英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能TheElec获悉,ASML截至明年上半年的高数值孔径EUV(High-NAEUV)设备订单由英特尔全部包揽,因此三星和SK海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称,ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台,这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示,英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备,每台设备的成本超过5000亿韩元。——

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消息称英特尔包揽 ASML High-NA EUV 初期产能 单台成本超 26 亿元

消息称英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能单台成本超26亿元ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV(High-NAEUV)设备订单由英特尔全部包揽,因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。消息人士称,ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台,这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示,英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备,每台设备的成本超过5000亿韩元(当前约26.47亿元人民币)。

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英特尔包圆 ASML 初始产能,获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆ASML初始产能,获得今年全部高数值孔径EUV光刻机https://www.ithome.com/0/766/399.htmTheElec表示,ASML截至明年上半年绝大部分高数值孔径EUV设备的订单已经由英特尔承包,包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。———2023-12-222024-04-18

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ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示,在未来十年内,ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性,指出它能够简化复杂的双重图案工艺,降低生产难度。他解释说,这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是,高数值孔径EUV(high-NA)光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具,目前仅英特尔一家采用,而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用,ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室,该实验室将与Imec共同运营,为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上,该实验室的系统已经投入使用,并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新,该系统已经能够产生8nm线阵图案,接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

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阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机,买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台HighNAEUV光刻机,买家身份成谜https://www.ithome.com/0/762/592.htm然而,ASML对买家身份讳莫如深,只能猜测其身份,路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上,英特尔已经购买了首台高数值孔径EUV光刻机,用于其即将推出的14A制程节点。正如ASML在提交给美国证券交易委员会的文件(第13页)中提到的,英特尔在2024年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台TWINSCANEXE:5200系统。台积电和三星也已经确认有意采用ASML的高数值孔径EUV光刻机。

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传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问:NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息,台积电并没有为A16制程准备High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下,英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术,英特尔原本计划在20A(2nm)制程导入,称其为“PowerVia”,但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN,根据早些时候消息,三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机,并完成组装。业界认为,台积电选择在这时推出A16制程,给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步,但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机,也展现了其技术实力,可以在不采用最新设备的情况下,将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上,去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式,在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时,还降低了缺陷密度。台湾分析师表示,台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求,尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限,如何在三大晶圆代工巨头之间分配,势必成为一大挑战。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

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ASML最先进光刻机今年产能被英特尔买完 单台售价超25亿元

ASML最先进光刻机今年产能被英特尔买完单台售价超25亿元按照消息人士的说法,由于上述EUV设备产能每年约为5到6台,这意味着英特尔将获得所有初始库存。这也导致,英特尔的竞争对手三星和SK海力士预计将在明年下半年才能获得该设备。High-NAEUV光刻机能够在半导体上蚀刻出仅8nm宽的线条,是上一代产品的1/1.7。更细的线条意味着芯片可以容纳更多的晶体管,从而实现更快的处理速度和更高的存储容量,这对于人工智能工作负载至关重要。这台EUV已于去年年底运抵其位于俄勒冈州的D1X工厂,英特尔计划在2025年年底开始使用该系统进行生产。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430061.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1430061.htm

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