JEDEC 草拟 DDR6 记忆体规格

JEDEC草拟DDR6记忆体规格由DDR6-8800起跳2025年Q2规格确定https://www.hkepc.com/22423Synopsys公司透露了更多有关下代DDR6及LPDDR6记忆体的最新资讯,其中DDR6规模草案将会在2024年内公布,暂时JEDEC还未确定讯号标准是采用PAM还是NRZ,估计传输速度将会由DDR6-8800起跳、预计可达DDR6-17600甚至DDR6-21000,2025年Q2完成DDR61.0版本规范。———HBM家用得什么时候?

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记忆体回暖Q4合约价看涨https://www.chinatimes.com/newspapers/20231023000074-260202三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产,NANDFlash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象,其中,NANDFlash回温速度优于预期,第四季价差持续收敛,预估本季产品平均单价涨幅为5~10%,有机会出现货价与合约价黄金交叉。就DRAM来看,DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨,第四季合约价也看涨,三星已由第一季的减产20%,第三季减产25%,到近期宣布第四季将减产拉高至30%,策略明显奏效。

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减产效应、记忆体价格逾2年来首扬DRAM涨11%https://www.moneydj.com/kmdj/news/newsviewer.aspx?a=4e2fd163-6bd4-4c65-af09-b07bd2ed87a2因记忆体厂商减产、库存过剩情况缓解,推升记忆体价格逾2年来首见上涨、其中11月份DRAM价格扬升11%。———NORFlash掀记忆体新涨价潮https://udn.com/news/story/7240/7662997NANDFlash、DRAM报价陆续止跌回升之后,NORFlash受惠于库存回补,尤其每台AI终端装置搭载的NORFlash容量以数倍爆发性增长,引领NORFlash接棒启动新一波记忆体涨价潮,预计下月起先涨5%,明年第2季再涨10%,华邦、旺宏等台厂受惠大。

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海关检800多部怀疑走私手机及电脑记忆体拘一人海关昨日在落马洲管制站侦破涉嫌利用中型货车走私的案件,检获195部怀疑走私手提电话及681件怀疑走私电脑记忆体,估计市值共约136万元。海关根据风险评估,在落马洲管制站截查一辆出境中型货车。经X光检验后,发现车底部分的影像有异,并在货斗底架框内发现怀疑走私手提电话及电脑记忆体。经调查后,海关拘捕54岁的怀疑涉案男司机,他现正保释候查。海关会继续透过风险评估和情报分析严厉执法,打撃跨境走私活动。2023-10-1717:05:56

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JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存:17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6我们已经看到LPDDR5(X/T)变体在一系列其他产品中的应用,最近的产品是LPCAMM2模块,由于其模块化外形尺寸小,并提供更高的容量和升级选项,它将彻底改变PC市场。关于对LPDDR6内存的预期,Synopsys将14.4Gbps的数据传输速率作为该标准的最高定义,入门速率为10.667Gbps。LPDDR6还将使用由两个12位子通道组成的24位宽通道,入门带宽可达每秒28GB,使用最快的14.4Gbps模式时,带宽可达每秒38.4GB。至于DDR6,据说该内存的初始草案将于今年制定,预计将于2025年第二季度发布v1.0规格。至于内存速度,DDR6内存标准将采用8.8Gbps的导入速度,最高可达17.6Gbps。预计DDR6将进一步扩展到21Gbps,这是一个非常高的带宽,在PAM信号标准中还提到了NRZ。目前,最快的DDR5内存DIMM的内存速度可达9000MT/s,我们已经看到超频速度超过11000MT/s,但DDR6内存甚至不需要超频就能轻松突破10KMT/s大关,超频速度可能超过20KMT/s。另一个值得关注的话题是CAMM2内存标准,美光、三星、SKhynix甚至中国制造商龙芯中科都采用了这一标准。CAMM2是下一代标准,它解决了传统SO-DIMM和DIMM内存的几个问题,如可升级性、可维修性、主板复杂性和功耗。它得到了内存供应商的广泛支持。目前,CAMM2基于DDR5、LPDDR5和LPDDR5X标准,容量高达256GB。JEDEC还谈到了下一代LPDDR6CAMM2,它将进一步完善CAMM2模块,提供与我们刚才提到的同样快的速度,而且还消除了现有设计中对螺丝的需求。最重要的一张幻灯片让我们提前看到了未来用于台式机和服务器PC的双通道CAMM2内存解决方案。CAMM2DIMM将不再垂直放置,而是水平放置,目前最多展示了两个DIMM。CAMM2不再需要焊接连接器,而是将拓扑结构完全转移到模块上。这一新设计可在台式PC平台上实现最高性能和最大容量。这肯定需要一种全新的主板设计方法,而且我们预计这种设计不会很快推出,但我们可以预计某些主板供应商,特别是那些通过超频(2DIMM设计)来挑战内存极限的供应商将来会使用CAMM2DIMM。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431792.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431792.htm

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美光展示256GBDDR5-8800MCRDIMM内存功耗20W非标准高度款内存采用了32GbDDR5芯片,每面密集排列了40块芯片,双面合计达到80块,充分展现了其高集成度的设计特点。而标准高度款虽然同样使用了32GbDDR5芯片,但采用了2层堆叠封装的方式,以适应更为紧凑的空间。然而,这种设计可能会使得在有限空间内运行时,温度稍高于非标准高度款,尽管两款内存的高度不同,但它们的功耗均控制在大约20W,展现了出色的能效表现。值得一提的是,美光此次展示的内存采用了MCRDIMM技术,这是由英特尔、SK海力士及瑞萨共同合作开发的。MCRDIMM,即多路合并阵列双列直插内存模组,其初始规格为DDR5-8000,为高性能计算提供了强大的支持。据去年英特尔的展示,当GraniteRapids处理器与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配使用时,双路系统的内存带宽将高达惊人的1.5TB/s。而GraniteRapids支持12通道内存子系统,每个通道可接入两个内存模块,若采用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块,其内存容量可达到3TB(12个插槽)或6TB(24个插槽),极大地提升了系统的数据处理能力,这一创新为高性能计算领域的发展注入了新的活力,期待未来能为我们带来更多惊喜。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424945.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424945.htm

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