三星、SK 海力士股价上涨 台湾地区地震停工料提振 DRAM 价格

三星、SK海力士股价上涨台湾地区地震停工料提振DRAM价格三星电子和SK海力士股价上涨，由于地震使得台湾的DRAM工厂停工，芯片价格有望获得提振。此外，SK海力士表示将斥资39亿美元建立它的第一家美国芯片工厂。SK海力士一度上涨逾4.8%，三星电子一度上涨近1.7%。行业研究机构集邦咨询(TrendForce)周三发布报告称，台湾地震后，美光科技、三星电子和SK海力士已暂停了DRAM芯片的报价。花旗在一份报告中表示，停工“可能导致部分DRAM生产中断”，并为记忆芯片制造商在价格谈判中带来优势。

韩国：三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备

韩国：三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可，无需单独批准即可获取芯片制造设备据韩联社，韩国总统办公室周一宣布，美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。也就是说，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。韩联社表示，美国商务部正在更新其“经过验证的最终用户”名单，以确定哪些实体可以获得特定技术的出口。一旦被列入名单，就不需要再单独获得出口许可，也就意味着美国出口管制政策实际上无限期暂停。SK海力士对此表示欢迎，并认为此决策有助于稳定全球半导体供应链。去年，三星电子和SK海力士已获得美国商务部一年的授权，允许其向位于中国的工厂供应芯片生产设备，这项授权已于今年10月到期。三星电子和SK海力士在中国有多家工厂，并在全球半导体市场中占据重要地位，控制了大部分的DRAM和NAND闪存市场份额。Source:Viavia@Zcocksize_bot投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价据电子时报报道，知情人士透露，包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。报道称，NANDFlash价格暴跌给供应商造成了巨大损失，他们现在正在努力止血。PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360559.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360559.htm

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。来源：

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423514.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423514.htm

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——