阿斯麦与 SK 海力士拟合作开发 EUV 光刻机氢气回收技术

阿斯麦与SK海力士拟合作开发EUV光刻机氢气回收技术韩国产业通商资源部12月13日表示，总部位于荷兰的阿斯麦公司（ASML）计划扩大与韩国芯片制造商的业务合作。除ASML计划与三星电子共同投资1万亿韩元（约合7.04亿欧元）在韩国建芯片研究中心外，ASML还与韩国第二大芯片制造商SK海力士签署谅解备忘录，以开发回收极紫外（EUV）光刻机中使用的氢气的技术，以降低极紫外线光刻机能耗。

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机 单价翻番到26亿

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML（荷兰阿斯麦）正抓紧研制其下一代高NA（0.55数值孔径）的EUV极紫外光刻机，在发布最新财报期间，AMSL透露，其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说，在Intel和台积电之后，三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机总部位于荷兰的阿斯麦今年将向台积电和三星电子出货其最新的芯片制造设备。据该公司发言人称，阿斯麦首席财务官罗杰·达森在最近的电话会议上告诉分析师，阿斯麦的三大客户台积电、英特尔和三星都将在今年年底前获得高数值孔径极紫外光刻机。英特尔已经订购了最新的高数值孔径极紫外光刻机，并于去年12月底送往俄勒冈州的制造工厂。目前尚不清楚阿斯麦最大的EUV客户台积电何时会收到这台设备。这家台湾芯片制造商的一位代表表示，该公司与供应商密切合作，并拒绝进一步置评。——

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm

ASML今年将出货60台EUV光刻机 全球只有5家客户

ASML今年将出货60台EUV光刻机全球只有5家客户虽然没有提到具体的名单，但是台积电、三星、Intel这三家是没跑的，他们的逻辑工艺现在都是要用到EUV光刻机的。还有2家应该是内存芯片厂商了，三星这部分已经在14nmDRAM内存上使用EUV光刻了，SK海力士也跟进了，美光之前的表态相对保守一些，但迟早也会上EUV光刻机来生产内存芯片。虽然只有5家客户，但是最近几年对EUV光刻机的需求提升很快，ASML预计今年会出货60台EUV光刻机，而DUV光刻机达到375台，数量依然远高于EUV。毕竟EUV光刻机售价昂贵，单价在1.5到2亿美元，人民币超过10亿元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345573.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1345573.htm

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm