SSD供不应求 供应商涨势猛烈

SSD供不应求 供应商涨势猛烈 近期，市场传NAND Flash产品企业级固态硬盘 （SSD） 陷入短缺。对此业界认为，主要是由于AI热潮加上全球科技巨头大举建设数据中心，带动存储设备需求大幅增长，导致SSD供不应求。在此之下，存储大厂开始有所动作。三星调涨企业级SSD售价过去两周，业界传企业级SSD陷入短缺，存储大厂三星拟将大幅调高企业级SSD售价25%。据BusinessKorea4月2日报道，传三星预料第二季调涨企业级SSD报价20%~25%，扭转2023年恶劣的下降趋势。三星原先计划比上季度提价约15%，但需求超出预期，让三星决定扩大涨幅。三星企业级SSD占据约一半的市场份额，对价格决策有重大影响力。据TrendForce集邦咨询3月7日研究显示，在2023年第四季度Enterprise SSD市场中，三星以41.7%的市占率占据全球第一，其次是SK集团（33.2%）、美光（10.8%）、铠侠（9.4%）、西部数据（4.9%）。值得一提是，5家厂商同时也是全球前五大NAND闪存巨头。原厂不仅生产NAND Flash闪存颗粒，还研发主控芯片以及生产企业级SSD成品。据此前全球半导体观察统计，主控芯片领域主要有两大阵营，一是上述原厂，基本不对外出售主控芯片，不过美光的主控芯片则既用于自有产品，也出售给其他厂商；二是IC设计类主控厂商，代表企业包括美满（Marvell）、慧荣及群联电子（Phison）等。Marvell是主控芯片先驱，长期占据高端市场，支持在企业和超大规模数据中心环境中使用高性能和大容量的SSD。慧荣、群联主控厂商则通过性价比优势在企业级SSD市场立足。供应端方面，主控芯片供应商慧荣科技总经理苟嘉章此前表示，NAND Flash第二季价格都已谈完，会涨价20%；第一季部分供应商开始获利，第二季后会让多数供应商赚钱。另据TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。其中，受惠于北美及中国云端服务业者（CSP）需求上升，预期今年上半年Enterprise SSD采购量将会逐季成长。由于大容量SSD订单达交率（Order Fill Rate；OFR）偏低，供应商依旧主导价格走势，故买方被迫接受供应商价格可能性升高。同时，部分买方仍试图在下半年旺季前提高库存水位，因此，预估第二季Enterprise SSD合约价季增20~25%，涨幅为全线产品最高。消费级SSD价格续涨与此同时，消费级SSD也传来动静。从批发价上看，根据报道，1~3月SSD指标性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台28.5美元左右，较前一季（2023年10~12月）上涨12%，容量较大的512GB价格为每台53.5美元，较前一季上涨10%，价格皆为连两季呈现扬升，增幅较前一季上涨约9%呈现扩大。SSD批发价为存储器厂商和买家每一季敲定一次。针对原厂为了获利而提出的涨价要求，大多买家表示接受。其中，据某家PC厂采购负责人表示，因为各家存储器厂商陷入亏损，涨价可理解。2023年第四季度以来市场需求提升，配合NAND闪存芯片制造商的减产策略，SSD价格开始爬升，在较短时间内就有了不小的涨幅。针对SSD的涨势，群联电子潘健成于3月中旬曾发出警告称，SSD进一步的上涨可能导致需求减少，NAND闪存芯片制造商应该努力增加产量来满足市场的需求，而不是通过减产让市场需求超过供应量。群联电子认为，存储设备作为构建PC的必须品，如果价格过高，在全球经济不太景气的大环境下，可能打断PC市场的复苏节奏，让需求再次萎缩，最终将阻碍NAND闪存行业发展。下游厂商抢购SSD 业界呼吁供应跟上需求随着英伟达和特斯拉等全球大型科技公司加速扩张人工智能，市场对存储设备需求大幅提升，Dell Technologies和Hewlett Packard Enterprise（HPE） 等主要服务器公司都竞相抢购SSD。业界人士表示，服务器业者为了扩充存储容量，最近紧急下单，部分产品甚至面临短缺，促使业界考虑增产。从原厂动态来看，据外媒《THE ELEC》3月中旬报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。去年下半年，三星将该厂的开工率降低到了20~30%。这是该晶圆厂自2022年底存储芯片价格和需求开始下滑以来的最低点。NAND Flash大厂铠侠将调整2022年开始的NAND Flash减产，提高产量。铠侠预计到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于需求。3月27日，美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房破土动工。新厂房预计将于2025年下半年投产，后续根据市场需求逐步投产，落成后，西安工厂总面积将超过13.2万平方米。美光于2023年6月宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。据TrendForce集邦咨询3月19日研究表示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%。此外，在制程方面，2024年随着NAND Flash价格反转，供应商的库存水位也开始逐步降低，为了维持长期成本竞争优势，供应商也开始升级制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最积极，预估两家业者于今年第四季时，200层以上制程产出将超过四成。铠侠和西部数据2024年产出重心仍为112层，而受惠于日本政府补助支持，预计今年下半年将开始移入设备，增加218层产出，预估2025年218层产出更为积极。根据铠侠目前的制程研发规划，为了达成更佳成本结构，并寄望能在技术及成本上重回领先地位，218层之后产品将直接迈入300层以上制程。 ... PC版： 手机版：

消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%，年内维持约 50% 规模上限

消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%，年内维持约 50% 规模上限 而目前三星内部对二至四季度的晶圆投片量均设下了 120 万片的红线，这意味着整体产能利用率维持在 50% 左右。 2024-02-23 2023-11-02 2023-10-24 2023-10-06 2023-08-18 2023-06-08 2022-12-20

【国际证监会组织确认在本季度就加密货币的监管展开磋商】

【国际证监会组织确认在本季度就加密货币的监管展开磋商】 国际证监会组织（IOSCO）确认计划在本季度（第二季度）就加密货币和数字资产的监管展开磋商，并在年底前提交最终报告。另一个工作组专注于 DeFi 监管，其咨询计划于今年第三季度进行，并在年底前提交最终报告。该时间是 IOSCO 2023/24 工作计划的一部分。

英伟达预计本季度显卡销售额将低于预期

英伟达预计本季度显卡销售额将低于预期 图形芯片制造商 Nvidia 给出了一个较低的销售前景预期，理由是中国的供应链中断和俄罗斯的业务减少，它公布了最近一个季度的销售记录。 Nvidia表示，本季度的销售额可能为81亿美元，低于华尔街的预测。该公司说，它预计与俄罗斯和中国的Covid-19封锁有关的销售额将受到大约5亿美元的损失。 Nvidia在第一财季向为互联网提供动力的大型服务器群销售芯片该公司的硬件在快速增长的人工智能应用中表现出色增加了83%，达到37.5亿美元。 自Nvidia于2016年开始报告数据中心业绩以来，这些销售额第二次超过了其面向电子游戏玩家的图形处理器的收入，后者为36.2亿美元。 总的来说，Nvidia报告了82.9亿美元的收入，比去年同期增长了46%，创下了美国最大芯片公司市值的记录。净收入为16.2亿美元。在FactSet对分析师的调查中，销售额超过了预期，但净收入低于预期 华尔街日报

瑞银预计，随着库存减少，原油价格本季度可能升至每桶 90 美元。策略师 Giovanni Staunovo 表示，由于需求强劲、

瑞银预计，随着库存减少，原油价格本季度可能升至每桶 90 美元。策略师 Giovanni Staunovo 表示，由于需求强劲、供应增长受限，石油库存开始下降，投资者已开始再次增加石油敞口。该行预计，随着 OPEC + 本季度继续减产，未来几周 “石油库存降幅将加大”。OPEC 原油出口量在 6 月下降，本月可能保持低位。今年原油需求将增长 150 万桶 / 日。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：