美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM内存 功耗20W

美光展示256GBDDR5-8800MCRDIMM内存功耗20W非标准高度款内存采用了32GbDDR5芯片,每面密集排列了40块芯片,双面合计达到80块,充分展现了其高集成度的设计特点。而标准高度款虽然同样使用了32GbDDR5芯片,但采用了2层堆叠封装的方式,以适应更为紧凑的空间。然而,这种设计可能会使得在有限空间内运行时,温度稍高于非标准高度款,尽管两款内存的高度不同,但它们的功耗均控制在大约20W,展现了出色的能效表现。值得一提的是,美光此次展示的内存采用了MCRDIMM技术,这是由英特尔、SK海力士及瑞萨共同合作开发的。MCRDIMM,即多路合并阵列双列直插内存模组,其初始规格为DDR5-8000,为高性能计算提供了强大的支持。据去年英特尔的展示,当GraniteRapids处理器与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配使用时,双路系统的内存带宽将高达惊人的1.5TB/s。而GraniteRapids支持12通道内存子系统,每个通道可接入两个内存模块,若采用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块,其内存容量可达到3TB(12个插槽)或6TB(24个插槽),极大地提升了系统的数据处理能力,这一创新为高性能计算领域的发展注入了新的活力,期待未来能为我们带来更多惊喜。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424945.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424945.htm

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美光推出基于32 Gb DDR5的128GB模块样品

美光推出基于32GbDDR5的128GB模块样品美光总裁兼首席执行官SanjayMehrotra说:"我们推出了基于单片芯片的128GB模块,从而扩展了我们的大容量D5DRAM模块产品组合,我们已经开始向客户交付样品,以帮助支持他们的人工智能应用需求。我们预计该产品将在2024年第二季度实现营收。"美光的单片32GbDDR5芯片是在该公司的1β(1-beta)制造工艺上制造的,这是最后一个生产节点,完全依赖于使用深紫外(DUV)光刻技术的多图案化,而不使用极紫外(EUV)光刻工具。目前,我们对美光32GbDDR5集成电路的了解仅此而已:该公司没有透露其最高速度,但我们可以预计,与两个在相同电压和数据传输速率下工作的16GbDDR5集成电路相比,其功耗将有所下降。美光公司新推出的32Gb内存芯片为只用8个独立内存芯片就能为个人电脑制造出标准的32GB模块,以及用32个这样的集成电路制造出面向服务器的128GB模块铺平了道路。此外,这些芯片使生产1TB容量的内存模块成为可能,而这在今天看来是无法实现的。这些1TB的模块现在看来可能过大,但它们有利于人工智能、大数据和服务器数据库等领域。此类模块可使服务器每个插槽支持高达12TB的DDR5内存(在12通道内存子系统的情况下)。谈到DDR5内存的总体情况,值得注意的是,该公司预计其DDR5的位产量将在2024年初超过DDR4,在行业中处于领先地位。Mehrotra说:"美光在业界向D5过渡的过程中也占据了有利地位。我们预计美光D5的产量将在2024年初超过D4,领先于业界。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386977.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1386977.htm

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美光展示256GB的DDR5-8800MCRDIMM内存模块,功耗约20Whttps://www.expreview.com/9

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美光推出基于1β工艺的16 Gb DDR5-7200 MT/s内存

美光推出基于1β工艺的16GbDDR5-7200MT/s内存美光基于1β的DDR5内存采用先进的高K值CMOS器件技术、4相时钟和时钟同步技术,与上一代产品相比,性能提升高达50%,每瓦性能提高33%。随着CPU内核数的增加以满足数据中心工作负载的需求,对更高内存带宽和容量的需求也大幅增长,以克服"内存墙"的挑战,同时优化客户的总体拥有成本。用于客户端和数据中心平台的1βDDR5DRAM的大批量生产和上市也标志着该行业的一个重要里程碑。1βDDR5DRAM允许计算能力以更高的性能进行扩展,从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。新的1βDDR5DRAM产品线提供当前的模块密度,速度从4800MT/s到7200MT/s,适用于数据中心和客户端应用。美光的1β技术使美光能够提供广泛的基于内存的解决方案组合,包括使用16Gb、24Gb和32GbDRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM、使用16Gb和24GbDRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。新的美光16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴提供。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389279.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1389279.htm

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Crucial推出12GBDDR5内存带来5600MT/s速度和更大容量更大容量总是一件好事,因为它能推动PC平台能力的提升,而且还带来了更多的选择。Crucial正在为其产品线添加新的DDR5内存规格,容量达12GB。这比标准的8GB模块容量高出50%,并将使双通道设置的容量高达24GB。与24GB内存模块相比,12GB内存模块更便宜,而且比8GB内存模块仍有很大改进。硬件消息人士Momomo_US发现,Crucial的新款12GBDDR5内存已在英国亚马逊上市。该内存模块的零件编号为"CT12G56C46S5",默认运行速度为5600MT/s,可降频至5200/4800MT/s。该内存模块的功能或规格包括:如果系统规格仅支持5200MHz或4800MHz,5600MHz内存可以降频提高生产力,以更高帧率玩游戏,更好地处理多任务最适合英特尔酷睿13代和AMDRyzen6000系列及以上笔记本CPU仅兼容支持DDR5的笔记本电脑,不兼容支持DDR4的笔记本电脑ECC类型=非ECC,外形=SODIMM,引脚数=262引脚,PC速度=PC5-44800,电压=1.1V,等级和配置=1Rx16有两种套件可供选择,包括12GB(单DIMM)和24GB(双DIMM12GBx2)版本:Crucial12GBDDR5-5600(CT12G56C46S5)-$38.99USCrucial12GBDDR5-5600(CT2K12G56C46S5)-$70.99USCrucial尚未在其官方网页上列出这款内存的规格,但我们可以预计它很快就会公布,因为它将于3月31日上市。我们已经看到台式机和笔记本电脑都采用了更新的DDR5内存容量,因此随着时间的推移,每个人都会有更多的选择。台式电脑已经支持256GB以上的内存容量,我们可以期待未来会有更多的选择。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423419.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1423419.htm

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三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布,该公司采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前,三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位,并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示:"凭借我们的12nm级32GbDRAM,我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案,使我们能够在人工智能(AI)和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案,打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位(Kb)DRAM以来,三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术,提高了集成密度并优化了设计,拥有业界最高的单个DRAM芯片容量,在相同封装尺寸下,其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前,使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而,通过使用三星的32GbDRAM,现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块,与使用16GbDRAM的128GB模块相比,功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础,三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线,通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM,该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

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