高端存储芯片库存告急，中国厂商正在发力

高端存储芯片库存告急，中国厂商正在发力人工智能热潮下，高端存储芯片（HBM）库存告急。SK海力士和美光已经向客户发出警告称，2024年的HBM芯片已售罄，库存紧张的状况预计将持续至2025年，2025年的HBM芯片订单也已爆满。目前，韩国的SK海力士主导了HBM市场，其他两家存储芯片巨头美光与三星正在迎头赶上。值得关注的是，中国存储芯片公司也开始投入HBM芯片的研发。对于像OpenAI的ChatGPT这样的大语言模型来说，HBM芯片在其模型训练中发挥着至关重要的作用。在各大科技巨头争先公布更高性能的AI大模型的背景下，用于AI训练的HBM芯片也出现了严重紧缺，并成为芯片公司激烈竞逐的新领域。

32Gb、400MB/s带宽 江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

32Gb、400MB/s带宽江波龙首颗自研2DMLCNANDFlash闪存发布江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。目前，江波龙已具备SLCNANDFlash、MLCNANDFlash、NORFlash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。值得一提的是，江波龙除了在NANDFlash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLCNANDFlash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NANDFlash、DRAM存储芯片的应用潜力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415747.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415747.htm

江波龙发布首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash：带宽400MB/s 可用于SSD

江波龙发布首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash：带宽400MB/s可用于SSD据介绍，江波龙近年来在存储芯片的自主研发投入了大量的精力和资源，引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。不仅精通闪存芯片的设计技术，并且对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解，对于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富的经验。存储芯片设计的每个阶段都有其独特的挑战和重要性，从逻辑功能、模拟电路设计、仿真验证、物理设计等，都需要经过精心策划和严格实施，才能确保最终产品的实现。目前，江波龙已具备SLCNANDFlash、MLCNANDFlash、NORFlash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415403.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415403.htm

江波龙：从存储模组厂向半导体品牌公司转型

江波龙：从存储模组厂向半导体品牌公司转型3月20日，江波龙董事长蔡华波在2024中国闪存市场峰会上表示，江波龙制定了第二个发展曲线，要从存储模组厂向半导体品牌公司做转型，包括经营模式从原有的价差模式向服务模式转型，突破存储模组厂的营收天花板。目前公司已经布局存储主控芯片，并通过并购的元成苏州和智忆巴西（Zilia）以及自建的中山数据中心存储专线，形成研发封测一体化，大幅缩短了从立项到产品制造的周期。

中国人大代表：中国产存储芯片打破外企垄断

中国人大代表：中国产存储芯片打破外企垄断中国全国人大代表、华中科技大学教授冯丹说，中国国产存储芯片在大陆市场份额已达到六成，将继续努力从根本上解决国产存储芯片（记忆晶片）“卡脖子”难题。据澎湃新闻报道，冯丹周日（12日）在“代表通道”上介绍，如今中国国产储存系统在国内的市场份额已从5%发展到60%以上。她说，自上世纪90年代开始，中国市面上的储存设备、系统皆被国外垄断，长期受制于人，没有一个中国制造的储存器。她和团队致力于推进存储设备国产化，打破了国外对高端存储系统及其核心关键技术的垄断。存储系统是数据的载体，关乎数字经济、产业安全、国家安全。冯丹说：“信息存储的研究从0到1还不够，还需要从弱到强，我和我的团队一方面继续进行核心技术的攻关，另一方面致力于推动存储设备国产化。”她与团队研发的存储碎片整理技术，已应用在几款国产主流品牌手机上。冯丹透露，团队正和国内多家龙头企业建立联合实验室，共同研发速度更快、能耗更低的下一代存储器，努力从根本上解决国产存储芯片“卡脖子”难题。韩国三星电子、SK海力士，日本铠侠等海外公司一直垄断存储芯片的核心技术。但近年来，中国不断努力推进国产存储芯片的发展，试图打破海外垄断。其中中国长江于2021年底正式推出新一代旗舰级SSD硬盘“TiPro7000系列”。另外，长江存储也已经实现了192层3DNAND闪存芯片的技术突破，而192层闪存产品是日韩国际芯片巨头掌握的最先进产品。

长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局

长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品完善中高端移动设备市场布局据介绍，LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。长鑫存储是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码（On-dieECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。据悉，长鑫存储LPDDR5芯片将面向笔记本电脑、智能手机、平板电脑、可穿戴设备应用。官网信息显示，长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)设计、研发、生产和销售。DRAM产品广泛应用于手机、电脑、平板、服务器等领域。长鑫存储创立于2016年，总部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品。LPDDR全程LwoPowerDoubleDataRate，简称“低功耗内存”，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存所指定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。而LPDDR5就是最新的标准。相比较于LPDDR4X，搭载了LPDDR5内存的手机，在启动游戏或者加载应用的时候，速度也会更快，更重要的是，电量消耗更低。SK海力士近日表示，存储行业正迈入全面复苏阶段，预计所有应用的出货量都有望实现增长。其中智能手机方面，伴随部分换机周期来临，2024年智能手机出货量预计增长5%。由于今年下半年新机发售加上旗舰产品组合增加，LPDDR5需求会持续加速。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400527.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400527.htm