西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储 但有232层

西数、铠侠宣布218层闪存：技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据，新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20％，整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。闪存类型方面，TLC、QLC都可以。不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/sI/O速度，并应用于致态TiPlus7100SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm

长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产

长江存储232层Xtacking3.0闪存已实现量产TechInsights于11月已在致态TiPlus7100系列SSD和海康威视的CC7002TBSSD上发现使用Xtacking3.03DNANDFlash闪存。此举领先于美光、三星和SK海力士等厂商。https://www.techinsights.com/disruptive-event/ymtc-232l-tlc-3d-nand

长江存储开始使用北方华创的本土设备进行先进3D NAND制造

长江存储开始使用北方华创的本土设备进行先进3DNAND制造去年，长江存储宣布在创建200+层3DNAND闪存方面取得了重大进展，比美光和SK海力士等其他3DNAND制造商更早。该芯片被称为X3-9070，是一种基于该公司先进的Xtacking3.0架构的232层3DNAND。正如《南华早报》所发现的，长江存储已经向北京的北方华创科技集团下了大订单，该公司是蚀刻工具的制造商，也是LamResearch的竞争对手，设备主要负责制造其先进的闪存。此外，据报道，长江存储已要求其所有工具供应商去除设备上的所有标志和其他标记，以避免美国的额外制裁阻碍其发展。这个重要的订单是在政府向长江存储投资70亿美元以提高其生产能力之后出现的，该公司随后立即利用了这些资源。然而，少数行业分析师已经发现了长江存储在独立制造道路上的一些"阻塞点"，因为在计量工具（KLA是主导者）和光刻工具（ASML、尼康和佳能是值得注意的）等领域仍然没有可行的国内替代美国工具制造商。总部设在武汉的武当山项目对未来如何处理这些难点的策略仍然是保密的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1356335.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1356335.htm

长江存储“亮剑” 在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利

长江存储“亮剑”在美起诉美光侵犯其8项3DNAND专利据悉，本次涉案的长江存储的美国专利包括：US10,950,623（3DNAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,937,806（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3DNAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。长江存储表示，目前其已经是全球3DNAND市场的领导者。2022年11月，半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论：“长江存储所取得的成就令人惊叹，现在是3DNAND闪存领域的领导者”，“一举超越了美光”。特别值得一提的是，近年来，随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上，二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现，形成间距为10μm及以下的互连，且不会影响I/O性能。另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。资料显示，长江存储科成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3DNAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC3DNAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。作为国内最大的3DNAND制造厂商，长江存储经过多年的发展，目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。不过，自去年以来，由于受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396213.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396213.htm

长江存储232层闪存揭秘：设计独特 存储密度世界第一

长江存储232层闪存揭秘：设计独特存储密度世界第一研究显示，长江存储1TbTLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米，1TbQLC更是高达19.8Gb每平方毫米，在两种闪存类型中都无出其右者。两种闪存均基于晶栈3.0架构，数据传输率均为2400MT/s，可以搭配PCIe4.0、PCIe5.0主控，打造旗舰级SSD。不同之处在于，QLC用的是4-plane结构，可以理解为4颗芯片并排放在一起，总长度12.88毫米、宽度4.02毫米，重点优化与缩小核心面积。TLC用的则是6-plane结构，并排放置6颗芯片，追求性能最大化。TechInsights对于长江存储的成就予以了高度评价，尤其是在美国封锁之下，无法获取最新尖端技术和工具，仍然达成了世界最高存储密度，是非常了不起的，进一步凸显了其晶栈架构的优越性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393639.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1393639.htm

长江存储推出采用Xtacking 3.0架构的X3-9070 3D NAND闪存

长江存储推出采用Xtacking3.0架构的X3-90703DNAND闪存从1.0到3.0，YMTC的Xtacking技术，一个异构的3D集成架构，已经建立了一个成熟的成功记录，基于XtackingNAND的系统解决方案的多样化组合就是证明，包括SATAIII、PCIeGen3和Gen4SSD，以及用于移动和嵌入式应用的eMMC和UFS，并获得了领先OEM的认可。ForwardInsights的创始人兼首席分析师GregoryWong说："长江存储的专利Xtacking3.0架构的到来是3DNAND扩展竞赛中的一个突破。3DNAND技术的进步对存储器市场的创新至关重要，作为采用这种架构的最先进的闪存，YMTCXtacking3.0X3-9070是一个关键的行业里程碑。在未来，内存单元和逻辑电路的混合键合方式有望成为主流"。以Xtacking3.0为核心，YMTC的第四代3DNAND，即X3-9070，是一种尖端的产品，拥有更高的存储密度，优化的性能，并提高了耐久性、质量和可靠性，符合JEDEC等严格的测试标准。由于最近具体的工艺改进，现在还能以更高的成本效率获得增强的可扩展性。X3-9070的主要特点包括：性能：X3-9070实现了高达2400MT/s的I/O速度，符合ONFI5.0标准，与前一代产品相比，性能提高了50%。位密度：利用Xtacking3.0架构，X3-9070已成为YMTC历史上比特密度最高的闪存产品，在超紧凑的单晶片上实现了1Tb的存储容量。升级的系统级产品体验：创新的6平面设计，每个平面都支持同步多平面独立运行。多重并发和同步并发增强了系统I/O性能，包括顺序和随机访问。与典型的4平面架构相比，新架构的性能可提升50%，而功耗可降低25%，这种系统级的升级可以提高电源效率，使总拥有成本（TCO）更具吸引力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334851.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1334851.htm