记忆体回暖 Q4合约价看涨

记忆体回暖Q4合约价看涨https://www.chinatimes.com/newspapers/20231023000074-260202三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产，NANDFlash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，其中，NANDFlash回温速度优于预期，第四季价差持续收敛，预估本季产品平均单价涨幅为5～10％，有机会出现货价与合约价黄金交叉。就DRAM来看，DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，第四季合约价也看涨，三星已由第一季的减产20％，第三季减产25％，到近期宣布第四季将减产拉高至30％，策略明显奏效。

威刚斥资47亿元购总部启用 董座陈立白：记忆体产业明年将好一整年

威刚斥资47亿元购总部启用董座陈立白：记忆体产业明年将好一整年https://udn.com/news/story/7240/7613729展望产业市况，陈立白认为，第4季DRAM与NANDFlash记忆体合约价和现货价都已明确上扬，产业正向趋势可望延续至明年一整年，不仅看好明年记忆体本业将迈入久违的供不应求好光景，非记忆体领域的新事业群包括电动三轮车与电动车马达、电竞、工控等明年出货量也都可望逐季放大。预计明年营运绩效将可缴出比今年更亮眼的成绩单。

JEDEC 草拟 DDR6 记忆体规格

JEDEC草拟DDR6记忆体规格由DDR6-8800起跳2025年Q2规格确定https://www.hkepc.com/22423Synopsys公司透露了更多有关下代DDR6及LPDDR6记忆体的最新资讯，其中DDR6规模草案将会在2024年内公布，暂时JEDEC还未确定讯号标准是采用PAM还是NRZ，估计传输速度将会由DDR6-8800起跳、预计可达DDR6-17600甚至DDR6-21000，2025年Q2完成DDR61.0版本规范。———HBM家用得什么时候？

机构：2025 年 HBM 价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成

机构：2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（ConventionalDRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。吴雅婷指出，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。

市场需求持续，传三星与美光第一季调涨 DRAM 报价 15%~20%

市场需求持续，传三星与美光第一季调涨DRAM报价15%~20%https://finance.technews.tw/2024/01/03/samsung-and-micron-raise-dram-quotations-in-first-quarter/市场消息表示，预计2024年DRAM将会有一波上涨情况，原因在于先前DDR4库存过高，市场价格持续不振的情况目前已经趋缓。而供应商为了缩减少亏损，2024年上半将锁定DDR4及DDR5进行涨价。而在DDR3方面，目前因为产能及需求相对稳定，价格也会较DDR4及DDR5来得稳定。———涨价去库存

TrendForce：买方采购力道回温，DRAM第四季合约价跌幅明显收敛

TrendForce：买方采购力道回温，DRAM第四季合约价跌幅明显收敛https://press.trendforce.com.tw/press/20191111-3968.html根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，第四季DRAM均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约5%。10月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于2020年DRAM价格的止稳反弹。编辑注：DRAM的交期好像还是没缩短