三星Galaxy S23/S23+几乎无变化 只处理器升级至骁龙8 Gen2

三星GalaxyS23/S23+几乎无变化只处理器升级至骁龙8Gen2根据国内知名数码博主@i冰宇宙发布的最新推文，三星并没有计划对明年推出的GalaxyS23系列进行重大的设计调整。他在推文中写道，GalaxyS23和GalaxyS23+将会拥有和S22系列相同的中框、屏幕、传感器、摄像头、电池，只不过处理器会升级到骁龙8Gen2。S23的主要看点之一是这次全系搭载骁龙8Gen2芯片，不在韩国、欧洲等地铺货Exynos芯片，据说Exynos团队正在反思重建，等待2024年三星第二代3nm工艺成熟后再推出迭代处理器。另一个看点则是UFS4.0闪存，三星已经确认，UFS4.0闪存本月投入量产。UFS4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s，比当前最快的UFS3.1翻番还要多。他在此前的推文中也表示GalaxyS23Ultra在外观上和GalaxyS22Ultra并没有太大的区别，只是机身尺寸上增加了0.1-0.2mm。在后续的推文中他表示，GalaxyS23Ultra的机身尺寸为163.4×78.1×8.9mm，而目前发布的GalaxyS22Ultra的机身尺寸为163.3×77.9×8.9mm。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310169.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1310169.htm

首发3.36GHz第二代骁龙8 三星Galaxy S23 Ultra真机上手首曝

首发3.36GHz第二代骁龙8三星GalaxyS23Ultra真机上手首曝据GSMArena爆料，三星GalaxyS23系列搭载的“高频版”高通第二代骁龙8是三星特别定制的一颗5GSoc。芯片被命名为“QualcommSnapdragon8Gen2MobilePlatformforGalaxy”。据了解，高频版第二代骁龙8的Cortex X3大核频率达到3.36GHz，比高通官方宣称的3.2GHz要高，同时GPU频率从680MHz升级至719MHz。此外，高频版CPU部分还包括四颗2.8GHz的大核和三颗2.0GHz小核，GPU为Adreno740。值得一提的是，根据数码博主“冰宇宙”确认，三星GalaxyS23、GalaxyS23+和GalaxyS23Ultra将使用LPDDR5X内存和UFS4.0存储。据悉，LPDDR5X内存支持高达8533Mbps的数据传输速度，比LPDDR5内存快33%。UFS4.0存储芯片提供高达4200MB/s的顺序读取速度和2800MB/s的顺序写入速度。在高频版第二代骁龙8和LPDDR5X、UFS4.0的加持下，三星GalaxyS23系列将带来更快的应用程序和游戏启动速度，提升多任务处理和游戏运行性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1340449.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1340449.htm

三星正在积极开发UFS 5.0存储系统 4.0版也还有余力

三星正在积极开发UFS5.0存储系统4.0版也还有余力随着时间的推移，对存储的要求也会逐渐提高，而现在，随着人工智能的介入，公司在开发能够原生运行大型语言模型（LLM）的组件方面面临着更大的压力。三星正在推动存储技术的发展，Revegnus在X上分享的一张图片显示，UFS5.0目前正在开发中，但预计不会在2027年之前推出。这是否意味着这家制造商将在与竞争对手的竞争中失去优势？也不尽然，因为据说三星还在开发更先进的UFS4.0存储芯片，它将让性能再上一个平台。据说UFS5.0的最大理论带宽可达10GB/s，而UFS4.0的4通道限制速度可达8GB/s。三星将在2025年推出这一更快版本的UFS4.0。未来，Android智能手机可能必须使用20GB内存来运行设备上的LLM，但同样重要的是，设备必须配备能以惊人速度处理数据的存储芯片。英伟达（NVIDIA）的BlackwellGPU架构就是这样一个例子，其带宽达8TB/s。未来，运行设备上的LLM可能会占用智能手机现有存储空间的15%左右，因此除了更大容量的芯片外，三星此前还被报道正在开发一种特殊的UFS4.0标准，这种标准将在不引入性能瓶颈的情况下对运行AI操作进行优化。遗憾的是，该公司尚未推出这些芯片，因此我们虽然等不到UFS5.0的到来，但仍需等待更快的UFS4.0版本先行推出。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424412.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424412.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm

JEDEC宣布UFS 4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新

JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新作为微电子行业标准开发的全球领导者，JEDEC固态技术协会刚刚宣布了最新的UFS4.0通用闪存存储标准。作为补充，该组织还更新了JESD223EUFSHCI4.0标准，以及面向UFS3.1和更高版本的“基于文件的优化”（JESD231FileBasedOptimization）。上述三项标准更新均可从JEDEC官网下载据悉，UFS4.0专为需要高性能和低功耗的移动应用程序和计算系统而开发。与早期版本的标准相比，其带来了显着的带宽和数据保护改进。作为一种高性能接口，通用闪存标准（UFS）专为需要最小化功耗的计算与移动系统而设计，比如智能手机和平板电脑。得益于高速串行接口和优化协议，UFS可显著提升吞吐量和移动设备的性能。现在，UFS4.0和UFSHCI4.0共同定义了相较于先前标准的如下改进：●此前为兼顾最佳性能和节能的数据传输，JEDECUFS接纳了来自MIPI联盟、业内领先的规范来构建其互连层。●这项合作在UFS4.0新标准上得到了延续，并借助M-PHY5.0和UniPro2.0版规范将UFS接口带宽加倍、支持约4.2GB/s的高速读写吞吐量。●其次新标准为需要更高存储I/O模式的应用场景，引入了对多循环队列（Multi-CircularQueue）的定义自持。●此外高级RMPB接口可在增加带宽的同时，保护数据的安全。然后UFS4.0提供了多项旨在提升设备整体功能与能效的增强特性，辅以与未来领先解决方案的轻松集成：●VCC电压从3.3V降低到了更高效的2.5V；●借助高速链路启动、乱序数据传输和BARRIER命令来改善系统延迟；●通过引入具有主机可配置时间戳和增强型的M-PHYEyeMonitor设备错误历史记录来简化系统集成；●保留与UFS3.0/3.1标准的向后兼容性，以允许在混合系统应用程序中使用。最后，最为UFS3.1及更高版本的可选扩展，JESD231标准更新带来了“基于文件的优化”，允许通过主机提供的文件系统信息来加速读取数据流。JEDEC董事会主席兼JC-64嵌入式存储器/可移动存储卡委员会主席MianQuddus表示：JEDEC成员致力于开发支持未来移动设备的所需标准，而针对UFS及其配套标准的持续努力，又可反向促进设备性能的显著改进、以及用户体验的增强。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305849.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305849.htm

铠侠发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存 最高512GB容量

铠侠发布业界首款车载UFS4.0嵌入式闪存最高512GB容量铠侠表示，新产品采用了小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。铠侠称，新款内存顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%，提升幅度明显。由于性能的提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。这次发布的新型UFS4.0设备将BiCSFLASH3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中，其中UFS4.0采用MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度，同样能够兼容UFS3.1。此外，新产品支持高速链路启动序列（HS-LSS）功能，设备和主机之间的传输链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）能够以快于传统UFS的HS-G1RateA（1248Mbps）执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约70%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415543.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415543.htm