三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星推出HBM3E"Shinebolt"、GDDR7和LPDDR5xCAMM2内存面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算(HPC)打开HBM市场的专业技术,该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力,提高总体拥有成本(TCO),加快数据中心的人工智能模型训练和推理。HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒(Gbps),这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒(TBps)的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性,三星优化了其不导电薄膜(NCF)技术,以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段,Shinebolt的样品也已交付给客户。凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势,该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。据三星称,与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比,GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效,芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps,比GDDR6内存提高了33%,同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽:512位-2048GB/秒(2.0TB/秒)384位-1536GB/秒(1.5TB/秒)320位-1280GB/秒(1.3TB/秒)256位-1024GB/秒(1.0TB/秒)192位-768GB/秒128位-512GB/秒该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品,但我们怀疑这些样品是否能大量生产,以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。GDDR7显存的能效也将提高20%,考虑到显存对高端GPU的巨大功耗,这无疑是件好事。据悉,三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术,还将提供低工作电压选项,专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面,新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物(EMC),可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称,三星向英伟达(NVIDIA)提供了GDDR7DRAM样品,用于下一代游戏显卡的早期评估。用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计为了处理数据密集型任务,当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此,三星推出了一系列内存解决方案,支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2(有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则)之外,该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存(UFS)以及用于PC的大容量四级单元(QLC)固态硬盘BM9C1。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391385.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1391385.htm

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SK海力士将展示GDDR7、48GB16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线首先,SK海力士将是继三星之后第二家展示GDDR7存储器芯片的公司。SKHynix芯片的速度为35.4Gbps,低于三星展示的37Gbps,但密度同样为16Gbit。这种密度允许在256位内存总线上部署16GB视频内存。并不是所有的下一代GPU都能达到37Gbps的最高速度,有些可能会以更低的显存速度运行,SK海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样,SKHynix也采用了PAM3I/O信号和专有的低功耗架构(不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似)。GDDR7势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位;然而,人工智能HPC处理器市场仍将主要依靠HBM3E。SKHynix在这方面进行了创新,并将展示全新的16层48GB(384Gbit)HBM3E堆栈设计,单个堆栈的速度可达1280GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有192GB内存,带宽为5.12TB/s。该堆栈采用了全功耗TSV(硅通孔)设计和6相RDQS(读取数据队列选通)方案,以优化TSV面积。最后,SKHynix还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的LPDDR5T(LPDDR5Turbo)内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术,该芯片可实现每引脚10.5Gb/s的数据传输速率和1.05V的DRAM电压。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1414907.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1414907.htm

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三星谈论下一代DRAM解决方案:GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND三星公布了其下一代DRAM和内存解决方案的计划,包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作为先进半导体技术的全球领导者,三星电子今天在2022年三星技术日上展示了一系列尖端的半导体解决方案,这些解决方案将在十年内推动数字转型。自2017年以来的年度会议,该活动在三年后回到了圣何塞希尔顿酒店的SigniabyHilton酒店亲自出席。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1324271.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1324271.htm

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三星下月展示37GbpsGDDR7内存三星预计将展示一款数据传输速率为37Gbps、密度为16Gbit(2GB)的GDDR7芯片。GDDR7内存将使用PAM3和NRZ信号,目标是实现高达37Gbps的数据传输速率/引脚。GDDR7存储器的演进涉及提高信号传输速率和突发大小,而不大幅提升存储单元的内部时钟。这使得每个GDDR版本都能提高内存总线频率,从而提高性能。然而,随着频率提升变得复杂,业界正在探索其他解决方案。例如,GDDR6X用PAM4编码取代了传统的NRZ编码,有效地将数据传输速率提高了一倍。由于波特率降低,PAM4还能显著减少信号损耗。然而,GDDR7将采用PAM3编码,这是PAM4和NRZ信号之间的折衷。这使得每个周期的数据传输速率高于NRZ,从而降低了对更高内存总线频率的需求。GDDR7的性能有望超过GDDR6,同时功耗和实施成本也低于GDDR6X。此外,GDDR7还提供了优化内存效率和功耗的方法。其中包括四种不同的读取时钟模式,使其仅在需要时运行。GDDR7内存子系统还可以并行发出两个独立命令,优化功耗。至于GDDR7的发布,预计将与AMD和NVIDIA的下一代GPU一起推出,时间可能在今年晚些时候。预计NVIDIA和AMD都将在下一代GPU中采用GDDR7。GDDR7将于今年量产,并将在NVIDIA的GeForceRTX50系列"Blackwell"显卡和AMDRadeonRX8000系列RDNA4中使用。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1414895.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1414895.htm

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三星开始在产品目录中列出 GDDR7 内存芯片

三星开始在产品目录中列出GDDR7内存芯片目前,三星在其网站上列出了两种GDDR7器件:16Gbit芯片的额定数据传输速率高达28GT/s,更快的版本数据传输速率高达32GT/s(与三星于2023年中期宣布的初始部件一致)。这些芯片采用512Mx32组织,266引脚FBGA封装。这些芯片已经开始出样,因此三星的客户--GPU供应商、人工智能推理供应商、网络产品供应商等--的实验室中应该已经有了GDDR7芯片的样品。GDDR7规格承诺每芯片最大容量为64Gbit(8GB),数据传输速率为48GT/s。与此同时,第一代GDDR7芯片(目前已公布)的容量为16Gbit(2GB),数据传输速率达32GT/s。从性能上看,第一代GDDR7与GDDR6和GDDR6X相比,内存带宽有了显著提高。不过,容量/密度的提高要等到内存制造商进入下一代基于EUV的工艺节点后才能实现。因此,首批基于GDDR7的显卡不可能在内存容量上有任何改进。三星和SKHynix此前曾表示他们打算在2025年实现24GbitGDDR7芯片的量产。此外,值得注意的是,SKHynix上周也在英伟达的GTC上展示了其GDDR7芯片。因此,三星的竞争对手应该会紧随其后提供样品,并最终量产内存。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425301.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1425301.htm

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三星希望GDDR7内存通过PAM-3信令达到36Gbps的速率

三星希望GDDR7内存通过PAM-3信令达到36Gbps的速率典型的GDDR6RAM,我们在AMD新的RadeonRX7000系列中可以看到,使用NRZ(不归零)信令来实现14至24Gbps的数据速率,它可以携带编码为0或1值的信号,每周期1比特。最近的GPU,如NVIDIA的RTX4000系列开始转移到GDDR6X,速度稍快,为18-23Gbps。他们使用PAM-4来实现这一点,其值为0、1、2或3时,每周期可达到2位。三星在10月份的技术日会议上确认GDDR7的带宽将达到36Gbps,但最近透露它将通过PAM-3达到这一目标,这实现了NRZ和PAM-4之间的平衡。PAM-3使用-1、0和1的值来实现每两个周期3个比特,或每周期1.5比特。它的能效比NRZ高25%,带宽更高,但对设备的要求比PAM-4低,使其更便宜。英特尔的Thunderbolt5电缆也使用PAM-3信令,提供80Gbps的带宽--是Thunderbolt4的两倍。三星最近还宣布了另一种GDDR6替代品-GDDR6W以对抗HBM2内存。该公司将HBM2作为可能的GDDR6继任者,拥有更大的带宽和更高的速度,但它在AMD的Vega系列显卡中的实施并不成功,促使AMD回归GDDR6。GDDR6W的带宽远远优于GDDR6,与HBM2相似。此外,它可以支持与现有GDDR6产品相同的生产工艺。三星的公告没有回答任何关于GDDR7可能何时亮相的问题,但是AMD和NVIDIA可能在过渡到GDDR7之前为其下一个系列的显卡选择GDDR6W。三星的演示幻灯片揭示了GDDR7的PAM-3,还提到了其他新的DRAM技术,如T-Coul和多路等级DIMM(MRDIMM),T-Coil可以大幅提高IO速度,而MRDIMM可以使容量翻倍。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334757.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1334757.htm

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三星电子为汽车领域准备LPDDR5x、AutoSSD和GDDR7解决方案

三星电子为汽车领域准备LPDDR5x、AutoSSD和GDDR7解决方案三星认为,在人工智能热潮的推动下,汽车市场有可能出现巨大的经济好转。有消息称,汽车系统半导体市场目前的规模为500亿美元,预计未来五年(2023-2028年)的年均增长率将达到17%,超过移动(6%)和高性能计算(12%)领域。这样的数字对企业来说意味着生意,尤其是三星,因为他们同时拥有半导体和内存解决方案,这使他们比其他公司更具优势。为了满足"受人工智能启发"的汽车行业的计算需求,三星计划发布其尖端LPDDR5X存储器的新变体,据传其尺寸只有原来的一半,但性能却提高了20%。升级后的内存芯片容量从2GB到24GB不等,速度高达68GB/s,每通道带宽为8.5Gbps,采用561FBGA封装,非常适合大规模行业应用。除了新的内存技术外,这家韩国巨头还计划在明年推出可拆卸的汽车固态硬盘(SSD),主要通过实现存储虚拟化来提高数据效率,使单个固态硬盘可以分区供多个SoC使用,从而使性能升级更加方便。据传,汽车固态硬盘的容量为512GB-4TB,速度高达6.5GB/s。它们可能会改变自动驾驶汽车的游戏规则,尤其是在辅助驾驶和自动驾驶过程中。最后,该公司再次回顾了GDDR7内存类型的发展,声称它可以在实现更高水平的自动驾驶方面发挥巨大作用。预计GDDR7每通道带宽为32Gbps,大数据量传输速度为128GB/s。在向下一代功能过渡的过程中,三星正扮演着关键角色,该公司目前的目标是到2025年在自动驾驶行业占据主导地位,这主要是通过其内存和存储产品组合的进步来实现的。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400075.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1400075.htm

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