传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统

传三星GalaxyS25Ultra将采用UFS4.1存储系统早前有传言称，三星正在开发下一代UFS存储器，该存储器将针对人工智能相关操作进行优化。之前有报道称UFS5.0标准正在积极开发中，但根据该信息，这项技术预计不会在2027年之前亮相。在此期间，三星可能会对UFS4.0进行更多改进，从UFS4.1开始发布改进的迭代版本。据SawyerGalox在X上透露，GalaxyS25Ultra将采用UFS4.1存储技术，但并未提及GalaxyS25系列中价格更低的版本是否也会采用这一技术。更令人失望的是，我们不知道UFS4.1和UFS4.0之间的速度差异，因为这些数字都被省略了。我们之前曾报道过，128GB的基本版GalaxyS24只能使用UFS3.1速度，而256GB版本则支持UFS4.0标准。韩国巨头采取这种做法很可能是为了降低元件成本，因此三星完全有可能在推出GalaxyS25和GalaxyS25Plus时重复同样的做法。随着设备上人工智能功能的逐渐普及，更高的内存容量和更快的存储速度将成为未来的必然选择，据传GalaxyS25Ultra将配备16GBRAM机型。据报道，三星的所有GalaxyS25机型都将运行Google第二代版本的GeminiNano，它可能会与GalaxyAI集成，使其成为一个能力更强的组合。有了这些改进，我们不难看出，GalaxyS25Ultra将搭载比前代更高的设备上AI功能，带来显著提升的使用体验。三星的GalaxyS24系列是其2024年第一季度利润增长惊人的933%的主要原因，三款旗舰机占据了公司净利润的一半以上。这些数据暗示，GalaxyAI是这些销售的催化剂，因此三星将有巨大的动力加倍努力，为这一类别带来更多功能，并保持目前的势头。此外，我们还将看到GalaxyS25Ultra与iPhone16ProMax相比的反应速度，据传后者将与之前的机型一样使用NVMe存储。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433234.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433234.htm

三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上

三星计划2027年推出UFS5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了UFS4.04和UFS5.0。三星表示，近年来，端侧(End-to-End)人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升UFS接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用UFS4.0技术，但将通道数量从目前的2路提升到4路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出UFS5.0产品，顺序读取速度有望提升至10GB/s以上。——、

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS4.0存储芯片美光推出这种小型解决方案的主要原因是，智能手机原始设备制造商反馈说他们希望有更大的空间放置更大的电池。这家美国公司在美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了这一产品，并采用了其232层3DNAND技术。与去年6月推出的11x13毫米解决方案相比，UFS4.0芯片的占地面积缩小了20%。这将在不影响整体性能的情况下降低功耗。美光带来了HPM（高性能模式），这是一项专有功能，可优化智能手机高强度使用时的性能，启用HPM后，速度可提高25%。美光现在出货的新UFS4.0存储样品有三种规格：分别是256GB、512GB和1TB。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421169.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421169.htm

美光推出首款UFS 4.0模块 存储速度达4300MB/s

美光推出首款UFS4.0模块存储速度达4300MB/s美光的UFS4.0存储设备有三种容量——256GB、512GB和1TB——依赖于该公司自己的控制器。512GB和1TBUFS4.0产品采用美光232层六平面1Tb3DTLCNAND器件，可提供4300MB/s的顺序读取速度以及4000MB/s的顺序写入速度，这使它们成为迄今为止智能手机性能最高的UFS存储模块。256GB单元速度稍慢，因为它使用四平面3DNAND设备。美光的新型UFS4.0存储模块完全符合该规范，并使用两个M-PHYGear5通道进行数据传输。此外，它们还支持数据流分离（分离设备上经常使用和很少使用的数据，以减少后台垃圾收集）、AutoReadBurst（通过在长时间使用后使用设备碎片整理来提高读取性能）、EyeMonitoring（确保信号完整性）等专有固件功能。除了提供比前代产品更高的性能外，美光的UFS4.0模块还通过更高的性能和节能功能的结合，将能效提高了25%。使用大容量232层3DTLCNAND器件也使美光能够使其UFS4.0模块变得相当薄。该公司表示，其高度不超过0.8–0.9毫米，这将使手机制造商能够使他们的产品变得更轻薄，或者留出空间安装更高容量的电池。美光目前正在向主流智能手机制造商提供UFS4.0存储模块样品，预计这些产品将在下半年开始量产后的未来几个月或几个季度投入使用。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366683.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366683.htm

Galaxy S23憋大招逆袭：全系骁龙8 Gen2+UFS 4.0

GalaxyS23憋大招逆袭：全系骁龙8Gen2+UFS4.0虽然三星依然把持着全球智能机出货第一的位置，但在很多重要市场，份额早已猛烈下滑，中国市场自然不用说，最新数据显示其在印度也已经跌至第四名。显然，三星需要拿出一些让人眼前一亮的产品来重新吸引这部分消费者，除了即将发布的GalaxyFold4/Flip4折叠屏手机，更大的看点还有GalaxyS23系列。通过对AOSP的代码挖掘发现，S23对应的型号如SM-918、SM-S918BDS、SM-S918U、SM-S918U1、SM-S918W均已现身，其内部代号为DM3。S23的主要看点之一是这次全系搭载骁龙8Gen2芯片，不在韩国、欧洲等地铺货Exynos芯片，据说Exynos团队正在反思重建，等待2024年三星第二代3nm工艺成熟后再推出迭代处理器。另一个看点则是UFS4.0闪存，三星已经确认，UFS4.0闪存本月投入量产。UFS4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s，比当前最快的UFS3.1翻番还要多。在提速的同时，UFS4.0闪存的优势还有单位功耗更低、封装尺寸更小、单芯片容量可做到1TB。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302573.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302573.htm

三星电子：计划提升 UFS 接口速度 支持大模型端侧运行

三星电子：计划提升UFS接口速度支持大模型端侧运行三星电子执行副总裁兼解决方案产品工程师团队负责人吴和锡在2024中国闪存市场峰会上表示，为了满足日渐增长的端侧人工智能的需求，三星半导体计划提升UFS（通用闪存存储）接口速度并正在研发一款使用UFS4.0技术的新产品，将通道数量从目前的2路提升到4路。同时，三星半导体也在积极参与UFS5.0标准的讨论。另外，三星计划在2025年发布搭载第二代控制器，容量为128GB。（证券时报）