长江存储再次实现突破 全球最先进的3D NAND存储芯片被发现

长江存储再次实现突破全球最先进的3DNAND存储芯片被发现本次的发现，超越了同样在开发232层QLC3DNAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。长江存储232LQLC芯片致态Ti6001TB固态硬盘TechInsights表示，尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单，但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的3DXtackingNAND。值得注意的是，三星目前的战略是专注于V93DNAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8)3DNAND上开发QLC。但是，三星在上周举行的“内存技术日”上，首次公开了面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GBUFS3.1产品。SK海力士的主要业务是TLC，而不是QLC产品。越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。此前，TechInsights是首批拆解华为Mate60Pro的机构，在拆解完之后，TechInsights副主席DanHutcheson给出了如下评价：“这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。”...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392211.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1392211.htm

长江存储“亮剑” 在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利

长江存储“亮剑”在美起诉美光侵犯其8项3DNAND专利据悉，本次涉案的长江存储的美国专利包括：US10,950,623（3DNAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,937,806（三维存储器件的直通阵列接触(TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3DNAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。长江存储表示，目前其已经是全球3DNAND市场的领导者。2022年11月，半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论：“长江存储所取得的成就令人惊叹，现在是3DNAND闪存领域的领导者”，“一举超越了美光”。特别值得一提的是，近年来，随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上，二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现，形成间距为10μm及以下的互连，且不会影响I/O性能。另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。资料显示，长江存储科成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3DNAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC3DNAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。作为国内最大的3DNAND制造厂商，长江存储经过多年的发展，目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。不过，自去年以来，由于受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396213.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396213.htm

三星3D NAND涨价10% 传与长江存储被列UVL清单有关

三星3DNAND涨价10%传与长江存储被列UVL清单有关据报道，在被列入UVL数月后，美国政界人士公开宣称长江存储对美国国家安全构成威胁。导致苹果公司虽然认证了长江存储的产品，但未从长江存储采购3DNAND产品。随后，市场出现连锁反应，国内许多PC厂商出于规避地缘政治风险的考虑也暂停了与长江存储的合作，转而向其他存储厂商购买。三星借机做出提高3DNANDFlash价格的决定。TrendForce第三季度数据显示，由于消费电子产品及服务器的出货量低于预期，导致NAND闪存的出货量与平均价格双双下滑，NAND闪存的销售额也降至137.1亿美元，环比下滑24.3%。三星、美光和SK海力士都在减少产量。三星此次调涨3DNAND对整个市场的影响尚不明朗。不过，TrendForce此前认为，由于终端设备商仍有大量3DNAND库存。因此，三星等NAND厂的减产动作的影响将不会在第四季度呈现。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1335901.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1335901.htm

长江存储在美国法院起诉美光科技侵犯专利

长江存储在美国法院起诉美光科技侵犯专利中国半导体制造商长江存储在美国加利福尼亚州北区法院对美光科技提起专利侵权诉讼。长江存储指控美光科技未经授权使用其11项专利技术，这些技术涉及3DNAND闪存芯片的多个方面。长江存储要求法院下令美光科技停止在美国销售内存产品，并向其支付专利使用费。在法庭文件中，长江存储指出美光科技的多款3DNAND闪存芯片及DDR5SDRAM内存侵犯了这些专利。关注频道@ZaiHuaPd投稿爆料@ZaiHuabot

长江存储实现了232层3D NAND的量产 击败了前四大闪存供应商

长江存储实现了232层3DNAND的量产击败了前四大闪存供应商这家中国内存和NAND闪存巨头早在2022年8月就宣布了这种内存型号：YMTCX3-9070，以及其新的Xtacking3.0架构--一种该公司能够可靠地堆叠大量NAND闪存层的专有方法。与此同时，美光科技已经准备好自己的232层3DNAND闪存，但还没有进入生产阶段。考虑到长江存储在2016年才涉足这一业务，与其他参与者相比，这是一个令人难以置信的壮举，其它闪存供应商各自都有超过20年的市场存在。长江存储向232层的攀升紧随其2020年出人意料的128层3DNAND生产的壮举，其开创性足以赢得苹果公司的供应合同，然后在2022年10月由于非技术原因失去了合同。Xtacking3.0架构涉及存储单元晶圆的背面源连接（BSSC），与Xtacking2.0（最多128层）相比，它带来了更简单的工艺和更低的成本，它引入了硅化镍（NiSi），而不是硅化钨（WSi），以提高CMOS晶圆的器件性能和I/O速度。长江存储最初的Xtacking架构早在2016年首次亮相，层数达64层，依靠的是具有成本效益的晶圆对晶圆粘接。长江存储的232层3DNAND闪存可以再消费电子行业找到大量的客户，包括智能手机、消费存储设备、电视和其他电器，较高的层数对存储容量密度有直接影响，这可以帮助设计者通过使用更少的芯片降低成本，或增加容量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1334071.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1334071.htm

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光中国最大闪存芯片制造商长江存储，在美国法院起诉美国存储芯片公司美光科技以及子公司侵犯其八项美国专利。第一财经星期六（11月11日）从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于星期四（11月9日）起诉美光及全资子公司美光消费产品集团侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。长江存储是中国最大的闪存芯片（3DNANDFlash）制造厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3DNANDFlash市场来阻止竞争和创新。长江存储也在起诉书中称，长江存储不再是新秀，而已成为全球3DNAND市场的重要参与者。长江存储称，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3DNAND闪存领域的领导者，超过了美光。根据第一财经，NANDFlash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NANDFlash可制造固态硬盘（SSD）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NANDFlash品牌厂商中，三星、铠侠、SKGroup、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。美国商务部工业和安全局2022年10月发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NANDFlash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。...2023年11月12日2:32PM