据塔斯社报道，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长表示，可确保生产 350 纳米工艺的芯片。

据塔斯社报道，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长表示，可确保生产 350 纳米工艺的芯片。俄罗斯接下来的目标是在 2026 年制造可以支持 130nm 工艺的光刻机。

俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试 可生产350纳米工艺芯片

俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试 可生产350纳米工艺芯片 什帕克告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”在全球范围内，这种复杂程度的设备由几家主要公司组装，其中最大的是荷兰的 ASML 公司以及佳能和尼康。目前，台积电和三星利用ASML的EUV光刻技术，已经能够生产出精细至3纳米甚至2纳米的芯片。尽管350纳米的芯片技术相较之下显得落后，但它在汽车、能源和电信等诸多行业中仍有着应用价值。对于受到美西方严厉制裁的俄罗斯半导体产业而言，这一进展无疑是一则喜讯。这意味着，俄罗斯在自主发展半导体技术的道路上取得了突破，有望减少对外部技术的依赖，提升国内产业的自主性和竞争力。 ... PC版： 手机版：

俄罗斯首台光刻机 真的制造成功了？

俄罗斯首台光刻机 真的制造成功了？ 当时，IPF RAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024 年将创建一台“Alpha机器”，2026创建"测试机"，2026年～2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。时隔两年，俄罗斯所说的真的实现了首台光刻机正式制造成功并进入测试。有实际意义的突破据塔斯社报道，俄罗斯第一台能够生产最大350nm（行业一般说0.35μm）尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示，“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。去年10月有报道称，第一台俄罗斯国产130nm光刻机原型可能在2026年之前问世。再下一步，将是开发90nm光刻机。他说："我们将继续逐步向90nm及以下迈进。因此，俄罗斯不会止步于此，同时已经在实施一项全面的电子工程项目。尽管350nm的芯片虽然被认为是大尺寸芯片，但仍具备一定实际的意义，可用于许多行业，包括汽车行业、能源和电信行业。欧盟此前在俄罗斯武器上发现大量民用芯片，包括洗衣机，洗碗机等家电用具，这也是无奈之举。而接下来，或许俄罗斯可以进而实现“洗衣机芯片”自由。网友也给出了俄罗斯未来的路线：优化一下，就能180nm，看产出，每小时出几片，套准精度3-sigma 多少纳米。加上double pattern，其他指标ok，就能90nm，65nm也有机会了。光源改进一下，i-line换ArF 193纳米，不就进28nm了吗？不过，目前还不太清楚俄罗斯所说的350nm（0.35μm）光刻机是哪种类型光刻机，此前俄媒曾提到过基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机，而从目前来看350nm（0.35μm）的波段达到i线（365nm）。各个工艺节点和光刻技术的关，图源丨中泰证券350nm芯片，什么水平历史上，350nm（0.35μm）诞生于1995年，现在依然拥有产品应用，主要是一些不太刚需制程的特色工艺产品，比如模拟芯片、功率半导体、传感器或者低端MCU、军工产品。除此之外，其应用可能还包括各类FPV和“自杀小摩托”这些属于一次性用品，使用时间比较短。作为对比，半导体制程工艺发展史简单总结如下：1971年，10μm工艺是当时最高工艺，代表芯片是Intel 1103 DRAM、4004 CPU（1971）、8008 CPU（1972）;1974年，步入6μm工艺，大名鼎鼎的Intel 8080便采用这一制程；1977年，3μm工艺开启元年，从此x86处理器Intel 8086（含8085、8088）正式诞生；1982年 1.5μm工艺用在Intel 80286上，1985年 1μm工艺用在Intel 80386上，1989年，0.8μm工艺用在Intel 80486上；1995年，0.35μm（也就是350nm）工艺开启元年，Pentium P54CS、IBM P2SC（1996）、IBM POWER3（1998）都采用了这一工艺；1997年，主节点为0.25μm工艺，开始引入国际半导体技术路线图（ITRS）主节点和半节点定义，即：1998年半节点220nm工艺，1999年主节点0.18μm工艺（180nm），2000年半节点150nm工艺；2001年，130nm是当时的主节点，典型芯片是130nm的奔腾3处理器，2002年半节点为110nm工艺；2004年，步入90nm元年，英特尔、英飞凌、德州仪器、IBM、联电和台积电基本都能达到90nm，典型芯片包括90nm的奔腾4处理器；2012年，制程步入22nm阶段，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等厂商都具备生产能力；2015年联电止步于14nm，2017年英特尔卡在了10nm，2018年格芯放弃7nm，此时先进制程的战场只剩下台积电和三星；2019年6nm量产导入，2020工艺5nm开始量产，而国内也开始量产14nm芯片；2024年，随着英特尔开始重新重视制程技术，英特尔、台积电、三星正在争夺2nm的先发地位。当然，毕竟350nm（0.35μm）芯片性能较差，面对现代比较复杂的应用需求，使用过程中芯片热量会急剧增加，从而继续带来更大的性能损耗，因此在数字芯片中更多可能是将就用，比较追求性能的消费产品可能更是无法使用。难点还有很多当然，芯片制造也不是说有了光刻机就行了。《光刻技术六十年》中写道，在芯片制造的全流程中，整个过程涉及几十道光刻工艺，每一道光刻工艺之后紧接着是众多复杂的半导体IC平面加工工艺。这些工艺中的每一道又细分成多道工序，而每一道工序又由多个步骤组成，每一步骤都至关重要，不容有失。这有多难？就比如，看似最简单的基片表面处理和清洗步骤，也需要重复多次，其中一步出了问题，整个IC制造过程就全部报废。因此，每一步骤出问题的可能性被严格控制在0.000001%以下。由于每一步骤都是在前一步的基础上进行的，最终成品率是每一步成功率的乘积。若整个流程包含超过两千个步骤，即使每一步都能达到99%的成功率，最终生产出来的成品率也只有0。因此在芯片制造技术中，好的设备很关键，尤其是需要高精度的光刻机，但有了好的工艺设备后，人才是最关键的。在芯片制造技术中，最难的在于如何建立一个能够齐心协力的团队，这需要整个公司上上下下所有人都是最敬业的。世界上没有任何一个人为制造出来的东西，可以像芯片这样要求百分之百精准度。3月，Tomshardware就曾报道，受欧美制裁影响，俄罗斯本土最大芯片设计厂商贝加尔电子芯片制造只能更多的交由国内厂商，当地的芯片封装合作厂商的生产良率仅有50%。注意，这里并非生产良率，而是封装良率。如果晶圆制造厂、Foundry厂和封测厂三个站点的良率均为99%，则：总良率=99% X99% X 99%= 97%。所以，50%的封装良率切实影响着俄罗斯的芯片生产，因此，俄罗斯要突破的还有很多。最后还是要说，不要轻易取笑，毕竟有志者事竟成。而从从技术角度来看，俄罗斯也是在重新发明轮子。付斌丨作者 ... PC版： 手机版：

俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机

俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机 俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。 该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。 Tom's Hardware-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机 不过，张江集团之后对文章进行了修改，目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述，改为：“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子致力研制先进的光刻机。”

俄罗斯终于有了光刻机 技术却落后30年

俄罗斯终于有了光刻机 技术却落后30年 还有说制程遥遥领先台积电一百多倍的。其实吧，这倒也不怪网友们阴阳怪气，毕竟费老大劲，整出来一个 350 纳米光刻机，确实有那么点 “ 落伍 ” 。大家可能对这话没有概念，这么说吧， 350 纳米制程是 95 年出现的，当时用在第一代奔腾处理器上，晶体管数 350 万。现在打开微信都卡的 iPhone5s ，上面用的 A7 处理器都已经是 28 纳米了，晶体管数也在 10 亿以上。甚至就连现在的小天才儿童电话手表，用的都是 4 纳米制程的处理器。更乐的是，几年前俄罗斯还宣称 2028 年要量产 7 纳米芯片，眼下这进度，距离那年的豪言壮语，着实还有点距离。而且，不是硬要泼冷水，就算这次他们真搞出来了光刻机，距离真正搞定芯片，还只是前进了一小步而已。因为芯片制造这种高精度的系统工程，除了几十道光刻工艺之外，每道工艺之后还有复杂的平面加工，每一个加工步骤又能分成更多细节的工序和步骤，整套流程下来的步骤数以千计。行业内，对每个步骤都要严格控制，出问题的概率必须在 0.000001% 以下。因为造芯片就好像把几千个高脚杯叠起来，哪怕其中有一个叠歪了，整个系统也会崩塌，产品全部报废。而俄罗斯现在，仅仅解决了 350 纳米光刻机的问题，配套的产业链，工人，工艺工程师的培养，全都还是未知数。今年 3 月，外媒体 Tom's Hardware 就有报道指出，俄罗斯最大的芯片厂贝加尔，已经把大量芯片制造订单交给中国，因为本地厂商的生产良率只有 50% 。看到这，有朋友就会问了，那俄罗斯为啥不把芯片全部交给中国做呢？毕竟 350 纳米、 90 纳米这种芯片，国内早就能做了。觉得，西方的制裁是一方面，另一方面，大伙们可能小看了斯拉夫人对掌握核心科技，特别是芯片的执念。要知道早在赫鲁晓夫时代，苏联国家无线电电子委员会，就打算在莫斯科附近，建立一座名为泽列诺格勒的城市，意为绿色城市的苏联版硅谷。技术人员向赫鲁晓夫宣传泽列诺格勒。右图戴帽子的为泽列诺格勒之父肖金无数的克格勃特工，也为了苏维埃的半导体工业，从美国西欧 “ 搬运 ” 来了大量晶体管、芯片设计制造的技术，也整来了不少光刻、蚀刻、测试、封装设备等等。但不久后，克格勃高级官员泄密，美国加强了对苏联的技术封锁，还抓捕了大量技术间谍。即便如此，科学家们也仍然做出来一些成果，比如用通用逻辑阵列开发的 80486 兼容机， FPGA 开发的关键 EDA 软件也已经进入测试，但此时已经到八十年代末期，不久后苏维埃共和国就解体了。到了俄罗斯联邦时代，一些半导体公司确实继承了苏联的科技树，但在西方的封锁和制裁面前，确实很难顶得住。而俄乌战争后，制裁进一步扩大，上面提到的贝加尔公司，在 2022 年几乎失去了制造芯片的能力，其母公司也在当年年底破产。国家剧变，技术封禁，人才流失，在这种环境中还能坚持下去的精神，怎么说呢，两个字，顽强。就像工业和贸易部副部长 Vasily Shpak 接受采访时所说， “ 一个简单的逻辑，如果没有半导体主权，那就没有技术主权。 ”除了技术上的执念，咱可别忘了俄乌冲突可还没结束呢，在西方的制裁下，彭博社猜测：为了制造武器，俄罗斯甚至已经到了拆卸家用电器芯片，来做导弹的地步了。路透社也报道称，乌克兰军方在战场上拆开俄军导弹一看，发现里面用了不少普通计算机，和其他常用电子消费品芯片，这些大部分还都是西方出口过去的。这新闻一出，不少西方企业立马关闭了在俄罗斯的所有业务，并且要求经销商停止向俄罗斯发货。俄军 “ 口径 ”M 巡航导弹中，发现了常用的家用电器芯片。面对近在眼前的缺芯难题，俄罗斯也疯狂扶持本土的芯片制造产业，光今年，在半导体产业上就投资了 23.9 亿美元。这种费了大力气扶持的希望也终于看到了成效，从苏联到俄联邦，历经几代人，终于制成的 350 纳米光刻机，在泽列诺格勒（ 当年的苏联硅谷 ）的工厂里诞生。虽然网友们不觉得有啥先进的，但他们倒也还算按部就班，毕竟 350 纳米光刻机现在已经在量产测试了，照 Vasily Shpak 的说法， 2026 年预计到 130 纳米，然后进步到 90 纳米。然是 30 年前的水平，但你就说做没做出来吧。总的来说，技术确实是落后了点，但有也比没有强，最起码眼下也能应急，像俄罗斯火箭军的主力装备，伊斯坎德尔导弹系统，用的就是 350 纳米芯片。最后，对俄罗斯来说，这次的光刻机突破还是有实际意义的，而且也算圆了点从苏联时代以来，俄罗斯人对半导体独立的心愿。至于 2028 年能否真的实现 7 纳米，咱还是等等看吧。 ... PC版： 手机版：