台积电披露2纳米制程研发最新进展 量产有望在2025年实现

台积电披露2纳米制程研发最新进展 量产有望在2025年实现 台积电的 2 纳米工艺节点技术被认为是下一个半导体奇迹，因为它将带来巨大的性能提升和能源节省。苹果和英特尔等公司已经将目光瞄准了台积电的 2 纳米工艺，希望将其集成到主流产品中。因此，台积电在 2024 年研讨会上澄清了 2 纳米工艺的发展情况，声称该节点正在按照既定计划推进，所获得的良品率令人满意，可以大规模采用。台积电透露，他们的 N2 工艺计划已步入正轨，下一步将开发 N2P 工艺，这表明 2 纳米工艺阵容已茁壮成长。在良品率方面，该公司透露，他们在 2 纳米工艺中采用的 GAA（Gate-All-Around）技术已成功实现了 90% 的目标性能，相关的 256 Mb SRAM 器件的良品率也达到了 80%。关于 2nm 工艺的一些细节，据说苹果公司被视为该公司节点的大客户，因为就在最近，这家巨头的首席运营官杰夫-威廉姆斯（Jeff Williams）访问了台湾，以确保后续的先进产品供应。据悉，该标准的首次亮相将是苹果用于 Mac 和未来 iPad 机型的 M5 芯片，以及 A19 Pro，据说将在 iPhone 17 机型上首次亮相。除此之外，英特尔已表示有意将该工艺整合到其未来的 Nova Lake CPU 阵容中，因此总体而言，台积电的 2nm 工艺有望得到广泛采用。由于三星等竞争对手仍未提供各自 2nm 产品的最新信息，因此这次台积电似乎也成功地在 N2 产品线上取得了优势。 ... PC版： 手机版：

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺，将于2025年量产。 #抽屉IT

联发科采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片，预计 2024 年量产

联发科采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片，预计 2024 年量产 联发科与台积公司今日共同宣布，联发科首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。 台积公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程，台积公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %，在相同功耗下速度提升 18 %，或者在相同速度下功耗降低 32%。 联发科一直基于业界领先的制程工艺打造Dimensity 天玑旗舰芯片，满足用户需求。联发科首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片 节点尺寸的缩小相当于晶体管尺寸的缩小，因此相同体积的处理器上可以安装更多的晶体管，从而提高运算能力并带来更低的功耗。今年，苹果公司的 iPhone 和 Mac 采用了 3 纳米芯片。iPhone 15 Pro机型中的 A17Pro芯片和 Mac 中的 M3 系列芯片都是基于 3 纳米节点制造的，是之前 5 纳米节点的升级版。从 5 纳米技术跃升到 3 纳米技术，iPhone 的 GPU 速度显著提高了 20%，CPU 速度提高了 10%，神经引擎速度提高了 2 倍，Mac 也有类似的改进。台积电正在兴建两座新工厂，以满足 2 纳米芯片生产的需要，并正在审批第三座工厂。台积电通常在需要提高产能以处理大量芯片订单时才会建造新的工厂，台积电正在为 2 纳米技术进行大规模扩建。在向 2 纳米技术过渡的过程中，台积电将采用带有纳米片的 GAAFET（全栅场效应晶体管），而不是 FinFET，因此制造工艺将更加复杂。GAAFET 能以更小的晶体管尺寸和更低的工作电压实现更快的速度。台积电正花费数十亿美元进行改造，苹果公司也需要改变芯片设计以适应新技术。苹果是台积电的主要客户，通常也是最先获得台积电新芯片的客户。例如，苹果在 2023 年收购了台积电所有的 3 纳米芯片用于 iPhone、iPad 和 Mac。在 3 纳米和 2 纳米节点之间，台积电将推出几款新的 3 纳米改进产品。台积电已经推出了增强型 3 纳米工艺的 N3E 和 N3P 芯片，还有其他正在开发的芯片，如用于高性能计算的 N3X 和用于汽车应用的 N3AE。有传言称，台积电已经开始研发更先进的 1.4 纳米芯片，预计最快将于 2027 年面世。据说苹果公司希望台积电为其独家保留 1.4 纳米和 1 纳米技术的初始制造能力。 ... PC版： 手机版：

台积电3纳米制程占据领先地位 主导涨价潮

台积电3纳米制程占据领先地位 主导涨价潮 半导体业内人士表示，积电3纳米鳍式场效电晶体 (FinFET) 制程享有主导地位，由于产能供不应求，上游 IC 设计公司开始传出涨价消息。高通骁龙 8 Gen 4 以台积电 N3E 打造，据传，已率先开始涨价。供应链坦言，原本手机芯片的采购成本就已经很高，去年旗舰款 8 Gen 3 的采购价格大约在200美元左右，今年旗舰芯片或将超过250美元。但业界也指出，涨价幅度合理，因为相较5纳米，3纳米每片晶圆成本价格大约就贵了25％，这个涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。

六大客户订单加持 台积电3纳米旺到年底

六大客户订单加持 台积电3纳米旺到年底 AI、HPC需求目前正快速高涨，当中又以英伟达的HPC芯片投片力道最为强劲，当中新产品B100将会采用台积电3纳米制程。其他与如苹果、英特尔、联发科及高通等大客户将会因应AI高算力需求打造智能手机、PC等运算芯片，在台积电3纳米制程先后在上下半年逐步加大投片力道，成为台积电今年3纳米家族需求强劲的关键。台积电为了因应客户需求，已经决议将会在今年大举扩增3纳米制程产能。业界推估，台积电3纳米制程产能今年年底前将可望达到月产能10万片规模，相比2023年的6万片将近达到翻倍水准，主要扩产厂区将会落在位在南科的Fab 18厂。据了解，台积电3纳米家族是继5纳米后需求最为强劲的先进制程节点，目前已经量产包含N3、N3E，未来将会陆续导入N3P、N3X及锁定车用电子市场的N3AE等制程，成为台积电在今年营收成长的主要动能。法人指出，台积电去年开始量产3纳米制程后，随着良率逐步拉升，今年良率至少有80%以上水准，且随着六大客户今年陆续开始大量投片台积电3纳米制程，将可望使台积电在3纳米制程的产能利用率冲上80%以上，使产能有望一路旺到年底。根据台积电在近期法说会中释出的讯息指出，3纳米制程营收在去年下半年进入量产后，占整体营收比重已经达到6%，预期今年将可望达14～16%，代表相关营收将会三级跳。总裁魏哲家当时更在法说会上指出，几乎全世界所有智能手机、AI及HPC等相关客户都跟台积电3纳米制程合作，显示台积电具备业界最领先技术。 ... PC版： 手机版：