中芯国际公布核心技术家底:最新55nm已研发成功

中芯国际公布核心技术家底:最新55nm已研发成功中芯国际昨晚发布了2022半年报,上半年营业收入245.92亿元,同比增长52.80%,归母净利润62.52亿元,同比增长19.30%。除了财务信息之外,中芯国际也公布了公司的核心技术情况,称中芯国际拥有全面一体的集成电路晶圆代工核心技术体系,可以有效地帮助客户降低成本,缩短产品上市时间。中芯国际成功开发了0.35微米至FinFET的多种技术节点,主要应用于逻辑工艺技术平台与特色工艺技术平台。2022年上半年,多个平台开发按计划进行,稳步导入客户,正在实现产品的多样化目标。报告期内,55纳米BCD平台第一阶段已完成研发,进入小批量试产。其他在研的工艺还包括FinFET衍生技术平台、22纳米低功耗工艺平台、28纳米高压显示驱动工艺平台、40纳米嵌入式存储工艺平台、4XNORFlash工艺平台等等,都是国内领先的工艺水平,适用于智能家居、消费电子、AMOLED屏幕、汽车电视、电源管理、虚拟显示等等领域。根据中芯国际所说,截至本报告期内,累计申请专利18347个,获得批准的专利累计12778个,研发人员总数1864人,占公司员工总数9.6%,平均薪酬为15.4万元。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1309391.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1309391.htm

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中芯国际5日发布公告称,该公司核心技术人员吴金刚博士近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成离职手续。离职后,吴金刚博士不再担任公司任何职务。公告指,目前公司的技术研发工作均正常进行,吴金刚的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。根据公告,吴金刚2001年加入中芯国际,2001年至2014年,历任助理总监、总监、资深总监,2014年至今担任技术研发副总裁,任职期间负责参与公司FinFET先进工艺技术研发及管理工作。(中芯国际)viaPair

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