中美 AI 芯片竞争美国限制芯片出口正在扼杀中国在关键技术领域的进步。过去两年，生成式 AI 技术的发展推动了对 AI 芯片的高

中美 AI 芯片竞争 美国限制芯片出口正在扼杀中国在关键技术领域的进步。过去两年，生成式 AI 技术的发展推动了对 AI 芯片的高涨需求。而英伟达和 AMD 帮助美国在 AI 芯片领域占据了绝对的领先地位。然而美国限制了对华出口特定计算性能以上的 AI 芯片。清华大学的电机工程师 Yu Wang 说，我们无法获得高端英伟达芯片，也无法制造高端芯片。台积电等代工厂只允许为大陆制造低端芯片，因此中国只能在自己境内制造高性能芯片。加州圣何塞的工程师 Ahmed Banafa 表示，中国在 AI 芯片上落后美国 5-10 年。华为正在开发自己的 AI 芯片，但制造芯片的最先进技术只有 7 纳米，而台积电三星等公司已经转向 3 纳米甚至 2 纳米技术。AI 投资基金 Leonis Capital 的合伙人 Jenny Shaw 表示，中国已经出现了高端芯片的黑市，如果你想要购买 5000 个芯片，这很难不会引起注意。但如果你是一家小型创业公司，那么禁令不会影响你。在 AI 领域缺乏竞争力可能会加剧人才的流失。来源 ， 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争 该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASML High NA EUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML 认为“在可预见的未来”，其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备公司 SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33 NA（数值孔径） EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现，但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。 ... PC版： 手机版：

【华立科技：将围绕主营业务 加大在VR、AR技术领域的游戏游艺设备研发力度】

【华立科技：将围绕主营业务 加大在VR、AR技术领域的游戏游艺设备研发力度】 2月13日消息，华立科技在互动平台表示，目前全球“元宇宙”产业的发展还处于探索发展阶段，公司重视VR、AR等虚拟现实技术与游戏游艺设备融合发展，使公司在“元宇宙”游戏等虚拟场景和游乐体验中具有一定的先发优势。公司将围绕主营业务，加大在VR、AR技术领域的游戏游艺设备研发力度，VR、AR等虚拟现实技术实现数字世界和真实世界相关应用场景的探索。

美印发表联合声明 拟在芯片等技术领域展开合作

美印发表联合声明 拟在芯片等技术领域展开合作 美国和印度在新德里举行国家安全顾问会议后发表联合声明称，两国将保持推进在芯片、人工智能（AI）和太空等战略领域的合作。 彭博社报道，美国国家安全顾问沙利文与印度国家安全顾问多瓦尔（Ajit Doval）星期一（6月17日）会晤后发表了联合声明，两人一同主持了美印关键和新兴技术倡议会议。 据白宫发表的联合声明，双方讨论了在太空、先进电信、生物技术等领域的民用和国防技术合作，印度计划采购MQ-9B军用无人机平台、以及可能共同生产的陆战系统。 这项于2023年启动的技术倡议，为美印两国在敏感技术的民用与国防应用，提供了合作方向，也是美国借助印度制衡中国而进行的更广泛合作中的一部分。 印度外交部则表明，在为期两天的访问中，沙利文还会与印度总理莫迪会晤，并向他介绍了包括敏感技术在内的多个合作领域。 会议结束后，莫迪在X平台发文称，印度致力于加强与美国的合作以“造福于全球”。 2024年6月18日 4:46 PM

【资料】《DeepSeek_V3 技术报告》|简介：聚焦于前沿技术领域，详细阐述 DeepSeek_V3 的技术架构、原理及应用

【资料】《DeepSeek_V3 技术报告》|简介：聚焦于前沿技术领域，详细阐述 DeepSeek_V3 的技术架构、原理及应用场景等关键信息。对于科研人员、技术从业者，能助力深入了解其技术优势与创新之处，在人工智能等相关领域的研究与开发中提供重要参考，推动技术发展与应用实践。|标签：#DeepSeek_V3#技术报告#人工智能|文件大小：NG|链接：

重庆：到 2025 年形成满足高度自动驾驶要求的智能网联技术体系 关键技术领域的本地支撑能力超过 80%

重庆：到 2025 年形成满足高度自动驾驶要求的智能网联技术体系 关键技术领域的本地支撑能力超过 80% 重庆市人民政府办公厅发布《重庆市自动驾驶和车联网创新应用行动计划（20222025 年）》。到 2025 年，全市自动驾驶和车联网创新能力进一步提升，建成全国领先的智能网联生态，打造以基础平台支撑产业发展的高质量样板，在全国率先开展规模化、多场景示范应用，基于车路云一体化的感知、决策、控制等服务在示范区域实现全覆盖。有条件自动驾驶汽车实现量产和规模化应用，形成满足高度自动驾驶要求的智能网联技术体系，关键技术领域的本地支撑能力超过 80%，在国内率先建成适配更多车企和通信设备企业产品的 CV2X 网络。