SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK海力士、三星电子:整体DRAM生产线已超两成用于HBM内存https://www.ithome.com/0/767/877.htm———2024-05-132024-05-022024-04-222024-03-212024-03-142024-03-072024-03-012024-02-232024-02-13

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SK海力士希望与铠侠合作在日本生产AI用HBM韩国SK海力士已与铠侠(Kioxia)提案,希望在日本生产下一代HBM内存,因为生成式AI的需求正在迅速增长,以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买HBM内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据(WD)合资的工厂进行。铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。SK海力士有全球顶尖HBM市占率,若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产HBM的话,将能迅速增产;另一方面,铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产NANDFlsah,而之后若能生产最先进DRAM的话,也有助于日本半导体产业复兴计划。铠侠和西部数据均生产NANDFlash产品,双方曾计划合并,若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的SK海力士反对,让合并谈判在去年秋天破裂。——

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德邦证券:SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券:SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称,5月21日,SK海力士高层KwonJae-soon表示,SK海力士的HBM3E良率接近80%,他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前,SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布,公司HBM今年已经全部售罄,明年也基本售罄,并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品,并准备在第三季度开始量产。同时,美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄,并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链:赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。

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SK 海力士 CEO 郭鲁正:2025 年生产的 HBM 产品基本售罄

SK海力士CEO郭鲁正:2025年生产的HBM产品基本售罄韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。(界面新闻)

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