传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂

传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂USNews援引两位知情人士的话称：韩国电子巨头之一的SK海力士，正为其计划在美新设的先进芯片封装厂进行选址。如果一切顺利，新厂将于2023年1季度破土动工。预估投资总额达“数十亿”、可创造约1000个工作岗位，且有望于2025-2026年实现大规模生产。资料图在致路透社的一份声明中，SK海力士没有披露与这座新工厂有关的更多细节，但消息人士称其很有可能坐落于一所拥有充足工程人才的大学附近。此外该公司将构建一个全国性的研发合作伙伴和设施网络，并将自家存储芯片和其它美国公司设计的机器学习（ML）和人工智能（AI）应用逻辑芯片打包封装。据悉，作为美国面向半导体、绿色能源和生物科学项目的220亿美元一揽子投资计划的一部分，韩国SK集团于上月宣布了新厂计划。此外白宫方面表示，通过支持鼓励材料和先进封测设施的研发项目，该计划将向半导体行业拨付150亿美元的资金。消息人士称，芯片研发设施与封装工厂都可从中分得一杯羹。此前出于国际分工的考量，美国芯片厂商习惯了将低价值的封测业务交给亚洲地区的海外工厂。然而随着先进封装技术竞赛日趋白热化，美国政府正试图通过《芯片法案》和配套激励措施来提升本土制造的竞争力。本周签署的该法案，为芯片研发制造领域提供了520亿美元的补贴。此外对于芯片工厂来说，还有240亿美元的税收抵免。最后，除了最新宣布在美设厂以获得补贴资格的SK海力士，台积电、三星、英特尔也都宣布了一系列扩张计划。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1303705.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1303705.htm

英特尔美国工厂赢得近200亿美元的芯片激励

英特尔美国工厂赢得近200亿美元的芯片激励美国商务部20日宣布，美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录，将根据《芯片与科学法案》向英特尔提供至多85亿美元直接资金补贴和最高110亿美元贷款，以扩大其高端芯片制造产能。英特尔正寻求在芯片领域重新确立在美国的领导地位，并与台积电和三星等公司竞争。英特尔已承诺在未来5年内在美国本土投资超过1000亿美元制造芯片。美国总统拜登计划周三前往亚利桑那州的英特尔工厂并宣布这一消息。——，

担忧电力供应稳定性等 英特尔被曝搁置10亿美元越南扩张计划

担忧电力供应稳定性等英特尔被曝搁置10亿美元越南扩张计划今年9月，美国总统拜登拜访越南河内，白宫称越南可能是全球半导体供应链中的“关键参与者”。今年10月，越南科技部经济技术行业科技司司长阮富雄也表示，最近越南与美国及其他国家在半导体芯片领域开展的合作为越南带来了巨大机遇，越南完全可以参与全球半导体价值链。在拜登访问越南期间，白宫已经公布了多家美国芯片公司对越南的投资计划，包括安靠（Amkor）、美满科技（Marvell）和新思科技（Synopsys），但没有提到英特尔。英特尔官网上的公开资料显示，当前英特尔在全球共有4家组装/测试工厂，分别位于中国、越南、马来西亚和哥斯达黎加四个国家。早在2010年，英特尔就在越南投资了约10亿美元，设立了全球最大的芯片组装、封装和测试厂。今年2月，曾有消息称英特尔正计划在越南进行价值约10亿美元的新投资，以推动其价值15亿美元的工厂在越南的发展，不过该消息没有得到英特尔方面的确认。可以说，在发展芯片行业方面，越南一直寄希望于英特尔在当地业务的进一步扩张。然而，据消息人士透露，就在拜登今年9月的这次拜访结束后不久，美国官员在一次小规模的会议中向一些美国企业家和专家透露，英特尔已经搁置了一项在越南的投资计划。据了解，英特尔在今年7月左右就已经做出了这个决定，公司没有说明叫停计划的理由。但是，在近期几场有美国企业和越南高管参加的会谈中，英特尔对于越南电力供应的稳定性和过度的官僚主义表示出明确的担忧。今年6月，英特尔宣布将在波兰、以色列和德国建设新厂，其中，在德国两家芯片工厂上的总投资超300亿欧元（330亿美元），是德国历史上最大的一笔外国直接投资。而在越南，同样是在今年6月，极端高温造成了大规模的停电潮，众多厂商被迫停工停产。近日，据外媒10月31日报道，美国-东盟商务理事会越南办事处负责人VuTuThanh表示，最近几周越南政府与6家芯片公司进行了会谈。由于谈判仍处于初步阶段，他拒绝透露具体是哪些公司。但有另一位芯片高管表示，与潜在投资者的谈判涉及美国代工制造商格芯（GlobalFoundries）以及中国台湾的力积电（PSMC）。对于这项被搁置的扩张计划，英特尔拒绝作出评论，只对媒体表示：“随着对半导体的需求增长，越南仍将是我们全球制造业务的一大重要组成部分。”当地时间10月27日，英特尔发布的2023年第三季度财报显示，受到从去年至今个人电脑行情不佳的影响，三季度总营收141.6亿美元，同比下降8%，但高于市场预期的136.6亿美元。由于英特尔预计第四季度收入将达到146亿至156亿美元区间，超出市场预期的144亿美元，公司盘后股价一度涨超8%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395163.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1395163.htm

剑指台积电：英特尔重注押宝先进封装

剑指台积电：英特尔重注押宝先进封装英特尔封装/组装和测试技术开发资深总监PatStover说，“我在封装领域已有27年经验，透过封装技术延续了摩尔定律”。封装技术的改进，被称为“先进封装”。通俗地说，先进封装，就是将芯片像乐高积木那样堆叠组合，再把这些组合封住固化成一个整体。这是用3D立体方式解决物理存在极限带来的微缩障碍。台积电、英特尔和三星电子等，都在提高这种技术的研发投入。英特尔在亚太区下了封装投资重注，选择的国家是马来西亚。看上，英特尔很想在台积电的封装版图中，掰下一块蛋糕，但就目前的进展看，还没到真正能对台积电形成威胁的那个时刻。2.5D/3D封装的异同点是什么？一般来说，先进封装是指2.5D以上的封装技术。所谓2.5D，就是堆叠部分芯片；3D是实现全部堆叠。目前，苹果（Apple）的M1Ultra芯片，采用的是台积电的InFO封装技术（InFO_Li），为2.5D；英伟达（NVIDIA）AI芯片则用了台积电CoWoS封装堆叠技术，又被称为“3DIC”。但也有技术论文称台积电CoWoS也是2.5D封装技术。台积电SoIC技术则属于3D封装。2.5D/3DIC封装都是新兴的半导体封装技术，都能实现芯片间的高速和高密度互连，从而提高系统的性能和集成度。这两者的区别：首先是连接方式不同。2.5D封装通过TSV硅转接基板连接芯片，将两个或多个有源半导体芯片并排置于硅中介层，以实现多个/组芯片的高密度互连；3DIC封装是将多个芯片/组作垂直堆叠，再通过直接键合技术实现芯片间的互连，特点是芯片组之间连接相对于2.D封装更短，尺寸也更小。其次，制造工艺不同。2.5D封装要制造硅基中介层，还要做微影技术等复杂工艺；3DIC封装的制造工艺是要应用直接键合技术，难度很高。第三，应用场景和性能不同。2.5D封装通常在高性能计算、网络通信、人工智能和移动设备等领域有大规模应用，具有较高的性能和相对更灵活的设计；3DIC封装通常应用于存储器、传感器和医疗器械等领域，集成度较高，封装体积也相对更小。英特尔的2.5D封装技术被称为“EMIB”，自2017年开始在产品中得以应用。与一般2.5D封装技术不同之处是EMIB没有TSV转接基板。所以无需额外工艺，设计也较为简单。英特尔的资料中心处理器SapphireRapid即采用了这项技术。英特尔首代3DIC封装称为“Foveros”，2019年时用于英特尔上一代计算机处理器Lakefield。就技术特色而言，EMIB透过“硅桥（SilliconBridge）”（而非TSV转接基板），从下方连接高带宽存储器（HBM：HighBandwidthMemory）和运算等各种芯片（die）。由于硅桥会埋在基板（substrate）中并连接芯片，达成高带宽存储器和运算芯片的直接连接，因此这样就能加快芯片本身的能效。Foveros采用3D堆叠，将高带宽存储器、运算单元和架构等不同功能的芯片组像汉堡包一样层叠，再用铜线穿透每层芯片组，就像将筷子穿透插入汉堡包，以此达到连接效果。最后，工厂将已完成堆叠的芯片送到封装厂座组装，接合铜线与电路板上的电路。9月即将发布的英特尔新一代CPU“MeteorLake”，即采用了第二代“Foveros”3DIC技术。目前，台积电CoWoS封装技术产能不足。业界有消息称，苹果公司预订了台积电CoWoS封装大部分产能，迫使高通将部分芯片订单转给三星电子。目前，三星电子的3D封装技术被称为“X-Cube”。就这两种封装技术的应用广度和深度看，3D封装技术仍在早期阶段，2.5D封装技术也没有完全放量。有一点很有意思，据PatStover透露，在英特尔IDM2.0战略指引下，即使客户未在晶圆代工厂下单，也可以使用先进封装服务。这说明英特尔开始从“产品导向”转变为“用户导向”，不再强调产品本位思维，转而向着“客户需求定制”商业模式转换。比如，客户可以直接在英特尔完成封装，而没有强制规定客户必须通过英特尔代工厂完成芯片制造的所有流程。海外封测核心重镇在哪？英特尔在9月即将发布的新一代CPU“MeteorLake”，采用了自家的3DIC封装技术“Foveros”，封装环节也会在自家工厂完成。英特尔做先进封装是认真的。8月底，有媒体消息称，英特尔副总裁兼亚太区总经理StevenLong表示，目前英特尔正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，以强化2.5D/3D封装布局。这将是继英特尔新墨西哥州及奥勒冈厂之后，首座在美国之外采用英特尔Foveros先进封装架构的3D封装厂。根据英特尔的规划，到2025年，英特尔Foveros封装产能将达到当前水平的4倍。届时，槟城新厂将成为英特尔最大的3D封装厂。此外，英特尔还将在马来西亚居林高科技园区兴建另一座封装测试厂。未来英特尔在马来西亚的封测厂将增至6座。在2022年末举行的英特尔On技术创新峰会上，英特尔CEO基辛格表示，英特尔代工服务将开创“系统级代工时代”。不同于仅向客户供应晶圆的传统代工模式，英特尔还提供硅片、封装、软件和芯粒等多项服务。此外，从PatStover的描述中可以看到，英特尔将芯片代工的各个环节都做了“拆/整”组合，以更灵活的方式由客户自行挑选。值得一提的是英特尔Foveros计划推出FoverosDirect，这能实现直接铜对铜键合转变。通过HBI（HybridBonding）技术以实现10微米以下的凸点间距，让不同芯片间实现超过10倍的互联密度提升。这就使得晶圆制造与先进封装之间的界限不再那么泾渭分明，但其对先进封装工厂要求也大幅提升。据英特尔企业副总裁暨亚太日本区（APJ）总经理SteveLong透露，英特尔在亚太区的多国均有投资，但主要集中在日本和马来西亚，尤其以后者的投资额为最高。华尔街见闻查阅英特尔公开投资记录发现，在亚太区，英特尔在中国（成都）有投资组装测试厂；在越难，英特尔也做了组装测试厂的投资。就封装厂而言，英特尔目前有在建和规划中的3座工厂：分别位于美国新墨西哥州（在建）、马来西亚槟城（开建）和马来西亚居林（规划）。目前英特尔官方并未透露Foveros的产能数据。就眼下的情况看，台积电和三星电子不必对英特尔的先进封装产能有过分担忧。因为英特尔在两年前宣布投资35亿美元扩充的新墨西哥州先进封装产能厂，至今仍未完工。至于马来西亚槟城新厂的完工时间，估计要到2024年底和2025年初。未来英特尔在马来西亚将有6座工厂。现有的4座分别为槟城和居林（Kulim）的两座封测厂，以及在居林负责生产测试设备的系统整合和制造服务厂（SIMS）和自制设备厂（KMDSDP）。英特尔芯片组数计工程事业部副总裁SureshKumar表示，拥有设计能力是马来西亚基地的重要特色，同一个专案能和美国奥勒冈州（Oregon）的研发团队轮流交替，可以24小时不间断地投入研发，“马来西亚设计团队已经拥有32年的历史，加上产线近乎完整，在这边设计速度也会较快”。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1381243.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1381243.htm

以媒称英特尔将暂停以色列芯片工厂

以媒称英特尔将暂停以色列芯片工厂以色列财经新闻网站Calcalist当地时间6月10日报道称，英特尔公司将停止在以色列投资250亿美元建厂的计划。之后英特尔在一份声明中表示，有必要让大型项目适应不断变化的时间表，但并未直指该项目。“以色列仍然是我们重要的全球生产和研发基地之一，我们将继续全力以赴。”以色列政府于去年12月同意向英特尔拨款32亿美元，用于在以色列南部建造价值250亿美元的芯片工厂。

英特尔下注玻璃基板：不易弯曲 适合大尺寸封装芯片

英特尔下注玻璃基板：不易弯曲适合大尺寸封装芯片Tadayon提到，使用玻璃材料可以实现一些有趣的特性，能够提高芯片供电效率，并且使得连接带宽从224G提升至448G。随着制造工艺的发展和需求变化，玻璃基板将逐渐出现，并与有机材质基板共存，而不是取代后者。英特尔技术开发副总裁兼封测开发总裁TomRucker表示，在先进封装方面，英特尔已经从SoC（片上系统）过渡到了system-in-package晶圆级封装。这一转变在积极进行中，目前已经有许多产品应用了EMIB（嵌入式多芯片互联桥接）技术，现在正向3D互联转变，支持芯片堆叠，这样可以使得同样的面积内得到更高的性能。不过，随着大尺寸封装的出现，机械方面的挑战也随之而来。英特尔表示，大尺寸封装的基板往往会翘起，这使得装配到主板上会变的很困难，所以如果有更先进的封装技术，可以帮助到客户，同时英特尔会与电路板组装公司合作。英特尔称，预计玻璃基板封装的芯片最早可在2024年年底前生产，连接间距会在将来逐渐缩短，并支持3D堆叠。这种封装技术还可以明显提高良品率，因为如今的大型数据中心GPU、加速器，使用了小芯片封装技术，一片基板上最多可封装多达50颗芯片，只要有一颗封装不良，那么整片就要报废。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366123.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366123.htm