韩国关键存储芯片出口大减 显示全球需求降温

韩国关键存储芯片出口大减显示全球需求降温韩国最赚钱存储芯片的出口创下2019年以来最大降幅，表明需求下滑加剧。通商部周五发布的数据显示，8月份动态随机存取存储器（DRAM）出货同比下降24.7%，前一个月为下降7%。DRAM占到韩国存储芯片出口的近一半。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1316947.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1316947.htm

三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务，价格波动时确保稳定收益

三星电子拟推出高端存储芯片租赁服务，价格波动时确保稳定收益三星电子近期将“内存即服务”（memoryasaservice，MaaS）敲定为新业务，并正在制定实施计划。三星电子计划将用于高性能计算的内存半导体借给谷歌等云服务公司，并收取租赁费用。消息人士透露，三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器（DRAM）整体销售收入的至少10%。来自：雷锋频道：@kejiqu群组：@kejiquchat投稿：@kejiqubot

研究人员开发了一种名为 “Blacksmith” 的新技术，它能绕过现有的防御措施，恢复对现代DRAM设备的Rowhammer漏

研究人员开发了一种名为“Blacksmith”的新技术，它能绕过现有的防御措施，恢复对现代DRAM设备的Rowhammer漏洞攻击，导致权限升级、内存损坏等。Rowhammer是指动态随机存取存储器（DRAM）中会发生的一种意外情况，这种意外会导致存储器单元泄露电荷并造成比特翻转（从1变成0、或从0变成1），这是由于DRAM单元的高密度造成的。这里是一个视频介绍：https://youtu.be/7IQi2mJ9mek#hacking

东京大学研究人员实现"巨磁阻开关效应" 施加一个磁场改变高达250倍电阻

东京大学研究人员实现"巨磁阻开关效应"施加一个磁场改变高达250倍电阻根据日本东京大学公报，该校研究人员领衔的团队研制出一种通道长20纳米的锗半导体纳米通道器件，它属于半导体两端器件，拥有铁和氧化镁双层结构的电极，还添加了硼元素。研究人员观察到，通过给这种器件施加磁场能使其表现出电阻开关效应，外加磁场还使其实现了高达250倍的电阻变化率。研究人员给这种现象取名为“巨磁阻开关效应”。不过，目前仅能在20开尔文（约零下253摄氏度）的低温环境下观测到这种“巨磁阻开关效应”。研究团队下一步将致力于提高“巨磁阻开关效应”出现的温度，以便将其用于开发新型电子元器件等。基于电阻开关效应的电阻式随机存取存储器被视为最有竞争力的下一代非易失性存储器之一。传统的动态随机存取存储器是利用电容储存电荷多少来存储数据，其一大缺点是数据的易失性，电源意外切断时会丢失存储数据。而电阻式随机存取存储器是通过向器件施加脉冲电压产生电阻高低变化，以此表示二进制中的“0”和“1”，其存储数据不会因意外断电而丢失，是一种处于开发阶段的下一代内存技术。论文第一作者、东京大学研究生院工学系研究科教授大矢忍指出，新成果将来有望在电子领域得到应用，特别是用于神经形态计算以及开发下一代存储器、超高灵敏度传感器等新型器件。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426368.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426368.htm

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂韩国《首尔经济》1月13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。来源：https://www.jiemian.com/article/10674396.htmlVia洛天投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN