慧荣推出第三代PCIe Gen4 SSD控制器 适用于TLC和QLC 3D NAND闪存

慧荣推出第三代PCIeGen4SSD控制器适用于TLC和QLC3DNAND闪存SM2268XT采用双核ARMR8CPU，有四条16Gb/sPCIe数据流通道，支持四条NAND通道，每条通道速度最高3200MT/s，使设计人员能够利用吞吐量更高的下一代高速TLC和QLC3DNAND闪存。它的多核设计自动平衡计算负载，提供7400MB/s和6500MB/s的连续读写速度以及1200KIOPS的随机读写速度。SM2268XT提供了新的系统总线架构、主机内存缓冲区（HMB）功能和慧荣自行研发的第8代NANDXtendECC技术，加入性能优化的4KBLDPC引擎和RAID以提高错误纠正能力。"我们很自豪地推出用于客户端SSD的SM2268XT，"SiliconMotion公司总裁兼首席执行官WallaceKou说。"我们一直在扩大我们的SSD控制器设计，赢得了领先的PCOEMs，我们的PCIe第4代控制器的这一最新演变表明我们致力于开发这些客户想要和需要的产品，以支持未来更高速的NAND。""我们对SiliconMotion的这款高性能PCIeGen4控制器感到兴奋，"KIOXIA公司内存部门高级总监AtsushiInoue说，"我们相信SM2268XT将与我们领先的BiCSFLASH技术一起将高性能固态硬盘的标准提升到新的水平。""PCIe第四代固态硬盘正经历着爆炸性的增长，2022年的出货量几乎翻了一番，并且在未来几年将继续成为PC的主流存储解决方案，"ForwardInsights总裁GregWong说。"SiliconMotion最新的SM2268XT无DRAM控制器能够在PC中实现低成本、高性能的存储，支持最先进的3DNAND技术。"慧荣目前正在向主要客户提供SM2268XT的样品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1344785.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1344785.htm

相关推荐

封面图片

Silicon Motion展示低功耗PCIe 5.0 SSD控制器SM2508

SiliconMotion展示低功耗PCIe5.0SSD控制器SM2508作为PCIeGen5x4控制器，SMI的SM2508拥有3.5瓦的超低功耗。该公司表示，将其安装在M.2固态硬盘中，可使硬盘制造商制造出7瓦（或更低）的固态硬盘。SM2508采用台积电的N6工艺技术制造，这是一个7纳米级的光缩制造节点，出货后将成为市场上最先进的控制器之一。相对复杂的节点使SiliconMotion能够在控制功耗的同时，在控制器中集成更多的内核和功能，更不用说芯片尺寸了。SM2508SSD控制器的前端基于四个ArmCortex-R8内核，这将使其成为一个功能强大的控制器（作为对比，Phison的E26是两个ArmCortexR5内核加一个加速器）。该控制器还将与DRAM配合使用，支持DDR4和LPDDR4。芯片后端提供8个NAND通道和32个CE目标，支持3600MT/s的接口速度。SMI称，该控制器的连续读取速度最高可达14.5GB/秒，写入速度最高可达14GB/秒，4K随机读写性能最高可达250万IOPS。SMI在Computex上演示的硬盘甚至比这还要好，在CrystalDiskMark下达到了14.9GB/sec的读取速度。目前，SiliconMotion及其合作伙伴正在最后确定SM2508的固件，并对其与不同制造商的TLCNAND进行验证，该芯片还支持QLCNAND。在Computex上，SiliconMotion在其展位上展示了SM2508硬盘的实际运行情况。多家硬盘制造商也在现场展示了基于SM2508的硬盘，不过只是静态样品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434795.htm
封面图片

NAND闪存将成为PCIe Gen 5.0固态硬盘的瓶颈 需要更多层工艺才能满足

NAND闪存将成为PCIeGen5.0固态硬盘的瓶颈需要更多层工艺才能满足基于PhisonE26控制器的固态硬盘可以利用PCIeGen5.0标准，一些设备在过去几个月中已经公布。虽然该控制器可以达到13GB/的速度，但大多数固态硬盘的最大读取速度为10GB/s。最近Phison公司的PS5026-E26控制器提供了八个NAND通道，帮助不同的传输数据速率，但需要一个具有2400MT/s接口的3DNAND存储器来满足较新的PCIe5.0x4接口。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1315187.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1315187.htm
封面图片

慧荣SM2504XT PCIe 5.0 NVMe SSD控制器规格泄露

慧荣SM2504XTPCIe5.0NVMeSSD控制器规格泄露虽然没有具体提到SiliconMotion的制造伙伴是谁，但它很可能是台积电，因为SiliconMotion是一家台湾公司。SM2504XT采用主流4通道控制器设计，但它将支持额定速度高达3600MT/s的NAND闪存，这比目前宣布的任何其他NVMeSSD控制器都要高。SM2504XT还支持NVMe2.0协议，提供PCIe5.0x4主机系统接口。这款新的控制器预计将在今年9月的某个时候推出。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1344177.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1344177.htm
封面图片

基于SiliconMotion SM2508控制器的更实用PCIe 5.0 SSD今年起出货

基于SiliconMotionSM2508控制器的更实用PCIe5.0SSD今年起出货现在，根据BenchLife的报道，期待已久的SiliconMotionSM2508控制器正在向硬盘制造商发货，它可能是打开PCIe5.0固态硬盘市场的关键。今年年底前，我们就能看到基于它的Gen5硬盘。这款控制器终于可以解决这些效率问题，同时还能带来Gen5所特有的超快传输速率。它采用台积电的N6工艺制造，峰值功耗仅为3.5瓦，而基于它的硬盘在最大负载下功耗仅为7瓦，与当前的Phison方案相比，简直是天壤之别。SiliconMotion还声称，使用SM2508的固态硬盘将具有与当今PCIe4.0型号类似的散热和功耗特性，但仍能达到Gen514GB/s以上的连续速度。在某些情况下，它甚至比Gen4更高效。该芯片有8个NAND通道，每个通道有32个CE目标，支持3600MT/s的接口速度。它的连续读写速度分别可达14.5GB/s和14GB/s，随机读写性能达到250万IOPS。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436202.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436202.htm
封面图片

Realtek加入PCIe 5.0 NVMe SSD控制器赛道

Realtek加入PCIe5.0NVMeSSD控制器赛道RTS5782将是一款8通道控制器，支持3600MT/sNAND，并将有一个使用DDR4、LPDDR3、LPDDR4或LPDDR4x内存的专用DRAM缓存。据说它的连续读取速度可达14GB/s，连续写入速度可达12GB/s，随机读写IOPS达到2500K。Realtek还在开发一对新的无DRAM型号：PCIe4.0RTS5776DL和PCIer5.0RTS5781DL，这两个型号都支持4通道闪存，但仍支持高达3600MT/s的NAND速度。RTS5776DL的工程样品预计将在今年年底前推出，据说它的连续读写速度可达7400MB/s，随机读写IOPS为1200K。RTS5781DL将于2025年初进入工程样品阶段，它将把连续读写性能提高到10GB/s，随机读写IOPS提高到1400K。除了新的NVMe控制器外，瑞昱还在Computex上展出了RTS5736DL，该公司称这是世界上功耗最低的无DRAMSATASSD控制器，还支持高达8TB的容量。RTS5736DL是与USB3.x桥接芯片搭配使用的理想外置硬盘解决方案。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434666.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434666.htm
封面图片

创见推出 MTS570P 紧凑型 SSD：配断电保护、112 层堆叠闪存

创见推出MTS570P紧凑型SSD：配断电保护、112层堆叠闪存https://www.ithome.com/0/752/268.htmMTS570P重点配备了断电保护（PLP）功能，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存。MTS570P搭载SATAIII6Gb/s传输接口，并采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达112层闪存，达到更高的储存效益

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人