三星将建新半导体芯片研究中心:李在镕出席奠基仪式
三星将建新半导体芯片研究中心:李在镕出席奠基仪式三星宣布,它已经开始着手建立一个新的半导体芯片研究和开发中心。这座新工厂即将在韩国京畿道龙仁市的Giheung园区建成,该公司将在2028年前为这座设施投入20万亿韩元。三星电子副会长李在镕出席了今天早些时候举行的奠基仪式。其他100多名三星官员--包括设备解决方案首席技术官JeongEun-Seung、JinKyo-Young(SAIT总裁)、LeeJeong-Bae(内存业务部主任)、SiyoungChoi(三星代工厂总裁)和Yong-InPark(系统LSI总裁)及员工出席了仪式。这是李在镕上周在跟贿赂有关的案件中获得总统赦免后展开的首次正式行动。这家韩国公司的Giheung园区是该公司40多年前开始制造其第一个半导体芯片的地方。它也是1992年生产其第一个64MBDRAM的地方。据悉,新半导体工厂将占地10.9万平方米,在无晶圆厂系统半导体设计、代工和存储器等半导体研发领域发挥公司关键研究基地的作用。这条专门的半导体研发线将在2025年某个时候投入使用。在过去的几年时间里,三星的芯片部门为公司的成功做出了重大贡献,尤其是自COVID-19大流行之后的芯片短缺。它在2022年第二季度贡献了该公司2/3的营业利润。这家韩国公司最近开始大规模生产世界上首批3纳米芯片。虽然它是仅有的两家(另一家是台积电)有能力使用7纳米或更好的技术制造芯片的公司之一,但由于产量和功率效率问题,几年来它一直在失去客户。据报道,由于GAA(GateAllAround)技术提高了电源效率和性能,该公司的3纳米芯片将变得更好。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306347.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1306347.htm
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