铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3DNAND闪存至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426484.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426484.htm

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据，新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20％，整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。闪存类型方面，TLC、QLC都可以。不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/sI/O速度，并应用于致态TiPlus7100SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm