铠侠成功研制出HLC闪存 SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨

铠侠成功研制出HLC闪存SSD容量暴增：速度/耐用性比QLC还拉跨日前，铠侠（原东芝）研究人员已经成功开发出更新的存储颗粒，HLC闪存（Hepta-level），也就是7bits/cell，单位密度比QLC几乎翻倍。铠侠透露，它们使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，运行时的电流噪声据说也得到降低。HLC的研制成功意味着，即便堆叠技术没有任何改进，SSD的容量也能实现直接翻倍。当然，HLC也有一些天然劣势，除了速度和带宽会有所牺牲，更重要的是耐用性。QLC况且被一些用户嗤之以鼻，PLC和HLC可想而知了。()投稿：@ZaiHuabot频道：@TestFlightCN

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC闪存远非终点铠侠已投入HLC和OLC颗粒研究https://www.cnbeta.com/articles/1160067.htm铠侠最近披露表示，PLC(pentalevelcell)之后，还有存储6电位的HLC(hexalevelcell)和存储8电位的OLC(octalevelcell)。目前，铠侠已经在-196°C的液氮环境中，实现了HLC闪存1000次P/E。预计量产后，恐怕会降到100次P/E。当然，大家不用太担忧，因为HLC时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在600~1000次甚至更多，这意味要写满一次SSD，需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。（论日本的科技树）

QLC尚未普及HLC又来 写入寿命堪忧

QLC尚未普及HLC又来写入寿命堪忧从原理看，数据是以电荷的方式存储在NAND FLASH的存储单元中。如果说NANDFLASH是一个容器，存储单元就可看做容器中的一个个“格子”，根据格子中存储数据的位数不同，就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC，以及铠侠（原东芝）刚刚开发出来的HLC。其实，从SLC到HLC，都是为了满足用户大量存储数据的需求，其中SLC每个存储单元可储存1bit数据，MLC可储存2bit数据，TLC可储存3bit数据，QLC可存储4bit数据，PLC可存储5bit数据。而铠侠HLC（Hepta-level）使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，可存储数据达到了7bits，比QLC几乎翻倍。由此可见，可见单个存储单元存储的数据的位数越高，NAND闪存颗粒的容量就越大，PCB上的存储芯片数量也随之减少，极大降低固态硬盘的制造成本。而HLC的研制成功，则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进，固态硬盘的容量也能实现直接翻倍，以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。当然，闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度，简单来说SLC最快、价格最贵，但早已停售；MLC次之，相关产品也基本绝迹。目前市场主流产品为TLC，也有部分低价产品采用QLC，当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命，依然是SLC最高、MLC其次，然后是TLC，QLC依然被鄙视，而HLC也就可想而知了。不过我们也不用过于担心，毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度，将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法，以及更大的SLC缓存，毕竟缓外速度还不及机械硬盘，恐怕这是谁都不希望看到的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357577.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357577.htm

铠侠发布第二代XL闪存 超耐写的SLC、MLC回来了

铠侠发布第二代XL闪存超耐写的SLC、MLC回来了由于成本更低，近年来闪存逐渐过渡到了TLC、QLC类型，只不过这些闪存的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，后者写入寿命可达5000次甚至1万次以上，好在铠侠日前推出了第二代XL-Flash闪存，这次就增加了MLC，有望大幅提升容量。铠侠的XL-Flash闪存虽然也是基于BiCSNAND闪存技术，但它的定位不同于常见闪存，而是跟Intel的傲腾、三星Z-NAND竞争的，定位于存储类内存，性能要比常见闪存高得多，成本也要高得多。铠侠在2020年推出了XL-Flash闪存，当时主要有SLC类型的，核心容量128Gb，比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多，但是延迟超低，只有普通闪存的1/20，性能非常强。这次推出的第二代XL-Flash闪存没有公布详细的规格，但除了SLC之外多了MLC，因此容量轻松翻倍，核心容量可达256Gb，显著降低了成本。第二代XL-Flash闪存也会用于数据中心、企业服务器等市场，未来还会有CXL标准的新产品。根据铠侠的计划，第二代XL-Flash闪存今年11月份出样，2023年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1301815.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1301815.htm

重庆研制出世界首款柑橘液相育种芯片

重庆研制出世界首款柑橘液相育种芯片从西部（重庆）科学城获悉，科学城种质创制大科学中心柑橘团队、国家柑橘品种改良中心研制的世界首款柑橘液相育种芯片——“橘芯1号”，近日获得国家发明专利授权。“橘芯1号”液相育种芯片的研制成功，将为开展柑橘生物育种、开发柑橘全基因组选择育种平台打下基础，它具有的分子精准化设计、高通量、低成本、智慧化等特点，可显著提高柑橘育种效率，大幅度缩短育种周期。（重庆日报）

中国成功研制出高柔韧性单晶硅太阳电池 能像纸一样弯曲

中国成功研制出高柔韧性单晶硅太阳电池能像纸一样弯曲根据研究团队公布的照片来看，60微米厚度的单晶硅太阳电池可以像纸一样进行折叠操作，最小弯曲半径达到5毫米以下，也可进行重复弯曲，弯曲角度超过360度。中科院上海微系统所介绍，单晶硅太阳电池在弯曲应力作用下的断裂总是从单晶硅片边缘处的“V”字型沟槽开始萌生裂痕，该区域被定义为硅片的“力学短板”。根据这一现象，研究团队开发了边缘圆滑处理技术，将硅片边缘的表面和侧面尖锐的“V”字型沟槽处理成平滑的“U”字型沟槽，改变介观尺度上的结构对称性。结合有限元分析、动态应力载荷下的分子动力学模拟和球差透射电子显微镜的残余应力分析，发现单晶硅的“脆性”断裂行为转变成“弹塑性”二次剪切带断裂行为。同时，由于圆滑处理只限于硅片边缘区域，不影响硅片表面和背面对光的吸收能力，从而保持了太阳电池的光电转换效率不变。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1361535.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1361535.htm