三星开发出业界速度最快的 10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星开发出业界速度最快的10.7GbpsLPDDR5XDRAM三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheolBae表示："随着对低功耗、高性能内存需求的增加，LPDDRDRAM的应用有望从主要的移动领域扩展到其他传统上需要更高性能和可靠性的领域，如个人电脑、加速器、服务器和汽车等。随着人工智能应用的激增，可在设备上直接处理的设备上人工智能正变得越来越重要，这凸显了对低功耗、高性能LPDDR内存的需求。"与上一代产品相比，三星10.7GbpsLPDDR5X不仅将性能提高了25%以上，容量提高了30%以上，而且还将移动DRAM的单封装容量扩大到了32GB，成为设备上人工智能时代需要高性能、大容量和低功耗内存的解决方案。特别是LPDDR5X采用了专门的省电技术，例如可根据工作负载调整功率的优化功率变化，以及可延长节能时间的扩展低功耗模式间隔。这些改进使能效比上一代产品提高了25%，从而延长了移动设备的电池寿命，并通过降低服务器处理数据时的能耗，降低了总体拥有成本(TCO)。经过与移动应用处理器（AP）和移动设备供应商的验证，10.7GbpsLPDDR5X计划于今年下半年开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427611.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427611.htm

三星电子半导体将首次参加北京车展，计划展出 “业界最快” LPDDR5X DRAM 等产品

三星电子半导体将首次参加北京车展，计划展出“业界最快”LPDDR5XDRAM等产品三星电子半导体中文官网显示，三星电子半导体将于今年4月25日至27日期间首次参加北京车展。据悉，三星电子计划分成存储器、系统LSI、代工领域等三大展区，展示用于高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载信息娱乐（IVI）等的最新产品。三星电子有望在存储器展区展出支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM、第七代图形用双倍数据传输率存储器（GDDR7）、AutoSSD（车载固态硬盘）和通用闪存（UFS）3.1内存等产品。

三星推出专为人工智能应用优化的 10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星推出专为人工智能应用优化的10.7GbpsLPDDR5XDRAM三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。据三星方面介绍，该产品可根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，能效较上一代产品提升25%，同时性能提高25%以上，容量提高30%以上，还将移动DRAM的单封装容量扩展至32GB。

三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星推出专为人工智能应用优化的10.7GbpsLPDDR5XDRAM4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，将于今年下半年开始量产。据三星方面介绍，该产品可根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，能效较上一代产品提升25%，同时性能提高25%以上，容量提高30%以上，还将移动DRAM的单封装容量扩展至32GB。三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheolBae表示，市场对低功耗、高性能内存需求增加，LPDDRDRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其他领域，对内存有更高性能和可靠性要求。——

SK海力士发布首款采用HKMG工艺的1anm 8.5 Gbps LPDDR5x DRAM

SK海力士发布首款采用HKMG工艺的1anm8.5GbpsLPDDR5xDRAM对于LPDDR来说，正如其标准名称LP（LowPower）所暗示的那样，拥有低能耗是其最大的优势。由于移动设备的功率是有限的，因此有必要尽可能地降低功耗以延长电池续航时间。这就是为什么降低功耗与提高运行速度同样重要。LPDDR5X是移动DRAM中第一个集成了HKMG工艺的产品，让产品同时带来了性能的提高和功耗的降低。由于LPDDR5X降低了DRAM的功耗，此类产品功耗的降低后也可以让消费者使用的电力减少。目前LPDDR5X的工作速度为8.5Gbps，比上一代产品快33%。这款DRAM产品主要面向无线电子设备，包括智能手机、笔记本电脑和平板电脑。SKHynix在LPDDR的开发过程中不遗余力，该公司在2021年量产了18GB的LPDDR5，这是当时业内最大的容量，并在一年后推出了最快的LPDDR5X（4266MHz/8.5Gbps），巩固了其在内存半导体领域的领先地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1332387.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1332387.htm

三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星推出HBM3E"Shinebolt"、GDDR7和LPDDR5xCAMM2内存面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算（HPC）打开HBM市场的专业技术，该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已交付给客户。凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。据三星称，与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比，GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效，芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps，比GDDR6内存提高了33%，同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：512位-2048GB/秒（2.0TB/秒）384位-1536GB/秒（1.5TB/秒）320位-1280GB/秒（1.3TB/秒）256位-1024GB/秒（1.0TB/秒）192位-768GB/秒128位-512GB/秒该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。GDDR7显存的能效也将提高20%，考虑到显存对高端GPU的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了GDDR7DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2（有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则）之外，该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于PC的大容量四级单元（QLC）固态硬盘BM9C1。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391385.htm