美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM内存 功耗20W

美光展示256GBDDR5-8800MCRDIMM内存功耗20W非标准高度款内存采用了32GbDDR5芯片，每面密集排列了40块芯片，双面合计达到80块，充分展现了其高集成度的设计特点。而标准高度款虽然同样使用了32GbDDR5芯片，但采用了2层堆叠封装的方式，以适应更为紧凑的空间。然而，这种设计可能会使得在有限空间内运行时，温度稍高于非标准高度款，尽管两款内存的高度不同，但它们的功耗均控制在大约20W，展现了出色的能效表现。值得一提的是，美光此次展示的内存采用了MCRDIMM技术，这是由英特尔、SK海力士及瑞萨共同合作开发的。MCRDIMM，即多路合并阵列双列直插内存模组，其初始规格为DDR5-8000，为高性能计算提供了强大的支持。据去年英特尔的展示，当GraniteRapids处理器与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配使用时，双路系统的内存带宽将高达惊人的1.5TB/s。而GraniteRapids支持12通道内存子系统，每个通道可接入两个内存模块，若采用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块，其内存容量可达到3TB（12个插槽）或6TB（24个插槽），极大地提升了系统的数据处理能力，这一创新为高性能计算领域的发展注入了新的活力，期待未来能为我们带来更多惊喜。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424945.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424945.htm

微星在AMD锐龙平台上率先支持256GB内存容量

微星在AMD锐龙平台上率先支持256GB内存容量这主要得感谢金士顿的新款FURYRenegadeDDR5内存，1β工艺制造，单条容量就有64GB，因此四条可达256GB。哪怕是在只有两条内存插槽的主板上，也能做到128GB。微星展示了在PROX670-PWIFI主板、锐龙97900X处理器组成平台上实现的256GB系统内存，看起来频率应该是6000MHz，时序应该是36-38-38-59。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1404797.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1404797.htm

AMD锐龙8000G APU详细参数意外泄露 能配256GB内存

AMD锐龙8000GAPU详细参数意外泄露能配256GB内存锐龙78700G：8核心、4.2-5.1GHz、16MB、12CU、65W锐龙58600G：6核心、4.35-5.0GHz、16MB、?CU、65W锐龙58500G：2+46核心、3.55-5.0GHz、16MB、4CU、65W锐龙38300G：1+34核心、3.45-4.9GHz、8MB、4CU、65W其中，锐龙58500G、锐龙38300G都是Zen4、Zen4c混合架构设计，一如移动端的锐龙57545U、锐龙37440U。同时还能看到，锐龙5PRO8500G、锐龙3PRO8300G，但暂时没有锐龙7PRO8700G、锐龙5PRO8600G。至于35WGE系列低功耗版，按照惯例极大概率还是OEM专供，不会零售。有趣的是，另一厂商直接放出了锐龙78700GCPU-Z截图(已被删)，不但可以看到详细规格参数，还有搭配X670主板，可以支持多达256GBDDR5内存，频率6000MHz，时序36-38-38-80。就在昨日，微星宣布使用锐龙7900X处理器、PROX670-PWIFI主板，实现了单系统256内存，用了四条金士顿FURYRenegadeDDR5，单条64GB，频率6000MHz。显然，AM5平台都能轻松搭配256GB内存，只是，对于APU，没人会这么干吧……...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1405069.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1405069.htm

三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示："凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前，使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32GbDRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16GbDRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm