韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险 三位知情人士表示,SK 海力士 的生产计划要求公司以荷兰艾司摩尔(ASML)的最新极紫外光(EUV)微影技术的芯片制造机为无锡厂的一个量产设施进行升级。 无锡这家工厂对全球电子行业至关重要,因其生产SK海力士约半数的动态随机存取记忆体芯片,占全球总量的15%。 一位了解SK海力士在中国运营情况的消息人士说,随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额,该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。 美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。 ()

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消息人士说,SK海力士计划引进荷兰阿斯麦尔EUV光刻机,升级无锡的内存工厂,但忧虑或因出口管制受阻;海力士CEO今年7月曾赴华盛顿与美官员讨论有关问题。 无锡厂目前生产海力士的约半数内存芯片,占全球总产能的15%。 阿斯麦尔发言人表示,将遵守出口管制法律,但过度使用出口管制可能影响企业产能、并加剧芯片供应链问题。 (路透社)

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SK海力士子公司向中企出售无锡晶圆代工厂近半股份 韩国芯片巨头SK海力士旗下晶圆代工子公司SK海力士系统集成电路将把其无锡法人的近半股份转让给中国企业。据韩国金融监督院电子公示系统8日消息,SK海力士系统集成电路决定以2054亿韩元(约合人民币11亿元)的价格向无锡产业发展集团有限公司(简称无锡产业集团)出售其无锡法人21.33%的股份。无锡产业集团还将以参与有偿增资的方式追加确保无锡法人28.6%的股份,由此与SK海力士系统集成电路各持该公司49.9%和50.1%的股份。SK海力士系统集成电路无锡法人成立于2018年,目前在无锡运营晶圆代工厂。

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SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂 当天,SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉,该芯片工厂将以下一代高带宽内存(HBM)芯片生产线为中心,这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月,SK海力士开始批量生产用于人工智能(AI)服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商,SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%,市值也轻松突破了1000亿美元,使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前,SK海力士承诺,将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂,向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示,最新的合作协议是此前承诺的一部分,公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步,先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%,这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称:“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片,新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位,为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长Eric Holcomb表示:“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近,该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州,该州有一个新兴的芯片产业,台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示,考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施,以及普渡大学的优秀人才等,最终选择了印第安纳州。 ... PC版: 手机版:

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SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示,将在美国西拉斐特市建设首个工厂,并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线,这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时,SK 集团董事长崔泰源表示,该企业将拨出大约150亿美元,在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示,周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款,该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

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