况的消息人士说，随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额，该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。 美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。 （）

消息人士说，SK海力士计划引进荷兰阿斯麦尔EUV光刻机，升级无锡的内存工厂，但忧虑或因出口管制受阻；海力士CEO今年7月曾赴华盛

消息人士说，SK海力士计划引进荷兰阿斯麦尔EUV光刻机，升级无锡的内存工厂，但忧虑或因出口管制受阻；海力士CEO今年7月曾赴华盛顿与美官员讨论有关问题。 无锡厂目前生产海力士的约半数内存芯片，占全球总产能的15%。 阿斯麦尔发言人表示，将遵守出口管制法律，但过度使用出口管制可能影响企业产能、并加剧芯片供应链问题。 （路透社）

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性 崔泰源表示，鉴于在韩国境外生产HBM需要额外投资，公司正在“调查在日本和美国等其他国家生产产品的可能性”。在为新的芯片生产基地选址时，崔泰源强调清洁能源采购是满足客户对整个供应链去碳化需求的最重要因素。SK海力士于2013年成为全球首家开发出HBM芯片的公司，目前在该领域保持着领军地位。今年5月早些时候，SK海力士CEO郭鲁正在新闻发布会上表示，到2025年为止，该公司的HBM芯片产能几乎已被预订一空。崔泰源会长表示，作为全球第二大存储器芯片制造商，其目标是加强与日本芯片制造设备制造商和芯片材料供应商的联系，以生产最先进的芯片。为此，该公司将考虑增加在日本的投资，并在日本开设一个新的研发基地。SK海力士还在考虑投资其在邻国的关联公司，其中可能包括日本存储制造商铠侠。SK海力士通过一家投资公司持有铠侠34%的股份。两家公司已经开始技术合作。“作为投资者，我们希望铠侠能够发展壮大。我们将探索进一步合作的新机遇。”崔泰源说。在韩国，SK海力士已拨出总计20万亿韩元（约合146亿美元）的专款，在忠清北道一处原本用于建设NAND闪存工厂的场地上新建一座存储芯片制造厂，以提高HBM的产量。崔泰源补充说，虽然中美紧张局势增加了地缘政治风险，但SK海力士在中国设有半导体工厂，并计划在可预见的未来继续保持在中国的业务。 ... PC版： 手机版：