消息称 SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率已达 56.1%

消息称SK海力士5层堆叠3DDRAM制造良率已达56.1%SK海力士报告称，其5层堆叠的3DDRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3DDRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3DDRAM显示出与目前使用的2DDRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其3DDRAM开发的具体数字和特性。

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”

SK 海力士将推出 PE8110 E1.S 企业级 SSD，使用 128 层堆叠 NAND 颗粒

SK海力士将推出PE8110E1.S企业级SSD，使用128层堆叠NAND颗粒https://www.ithome.com/0/546/296.htmPE8110E1.S固态硬盘将采用海力士自家的128层堆叠NAND颗粒制造，能够将写入性能提升88%，读取性能提升83%。海力士上一代企业级SSD型号为PE6110，是基于96层堆叠NAND闪存颗粒制造的。数据恢复=做梦

SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足

SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成下半年整体内存供应可能面临不足SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。

消息称 SK 海力士将在 1c DRAM 生产中采用新型 Inpria MOR 光刻胶

消息称SK海力士将在1cDRAM生产中采用新型InpriaMOR光刻胶SK海力士计划在第6代（1c工艺约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称，SK海力士量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层，其中一层将使用MOR绘制。他还补充说，不仅SK海力士，三星电子也将追求这类无机PR材料。(TheElec)

德邦证券：SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券：SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称，5月21日，SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链：赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。