现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德逝世,享年91岁
现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德逝世,享年91岁罗伯特・登纳德,现代DRAM内存的发明者,于2024年4月23日去世,享年91岁。登纳德1932年出生于美国得克萨斯州,1958年在卡内基理工学院(现卡内基梅隆大学)获得电气工程博士学位后加入IBM。在1960年代,面对磁芯内存的局限性,登纳德提出了使用单个晶体管和电容器记录数据的DRAM概念,并与IBM在1968年获得DRAM专利。DRAM技术以其低成本、低功耗和简单结构,取代了磁芯内存,促进了计算机小型化和个人电脑的商业成功。登纳德还提出了登纳德缩放定律,该定律与摩尔定律、阿姆达尔定律并称半导体行业三大定律,对半导体行业产生了深远影响。关注频道@ZaiHuaTG频道投稿@ZaiHuabot