ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能TheElec获悉，ASML截至明年上半年的高数值孔径EUV(High-NAEUV)设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元。——

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASMLHighNAEUV光刻机晶圆制造速度提升150%可打印8nm线宽根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的MartinvandenBrink的说法，新的HighNAEUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NAEUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NAEUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NAEUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。MartinvandenBrink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对HighNAEUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行HighNAEUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成HighNAEUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel14A节点制程的大量生产当中。MartinvandenBrink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NAEUV光刻机了，以进一步扩展其High-NAEUV光刻机的潜在路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432933.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432933.htm

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“PowerVia”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台HighNAEUV光刻机，买家身份成谜https://www.ithome.com/0/762/592.htm然而，ASML对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径EUV光刻机，用于其即将推出的14A制程节点。正如ASML在提交给美国证券交易委员会的文件（第13页）中提到的，英特尔在2024年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台TWINSCANEXE:5200系统。台积电和三星也已经确认有意采用ASML的高数值孔径EUV光刻机。

消息称英特尔包揽 ASML High-NA EUV 初期产能 单台成本超 26 亿元

消息称英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能单台成本超26亿元ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NAEUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元（当前约26.47亿元人民币）。