欧莱新材：已进入越亚半导体、海力士等知名半导体厂商的集成电路封装材料供应体系

欧莱新材：已进入越亚半导体、海力士等知名半导体厂商的集成电路封装材料供应体系欧莱新材5月28日在投资者互动平台表示，目前公司已进入越亚半导体、SKHynix（海力士）等知名半导体厂商的集成电路封装材料供应体系。公司将通过实施本次募集资金投资项目，建设半导体集成电路用溅射靶材试制基地，对半导体集成电路用溅射靶材进行技术研发、产品试制，拓展溅射靶材在半导体集成电路领域的应用。随着半导体集成电路用溅射靶材研制成功，公司将与更多半导体集成电路行业的知名头部客户建立合作关系。

日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件

日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件日本一个研究团队研制出一种半导体纳米通道器件，给这种器件施加磁场能使其电阻值发生高达250倍的变化。这种现象未来有望用于开发新型电子元器件等。相关论文已发表在国际学术期刊《先进材料》上。新华社报道，日本东京大学近日发布公报说，该校研究人员领衔的团队研制出一种通道长20纳米的锗半导体纳米通道器件，它属于半导体两端器件，拥有铁和氧化镁双层结构的电极，还添加了硼元素。研究人员观察到，通过给这种器件施加磁场能使其表现出电阻开关效应，外加磁场还使其实现了高达250倍的电阻变化率。研究人员给这种现象取名为“巨磁阻开关效应”。公报说，目前仅能在20开尔文（约零下253摄氏度）的低温环境下观测到这种“巨磁阻开关效应”。研究团队下一步将致力于提高“巨磁阻开关效应”出现的温度，以便将其用于开发新型电子元器件等。电阻开关效应一般指，材料能够在外电场作用下在低电阻态和高电阻态之间可逆转换。基于电阻开关效应的电阻式随机存取存储器被视为最有竞争力的下一代非易失性存储器之一。传统的动态随机存取存储器是利用电容储存电荷多少来存储数据，一大缺点是数据的易失性，电源意外切断时会丢失存储数据。而电阻式随机存取存储器是通过向器件施加脉冲电压产生电阻高低变化，以此表示二进制中的“0”和“1”，其存储数据不会因意外断电而丢失，是一种处于开发阶段的下一代内存技术。论文第一作者、东京大学研究生院工学系研究科教授大矢忍接受新华社邮件采访时说，目前已有很多关于电阻开关效应的研究，但此前对电阻开关效应的“磁场依存性”关注较少。新成果将来有望在电子领域得到应用，特别是用于神经形态计算以及开发下一代存储器、超高灵敏度传感器等新型器件。2024年4月5日1:53PM

德中科学家合作在半导体纳米结构中实现新型量子比特

德中科学家合作在半导体纳米结构中实现新型量子比特研究小组成功地在半导体纳米结构中产生了量子位。研究人员利用一种特殊的能量转换，在量子点（半导体的一个微小区域）中产生了一种叠加态，其中一个电子空穴同时拥有两个不同的能级。这种叠加态是量子计算的基础。以前，要诱导这种状态，必须使用能够发射太赫兹范围光线的大型自由电子激光器。遗憾的是，这种波长太长，无法将光束准确聚焦到量子点上。不过，该团队利用两个经过仔细校准的短波长激光脉冲实现了激发。以杭州浙江大学的刘锋为首的研究小组与波鸿鲁尔大学的阿尔内-路德维希博士领导的研究小组以及其他来自中国和英国的研究人员一起，在2023年7月24日在线出版的《自然-纳米技术》杂志上报告了他们的研究成果。研究人员成功地在一种半导体纳米结构中创建了一种量子叠加态，它可能成为量子计算的基础。诀窍在于：两个光学激光脉冲可作为一个太赫兹激光脉冲。(波鸿研究团队：Hans-GeorgBabin（左）和ArneLudwig）。资料来源：RUB，Marquard为了实现这种叠加态，研究人员利用了辐射奥格转变。在这一过程中，一个电子与一个空穴重新结合，部分能量以光子形式释放，部分能量转移到另一个电子上。电子空穴--换句话说，缺失的电子--也会发生同样的过程。2021年，一个研究小组首次成功地专门激发了半导体中的辐射奥杰转变。在当前的项目中，研究人员证明了辐射奥杰过程可以被相干驱动：他们使用了两束不同的激光，其强度相互之间有特定的比例。通过第一束激光，他们激发了量子点中的电子-空穴对，产生了由两个空穴和一个电子组成的准粒子。利用第二束激光，他们触发了辐射奥杰过程，将一个空穴提升到一系列更高的能量状态。研究人员利用微调激光脉冲在空穴基态和高能态之间产生叠加。这样，空穴就同时存在于这两种状态中。这种叠加是量子比特的基础，与传统比特不同，量子比特不仅存在于"0"和"1"两种状态，而且还存在于这两种状态的叠加中。汉斯-格奥尔格-巴宾（Hans-GeorgBabin）在波鸿鲁尔大学由安德烈亚斯-维克（AndreasWieck）教授领导的应用固体物理教席的阿尔内-路德维希（ArneLudwig）博士的指导下，制作了用于实验的高纯度半导体样品。在此过程中，研究人员提高了量子点的集合均匀性，并确保了所生产结构的高纯度。这些措施为与严俊勇和刘峰合作的中国合作伙伴进行实验提供了便利。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374897.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374897.htm

英国政府宣布拨款2200万英镑推动该国半导体研发

英国政府宣布拨款2200万英镑推动该国半导体研发位于布里斯托尔的生产基地将支持西南部和威尔士的芯片公司利用尖端化合物半导体推进高压电子设备的发展，帮助英国实现零净排放。南安普顿基地将以南安普顿大学的硅光子学研究为基础。这项研究旨在利用光而不是电来促进通信。与标准半导体相比，这些芯片的速度要快得多。科技和数字经济部长萨吉布-巴提（SaqibBhatti）在谈到这笔资金时说："这项投资标志着我们在推进半导体产业发展目标方面迈出了关键一步，这些中心将帮助把净零和人工智能等领域的新技术推向市场，并将这些技术扎根于英国本土。国家半导体战略实施仅九个月，我们已经在实现目标方面取得了快速进展。这不仅是为了促进增长和创造高技能工作岗位，更是为了将英国定位为全球创新中心，为实现具有全球影响力的突破创造条件"。除了这笔资金外，政府还表示将向全国各地的11个半导体技能项目提供480万英镑。政府希望这将提高各级教育中与半导体行业相关的技能人才。该战略的目标是在未来二十年内"推动英国在设计、研发和化合物半导体方面的优势和技能"。相关文章:猛砸逾1亿英镑、新建9个研究中心英国政府大力布局AI研究和监管...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1416995.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1416995.htm

规模3440亿人民币，中国国家集成电路大基金三期成立推动半导体产业发展

规模3440亿人民币，中国国家集成电路大基金三期成立推动半导体产业发展中国成立了一个新的国家支持投资基金，注册资本3440亿人民币。以促进该国的半导体产业发展。天眼查App显示，中国国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司于5月24日成立。股东信息显示，中国财政部为最大股东，持股比例为17%。中国国家集成电路产业投资基金成立于2014年，旨在通过财政资金撬动社会资本，重点投资集成电路产业链中的关键环节，包括芯片设计、制造、封装测试等。——、

一季度集成电路产量飙升，半导体材料 ETF（562590）大涨超 2%

一季度集成电路产量飙升，半导体材料ETF（562590）大涨超2%5月9日，三大股指悉数飘红，锂电池板块领涨，带动半导体材料跟涨。半导体材料ETF（562590）涨超2%，持仓股芯源微涨超8%，TCL中环、华海清科跟涨，涨超5%。根据中国国家统计局公布的最新数据，仅三月份全国集成电路产量就高达362亿片，同比增长28.4%，创下历史新高。华西证券认为，整体来看，半导体设备国产化率不足20%，仍处于相对低位，对于光刻、量/检测、涂胶显影、离子注入设备等领域，我们预估国产化率仍低于10%，国产替代背景下，看好本土设备国产化率快速提升。