专家称SSD硬盘不够绿：多用MLC、SLC闪存才行

专家称SSD硬盘不够绿：多用MLC、SLC闪存才行相比HDD机械硬盘，SSD硬盘在性能及体验上是颠覆式的领先，这点没人质疑，但是考虑绿色环保问题呢？专家们最新研究显示SSD的二氧化碳排放量比机械硬盘几乎翻倍，不够绿色，多用MLC、SLC闪存能改善一些。美国威斯康星大学及加拿大不列颠哥伦比亚大学的两名研究人员发布了最新的报告，他们研究了HDD与SSD在各个环节的二氧化碳排放量，用了1TB容量的SSD及HDD来评估碳排放的情况。只看SSD与HDD硬盘本身的话，当然是SSD更加节能环保，5年及10年期的功耗只有HDD硬盘的1/3左右，不过他们的研究还包括了生产环节，SSD硬盘的生产过程碳排放更高，综合下来5年期SSD的碳排放是184千克，HDD硬盘是99.6千克，SSD几乎是翻倍的水平，10年期的情况也差不多。如何缓解这个问题，专家们给出的意见中有一条就是尽可能延长SSD使用时间，变相降低碳排放，同时还要多用MLC、SLC闪存，因为这些闪存类型可靠性更好，寿命更长，TLC及QLC闪存是不能比的。专家的结果出来了，现在压力给到了闪存厂和SSD硬盘厂商这边，不知道他们是否会在环保压力下多生产SLC、MLC闪存吗？PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302659.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302659.htm

QLC尚未普及HLC又来 写入寿命堪忧

QLC尚未普及HLC又来写入寿命堪忧从原理看，数据是以电荷的方式存储在NAND FLASH的存储单元中。如果说NANDFLASH是一个容器，存储单元就可看做容器中的一个个“格子”，根据格子中存储数据的位数不同，就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC，以及铠侠（原东芝）刚刚开发出来的HLC。其实，从SLC到HLC，都是为了满足用户大量存储数据的需求，其中SLC每个存储单元可储存1bit数据，MLC可储存2bit数据，TLC可储存3bit数据，QLC可存储4bit数据，PLC可存储5bit数据。而铠侠HLC（Hepta-level）使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，可存储数据达到了7bits，比QLC几乎翻倍。由此可见，可见单个存储单元存储的数据的位数越高，NAND闪存颗粒的容量就越大，PCB上的存储芯片数量也随之减少，极大降低固态硬盘的制造成本。而HLC的研制成功，则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进，固态硬盘的容量也能实现直接翻倍，以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。当然，闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度，简单来说SLC最快、价格最贵，但早已停售；MLC次之，相关产品也基本绝迹。目前市场主流产品为TLC，也有部分低价产品采用QLC，当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命，依然是SLC最高、MLC其次，然后是TLC，QLC依然被鄙视，而HLC也就可想而知了。不过我们也不用过于担心，毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度，将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法，以及更大的SLC缓存，毕竟缓外速度还不及机械硬盘，恐怕这是谁都不希望看到的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357577.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357577.htm

三星推出980 PRO系列SSD，速度达7GB/s，换用TLC闪存

三星推出980PRO系列SSD，速度达7GB/s，换用TLC闪存https://www.expreview.com/75889.htmlPro也换TLC了。不过寿命不用太纠结，现代的3DTLC+算法比早期的2DMLC要长了，就是写入速度可能差一点，不过嘛，我几年前就说过了，性能不够通道凑，容量够大了，TLCrawNAND写入也能上去的。另一个问题是，那980EVO（如果要出的话）用什么颗粒？比较烂的3DTLC？QLC？

美光发布SLC闪存数据中心SSD 全盘日写60次5年不死

美光发布SLC闪存数据中心SSD全盘日写60次5年不死性能方面，连续读写分别是6.8GB/s和5GB/s，随机读写分别是1000K和200KIOPS。耐用性方面，质保五年，每天可128KB持续写入一次全盘（30TB），4K随机写入0.3次全盘（9TB）。市场主要对手瞄准的是SolidigmD5-P5316，同样30.72TB，但美光号称TLC更耐用、速度更快、功耗也更低。至于XTRNVMeSSD，则是罕见的176层SLC产品，走PCIe4.0x4通道，U.3接口，提供960GB和1.92TB容量，主打的就是超高耐用性。质保五年，连续负载每日可全盘写入60次、4K随机负载每日可全盘写入35次，连续读写速度分别能到到6.8GB/s和5.6GB/s，随机读写也有900K和350KIOPS。你问价格？对不起，大客户单独报价，本月起陆续出货。值得一提的是，前不久，官方宣布对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360015.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360015.htm

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升 追上SSD不是梦

美国公司宣布全球首款3D内存：64倍容量提升追上SSD不是梦NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3DX-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3DX-DRAM又号称全球首款类3DNAND的内存技术，将内存带入3D时代，要做内存行业的游戏规则改变者。3DX-DRAM技术的思路跟3DNAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。NEO公司承诺，2025年推出的第一代3DX-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2DDRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。这还不算，NEO公司的目标是每10年将3DX-DRAM容量提升8倍，到2035年的时候推出1Tb核心容量的3DX-DRAM，相比现在总计64倍容量提升。按照他们的说法，未来的内存不仅轻松TB容量起步，追上SSD硬盘也很容易，要知道当前3D闪存的核心容量也就512Gb到1Tb。不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂，因此3DX-DRAM投入生产还要靠合作，他们计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358355.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358355.htm

GOODRAM推出IRDM Ultimate PCIe Gen 5 M.2 SSD 传输速度10000MB/s

GOODRAM推出IRDMUltimatePCIeGen5M.2SSD传输速度10000MB/s本月早些时候，波兰公司GOODRAM在IFA2022上披露了新的IRDMUltimateSSD的原型，这是该公司的首款PCIeGen5M.2SSD。GOODRAM的新PCIeGen5接口是在制造商采用新标准以确保固态硬盘能达到高达14GB/s的读取速度时出现的。虽然该公司仍在努力实现突破规范速度上限的目标，但GOODRAM推出的IRDMUltimate将提供10000MB/s的读取速度和9500MB/s的写入速度。该公司的这款新固态硬盘自然成为了他们制造的最快的固态硬盘。GOODRAM的新款存储设备采用了PhisonE26控制器，可以访问3D三层单元闪存（TLC）模块。3DTLC闪存是一种NAND闪存，每个数据单元存储三个比特。这种闪存还有X3、MLC-3和3bit-MLC等名称。3DTLC闪存模块最常见的用途是消费类固态硬盘、手机存储卡、数码相机存储、USB驱动器和商业级固态硬盘。这种内存模块比单级和多级单元闪存更具成本效益。存储单元在芯片上垂直堆叠，比以前的2DNAND闪存有更多的数据级别。3D闪存还允许以对消费者和企业更有利的成本金额实现更高的密度。提供3DNAND闪存的三星公司也将其技术称为V-NAND。GOODRAM没有透露新固态硬盘的上市日期。该公司报告说，它将提供两种容量的IRDMUltimate，最低为1TB，最高为4TB。IRDMUltimate的原型在2022年的IFA展会上展出。其中包含尺寸较大的散热器。预计各家激素那几硬件公司最早将于2022年11月开始提供PCIeGen5相关的组件和外设。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1314077.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1314077.htm