NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

三星逆势增资 拿下苹果中国闪存供应

三星逆势增资拿下苹果中国闪存供应但是，提价10%很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅降价，个中原因，不问可知。逆势增资：三星心路人知受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润受到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。全球存储器市场结构怎样？据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示，截至2021年，三星在DRAM市场份额为42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND闪存方面，截至2022年Q2，三星电子拥有33.9%的市场份额，位列全球第一；通过收购IntelNANDFlash闪存业务，SK海力士组建了新公司Solidigm，市场份额升至19.9％，紧随三星电子之后排名第二。值得一提的是，三星电子在NADA闪存市场获得全球第一的市场地位，源自在2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。这是一次极为成功的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模，最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手，比如德国奇梦达、日本“国家队”尔必达和东芝。这次成功经验，充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。2022年，半导体行业进入下行周期，存储市场占据半导体约30%的比例，故受到较大行业下行影响：包括三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。因此，行业风格保守，一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将2023财年投资额，从2022财年的120亿美元，下调至70亿-75亿美元；同时，还将大幅减少2024财年的资本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的设备投资预算幅度，将比2022年减少超过50%。但是三星例外，其投资风格极为激进，这与美光和SK海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法，显得格外与众不同。公开消息显示，三星电子已决定，在2023年提升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。1月12日，华尔街见闻从供应链了解到，三星西安三期项目12寸（300mm）晶圆厂将于2月中旬开工。这个项目原本定于2022年12月启动，但受内外多种因素影响，故而有所延期。三星电子西安三期项目总投资高达3000亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的生产基地，与前两期项目的产能合并后，将占据三星电子NAND全球总产能的40%。前两期项目已达产，每月生产12英寸晶圆量达25万张，年营收高达1000亿元人民币。与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比，三星电子同样属于逆势“加仓”。此举说明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工领域反超台积电。除了中国项目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的NAND闪存设备做升级。P1的NAND线预计将改造为V8（238层）NAND量产线，可加工约3万张晶圆。此前，有消息称，三星电子可能会在2023年下半年，投资已完成外装工程的平泽4号厂房（P4）一期工程新的NAND生产线。据中国台湾市场研究公司TrendForce的统计数据，截至2022年底，三星电子NAND晶圆月产量约为64.5万张。就半导体投资而言，三星电子决定在所有领域都保持2021年的水平。另据英国市场研究公司Omdia的数据显示，NAND市场价值约为665亿美元。鉴于此等规模的市场前景，三星或许想通过增加NAND产能，以挤压或吞并规模较小的行业企业。目前，在NAND领域，仍有6-7家企业在争夺全球范围内的市场份额。手段：提价、扩产、降价1月6日，这家韩国市值最高的公司对外表示，2022年10月-12月季度营业利润可能同比下降69%，低于市场预期的38%降幅，创下2008年同季度以来的最大降幅纪录。与2022年三季度相比，用于智能手机和其他设备的NAND闪存基准在2022年四季度期间，跌幅达到14%。可以说，三星电子面临行业低迷和公司业绩下滑的双重压力，却仍在逆势增资扩产。这家公司表示，将继续从中长期的角度为市场复苏做准备。由上文可知，三星对逆势投资有过成功经验。多年来，三星常常在行业不景气时期做巨额投资，以在下一个繁荣时期击败竞争对手，从而引领全球内存市场。俗话说，手中有粮，心中才能不慌。三星敢于逆势大举增资，底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至2022年9月底，三星持有约128.8万亿韩元（约合1010亿美元）现金，约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣布，计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免，从8%扩大到15%，接近翻倍。除了想靠技术实力、产能规模压制对手，复制2006-2009年的那次成功逆袭，还有个重要原因，即三星电子已成功进入苹果NAND闪存供应链。此事得益于中国本土一家NAND闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。这家中国公司在遭遇技术约束后，三星电子成为了苹果公司在中国的NAND存储芯片替代供应商。华尔街见闻获悉，三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供应NAND闪存。目前，这个工厂的三期工程将于2月动工。值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将提价10%，而部分中国公司已接受这一报价。但是，据公开报道显示，三星电子可能会于2023年开启包括NAND闪存在内的大幅降价，以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。对NAND技术、产能和价格三者之间关系的理解，也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。在NAND领域，NAND制造商做的激烈技术角逐，集中在增加垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术，但三星认为，“重要的不是层数，而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。说是这么说，但三星并没有放松NAND的技术迭代，其技术水平也极为高超。目前，三星电子生产的第八代V-NAND高达230层；第9代V-NAND也已在研发过程中，预计2024年量产。2030年，三星将推出高达1000层的V-NAND产品。鉴于DRAM的对于消费电子级的重要性，三星也在重兵布局这个方向。为推进10nm范围以外的微缩，三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。2022年底，三星官方透露，其即将推出的DRAM解决方案包括32GbDDR5DRAM、8.5GbpsLPDDR5XDRAM和36GbpsGDDR7DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。此外，三星计划到2030年实现亚纳米DRAM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339185.htm

三星电子下半年将继续削减存储芯片产量 尤其是NAND闪存

三星电子下半年将继续削减存储芯片产量尤其是NAND闪存外媒在报道中提到，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子的高管表示，他们计划下半年继续削减存储芯片的产量，以加速库存正常化，他们将继续调整DRAM和NAND闪存的产量，尤其是大幅削减NAND闪存的产量。三星电子继续削减DRAM和NAND闪存的产量，预计同存储芯片的市场需求尚未明显好转，他们这一业务的营收仍在大幅下滑有关。财报显示三星电子的存储业务在二季度营收8.97万亿韩元，环比虽增长1%，但同比下滑57%，连续4个季度同比大幅下滑，连续两个季度同比下滑超过50%，所在的设备解决方案部门在二季度营业亏损4.36万亿韩元，连续两个季度超过4万亿韩元。除了三星电子，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士二季度的状况也不乐观，7.3万亿韩元的营收虽环比增长44%，但同比下滑47%，净亏损近2.99万亿韩元，同比转亏，较上一季度的2.59万亿也有扩大。三星电子是从4月份开始削减存储芯片的产量的，虽然此前他们的高管公开表示无意人为削减产量，但在4月初给出营业利润6000亿韩元，同比下滑96%的一季度业绩预期后，他们也终于决定削减存储芯片的产量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373627.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1373627.htm

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70

据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。（新浪）