SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破 良品率已达56.1%

SK海力士5层堆叠3DDRAM新突破良品率已达56.1%SK海力士透露，目前其5层堆叠的3DDRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3DDRAM单元，其中超过一半（即561个）为良品，可用于实际应用。此外，SK海力士的实验性3DDRAM在性能上已展现出与现有2DDRAM相媲美的特性。尽管3DDRAM技术拥有巨大的市场潜力和技术优势，但SK海力士也坦诚地指出，在实现商业化之前，仍需进行大量的技术验证和优化工作。值得一提的是，与2DDRAM的稳定运行不同，3DDRAM在性能上还存在一定的不稳定性。因此，SK海力士认为，要达到广泛应用的目标，需要进一步提升3DDRAM的堆叠层数，实现32层至192层堆叠的存储单元。这一目标的实现，将极大地推动3DDRAM技术的商业化进程。在当前的DRAM市场中，三星、SK海力士和美光等少数几家主要参与者依然占据主导地位，共同占据了全球市场份额的96%以上。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436079.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436079.htm

消息称 SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率已达 56.1%

消息称SK海力士5层堆叠3DDRAM制造良率已达56.1%SK海力士报告称，其5层堆叠的3DDRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3DDRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3DDRAM显示出与目前使用的2DDRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其3DDRAM开发的具体数字和特性。

SK 海力士 砸43亿美元！向 ASML 采购 EUV

SK海力士砸43亿美元！向ASML采购EUVhttps://ctee.com.tw/news/tech/420977.html该公司在本月初宣布其位于南韩利川市的M16新厂已经竣工，未来将引进EUV设备生产记忆体。根据外电报导，SKHynix斥资35兆韩元打造这座技术尖端的新厂，该厂并成为其规模最大的工厂。报导亦指出，这座M16新厂已经完成第一条EUV生产线的装设，预计将于今年下半年开始量产第四代10奈米DRAM记忆体。#产业观察#DRAM#ASML#EUV#SKHynix

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——